臺積研發(fā)費用400億創(chuàng)歷史新高
晶圓代工龍頭臺積電年度技術論壇在新竹登場,為維持技術領先地位,內部確定今年研發(fā)費用占年度營收比重8%,業(yè)界推算研發(fā)費用上看400億元,創(chuàng)下歷史新高,年增逾18%,全力防堵競爭對手三星和英特爾滲透晶圓代工市場。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/132336.htm根據行政院主計總處的統(tǒng)計,民國99年時,我國研發(fā)經費約占GDP約2.9%,較98年度的2.94%下滑,政府希望提升至3%。由此可見臺積電的研發(fā)費用比重之高。
臺積電年度技術論壇今天展開,董事長張忠謀不會出席,但在年報中確定今年研發(fā)費用將繼續(xù)提升,讓客戶對臺積電在技術競爭力更具信心。
今年是臺積電連續(xù)第4年研發(fā)費用年增兩位數,根據最新的臺積電年報,今年研發(fā)費用占總營收比約8%,比去年7.9%微幅增加,法人預估今年臺積電在28納米需求大幅帶動下,年營收可挑戰(zhàn)5,000億元歷史新高,換算今年研發(fā)費用將上看400億元。
臺積電日前法說已大幅提高資本支出,從60億美元拉升到80億至85億美元,調升幅度最高來到41.6%,主要用以28納米的擴增與20納米提前導入。去年臺積電研發(fā)費用首度突破10億美元,年增近15%,今年研發(fā)費用來到400億元,等于年成長率上看18%以上。
臺積電研發(fā)費用將用于下一世代先進制程的開發(fā),其中20納米預計今年底生產,3D-IC將預計民國101年至102年量產,14納米則預計民國103年量產。ICInsights曾統(tǒng)計,臺積電2010年因為研發(fā)費用年增44%,來到9.45億美元,首度擠入全球第十大研發(fā)費用之半導體廠,在高研發(fā)支出政策持續(xù)執(zhí)行下,臺積電將穩(wěn)居全球半導體研發(fā)支出金額最高的前十大業(yè)者。
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