IMEC用EUV曝光裝置成功曝光晶圓

　　IMEC宣布，成功利用ASML的EUV(extreme ultraviolet)曝光裝置NXE:3100進(jìn)行曝光。該EUV曝光裝置配備了日本牛尾電機(jī)的全資子公司德國(guó)XTREME technologies GmbH公司生產(chǎn)的LA-DPP(laser assisted discharge produced plasma)方式EUV光源。

　　IMEC于2011年3月導(dǎo)入了曝光裝置單機(jī)和EUV光源，設(shè)置于研究設(shè)施內(nèi)并進(jìn)行了調(diào)整和測(cè)試。現(xiàn)在已與東電電子(TEL)的涂布顯影裝置“Lithius Pro”(用于EUV工序)連接。IMEC表示，“吞吐量為ASML公司曝光工藝評(píng)測(cè)用(Alpha Demo Tool ：ADT)EUV曝光裝置的20倍，計(jì)劃在2012年初期實(shí)現(xiàn)100W的光源輸出功率和60張/小時(shí)的吞吐量”。重疊精度方面，根據(jù)此次的成果確認(rèn)了具有達(dá)到目標(biāo)的4nm以下的潛在能力。分辨率在使用偶極照明時(shí)可達(dá)到20nm以下，對(duì)于IMEC的目標(biāo)——2013年確立分辨率達(dá)到16nm的量產(chǎn)技術(shù)來(lái)說(shuō)，此次成果具有里程碑的意義。