臺(tái)積電：10年內(nèi)微縮至5奈米沒(méi)問(wèn)題

　　摩爾定律(Moore’sLaw)極限浮現(xiàn)與18吋晶圓世代來(lái)臨，將是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)兩項(xiàng)大革命，全球半導(dǎo)體廠都在思索未來(lái)趨勢(shì)，臺(tái)積電技術(shù)長(zhǎng)孫元成20日指出，摩爾定律未必走不下去，只要與3DIC技術(shù)相輔相成，朝省電、體積小等特性鉆研，將會(huì)柳暗花明又一村，未來(lái)10年內(nèi)持續(xù)微縮至7奈米、甚至是5奈米都不成問(wèn)題。

　　晶圓尺寸持續(xù)從4吋、5吋、6吋、8吋一直擴(kuò)展至12吋晶圓世代，原本2011年開(kāi)始準(zhǔn)備迎接18吋晶圓世代來(lái)臨，但直至現(xiàn)在18吋晶圓技術(shù)和機(jī)臺(tái)設(shè)備仍在研發(fā)階段。孫元成表示，2009年全球金融海嘯來(lái)襲，導(dǎo)致全球轉(zhuǎn)進(jìn)18吋晶圓世代時(shí)間點(diǎn)又晚2年，然除晶圓尺寸外，外界認(rèn)為摩爾定律已達(dá)極限說(shuō)法，其實(shí)未必適用。

　　孫元成表示，只要加入一些創(chuàng)新元素，如3DIC技術(shù)配合，摩爾定律可一直走下去，在未來(lái)10年內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù)持續(xù)微縮至7奈米、5奈米都是可行的，因?yàn)槟柖衫砟罨?DIC技術(shù)有互補(bǔ)功效，都是把系統(tǒng)產(chǎn)品作小、成本作低，且降低耗電量，非常符合現(xiàn)在整個(gè)半導(dǎo)體矽晶圓產(chǎn)業(yè)聚焦行動(dòng)通訊應(yīng)用趨勢(shì)。

　　臺(tái)積電已與英特爾(Intel)、三星電子(SamsungElectronics)、IBM和GlobalFoundries等半導(dǎo)體大廠共同成立Global450Consortium計(jì)劃!，在美國(guó)紐約州Albany研發(fā)18吋晶圓技術(shù)。半導(dǎo)體業(yè)者認(rèn)為，若摩爾定律在10奈米制程以下浮現(xiàn)無(wú)法克服的極限，對(duì)于半導(dǎo)體大廠將非常不利，等于技術(shù)走到瓶頸，等著所有后進(jìn)者蜂擁而至追趕，因此，這些大廠一定要轉(zhuǎn)進(jìn)18吋晶圓，用技術(shù)和資金筑起厚實(shí)的競(jìng)爭(zhēng)圍墻。

　　不過(guò)，臺(tái)積電指出，現(xiàn)在來(lái)講摩爾定律是否到極限其實(shí)還太早，因?yàn)榭杉尤朐S多創(chuàng)新技術(shù)，來(lái)輔助摩爾定律持續(xù)走下去。比利時(shí)微電子(IMEC)營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)LucVanDenHove亦指出，半導(dǎo)體技術(shù)在90~65奈米制程是采=StrainedSi技術(shù)，在45~28奈米階段是用High-K金屬閘極技術(shù)(HKMG)，而22奈米以下一直到14奈米制程，則會(huì)轉(zhuǎn)至3D晶片F(xiàn)inFET技術(shù)。

　　至于在10奈米制程以下技術(shù)，臺(tái)積電則表示，現(xiàn)在來(lái)看是要采用極紫外光微影制程(EUV)，或是多電子光束無(wú)光罩微影技術(shù)。