卡位14/16nm市場(chǎng) 晶圓廠加碼FinFET研發(fā)
全球晶圓代工業(yè)者正加緊展開FinFET布局。繼格羅方德宣布將于2013年量產(chǎn)14納米FinFET后,臺(tái)灣晶圓雙雄臺(tái)積電與聯(lián)電亦陸續(xù)公布FinFET制程發(fā)展藍(lán)圖與量產(chǎn)時(shí)程表,希冀藉此一新技術(shù),提供IC設(shè)計(jì)業(yè)者效能更佳的制造方案,搶占通訊與消費(fèi)性電子IC制造商機(jī)。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/140342.htm鰭式電晶體(FinFET)已成為晶圓制造業(yè)者角逐未來行動(dòng)通訊市場(chǎng)的關(guān)鍵利器。為進(jìn)一步提升晶片效能并縮小尺寸,各家晶圓代工業(yè)者皆已挾不同的制程技術(shù)積極研發(fā)FinFET架構(gòu),預(yù)計(jì)明后年即可開花結(jié)果,并開始挹注營(yíng)收貢獻(xiàn)。
在眾家晶圓廠中,又以臺(tái)積電在FinFET的研發(fā)進(jìn)展最快。臺(tái)積電預(yù)估2013年6月即可開始提供客戶16納米FinFET制程的晶圓光罩共乘服務(wù)(Cybershuttle),并于明年底開始試產(chǎn),后年初正式量產(chǎn),搶先卡位市場(chǎng)商機(jī),藉此鞏固全球晶圓代工市場(chǎng)龍頭地位。
研發(fā)進(jìn)度超前 臺(tái)積16納米明年試產(chǎn)
臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀指出,臺(tái)積電16納米FinFET制程量產(chǎn)時(shí)程可望提前,預(yù)計(jì)明年底開始試產(chǎn)。
臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀(圖1)表示,盡管全球總體經(jīng)濟(jì)狀況不甚理想,但是受惠于行動(dòng)通訊市場(chǎng)需求強(qiáng)勁,目前臺(tái)積電包括65、40以及28納米等先進(jìn)制程的晶圓銷售量皆持續(xù)快速增長(zhǎng)當(dāng)中。
張忠謀進(jìn)一步指出,目前20與16納米制程技術(shù)進(jìn)展已明顯加快,其中,20納米已有約十五個(gè)客戶正進(jìn)行投片(Tapeout)測(cè)試;16納米研發(fā)時(shí)程則比先前預(yù)期更快,推出時(shí)間表將會(huì)比過往的制程更早,預(yù)估明年底試產(chǎn),后年初即可開始放量。
另一方面,臺(tái)積電已于日前耗資新臺(tái)幣32億元標(biāo)得竹南科學(xué)園區(qū)“園區(qū)事業(yè)專用區(qū)”兩筆土地,此用地未來將興建該公司18寸晶圓廠,并從事7納米先進(jìn)制程的研發(fā),預(yù)計(jì)2016年開始動(dòng)工興建,2017年相關(guān)研發(fā)設(shè)備將陸續(xù)進(jìn)駐該廠。
臺(tái)積電今年資本支出約為85億美元,且新竹科學(xué)園區(qū)的Fab 12第六期廠房已開始裝機(jī),有利20納米明年初如期量產(chǎn)。張忠謀強(qiáng)調(diào),明年臺(tái)積電的資本支出仍會(huì)持續(xù)增加,以擴(kuò)增在先進(jìn)制程上的實(shí)力。
事實(shí)上,臺(tái)積電今年第三季營(yíng)收已再創(chuàng)佳績(jī),其中先進(jìn)制程的產(chǎn)品線貢獻(xiàn)最大。臺(tái)積電財(cái)務(wù)長(zhǎng)暨資深副總經(jīng)理何麗梅表示,28納米制程出貨量較前一季多出一倍以上,占公司第三季晶圓銷售的13%;40納米的營(yíng)收占全季晶圓銷售的27%;而65納米制程技術(shù)的營(yíng)收則占全季晶圓銷售的22%??傮w而言,上述先進(jìn)制程的晶圓銷售達(dá)到全季晶圓銷售金額62%。
然而,對(duì)于今年第四季與明年初的景氣展望,臺(tái)積電仍是審慎以待。張忠謀認(rèn)為,半導(dǎo)體供應(yīng)鏈將在第四季開始進(jìn)行存貨調(diào)整,因而影響晶圓制造需求,因此第四季與明年首度的成長(zhǎng)幅度將向下微幅修正,但明年第二季后即可望恢復(fù)正常。
