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晶圓雙雄2010年資本支出大手筆擴增

作者: 時間:2010-01-11 來源:DigiTimes 收藏

  2010年一開春、聯(lián)電法說成外界關(guān)注焦點,雙雄對于2010年景氣的論調(diào)與資本支出將會是外界解讀景氣的重要指標(biāo)之一。半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者表示,盡管2009年景氣波動劇烈,但以為例,過去景氣不錯的數(shù)年,采買設(shè)備都不手軟,目前已知2010年臺積電資本支出將高達約45 億美元,聯(lián)電資本支出則約10億美元,都大幅超前2009年。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/102812.htm

  臺積電2009年可說已算是砸大錢在資本支出上,臺積電總共約采買新臺幣1,450億元,相當(dāng)于45億美元添購設(shè)備,預(yù)料將使原本已經(jīng)產(chǎn)能稍許吃緊的設(shè)備業(yè)者,在因應(yīng)急單時更捉襟見肘。

  據(jù)了解,甚至部分大外商已經(jīng)在銅制程蝕刻設(shè)備方面無法因應(yīng)客戶急單,因為有許多半導(dǎo)體廠如臺積電、聯(lián)電、全球(Global Foundries)及大型整合元件廠、廠訂單都集中在第1季。

  這樣晶圓廠僅及擴充產(chǎn)能、急拉設(shè)備的情況在2010年將會延續(xù),這意味著對半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者的大多頭市場來臨。

  據(jù)半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者估計,臺積電2010年資本支出約計45億美元,較2009年28億~29億美元至少成長6成;值得注意的是,臺積電不僅擴充一般性制程,也會積極采買前段微顯影設(shè)備。

  業(yè)者分析,這可能與臺積電之前的40奈米良率問題有關(guān),臺積電若未能有效克服良率拉高的挑戰(zhàn),短期內(nèi)將以擴充機臺做為解決客戶產(chǎn)能不足的權(quán)變方案。因此在技術(shù)方面,40奈米良率仍將是本季臺積電法說外界關(guān)切焦點,其次則是臺積電的資本支出額度。

  在聯(lián)電方面,半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者預(yù)估,聯(lián)電2010年資本支出成長幅度較臺積電高,主要是聯(lián)電2009年資本支出基期較低,但2010年聯(lián)電在12寸廠先進制程將會較積極,因此2010年資本支出則上看10億美元,較2009年的5億美元達到倍增的程度。聯(lián)電的擴充重點據(jù)點則將會是新加坡的UMCi及12B的先進制程產(chǎn)能。



關(guān)鍵詞: 臺積電 存儲器 晶圓

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