另一方面,聯(lián)電的14納米FinFET制程技術(shù)亦將于2014年初開始試產(chǎn),預(yù)計(jì)效能可較現(xiàn)今28納米制程提升35?40%,可提供通訊晶片與應(yīng)用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢(shì),擴(kuò)大搶攻通訊與消費(fèi)性電子IC制造商機(jī)。
導(dǎo)入FinFET制程技術(shù) 聯(lián)電14納米后年亮相
聯(lián)電副董事長(zhǎng)孫世偉表示,14納米FinFET制程技術(shù)將會(huì)是聯(lián)電切入未來次世代通訊運(yùn)算市場(chǎng)的最佳利器。
聯(lián)電副董事長(zhǎng)孫世偉表示,由于晶圓從28跨入20納米制程以下的微縮過程中,勢(shì)必得使用雙重曝光(Double Patterning)微影技術(shù)才能實(shí)現(xiàn),而此一技術(shù)無論是微影機(jī)臺(tái)或者人力研發(fā)等成本都相當(dāng)高昂,因此造成許多出貨量不大的IC設(shè)計(jì)商不愿意投資大筆資金導(dǎo)入,間接使20納米市場(chǎng)需求無法擴(kuò)大。
具備低功耗特性的FinFET制程技術(shù),盡管仍無法省去雙重曝光微影技術(shù)的成本,但卻能大幅提升單位面積內(nèi)電晶體的整體效能,降低IC設(shè)計(jì)商因雙重曝光微影技術(shù)所帶來的成本沖擊,因此遂成為各家晶圓代工業(yè)者爭(zhēng)相競(jìng)逐的技術(shù)。
孫世偉進(jìn)一步指出,在IBM FinFET技術(shù)授權(quán)的基礎(chǔ)下,聯(lián)電將跳過20納米制程,直接跨入14納米FinFET制程技術(shù),藉此為通訊與行動(dòng)運(yùn)算領(lǐng)域客戶提供更具效能優(yōu)勢(shì)的解決方案。此一新制程目前正于南科研究中心全力研發(fā)中,預(yù)計(jì)2014年初可完成驗(yàn)證,并旋即進(jìn)行試產(chǎn)。
然而,相較于臺(tái)積電與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)均表示將于2014年初量產(chǎn)16/14納米FinFET,聯(lián)電量產(chǎn)時(shí)程顯然稍慢,如何后發(fā)先至遂成為業(yè)界關(guān)注焦點(diǎn)。孫世偉強(qiáng)調(diào),盡管聯(lián)電在此一制程上的研發(fā)起步較晚,但相對(duì)FinFET制程所需的機(jī)臺(tái)制造技術(shù)亦較為成熟,且設(shè)備價(jià)格也較為便宜,再加上與IBM技術(shù)交流等助益,未來量產(chǎn)品質(zhì)與時(shí)程都將可較競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手更符合客戶需求。
另一方面,聯(lián)電28納米產(chǎn)品線則可望于年底量產(chǎn),并于明年第一季開始貢獻(xiàn)營(yíng)收。孫世偉補(bǔ)充,首波28納米Porting產(chǎn)品在經(jīng)過幾個(gè)月元件及制程參數(shù)調(diào)整后,良率已獲得顯著提升,且公司亦于第三季成功投片使用28納米后閘極(Gate-last)高介電質(zhì)金屬閘極(HKMG)制程的行動(dòng)通訊產(chǎn)品,并陸續(xù)與客戶密切合作中。
對(duì)于各大晶圓廠皆預(yù)期第四季與明年初營(yíng)收成長(zhǎng)將趨緩,孫世偉表示,現(xiàn)今晶圓代工制造正處在庫存調(diào)整及景氣循環(huán)周期中,聯(lián)電預(yù)估此波庫存調(diào)整將持續(xù)至明年初,景氣回溫的脈動(dòng)將取決于明年總體經(jīng)濟(jì)、終端產(chǎn)品市場(chǎng)需求與新產(chǎn)品交替力道強(qiáng)弱;而該公司未來將持續(xù)擴(kuò)大客戶層面,改善產(chǎn)品組合,并進(jìn)一步提升產(chǎn)能調(diào)配的彈性來降低周期性波動(dòng)所帶來的沖擊。
盡管全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開始進(jìn)入庫存調(diào)整階段,但臺(tái)灣IC制造產(chǎn)業(yè)仍可望在晶圓制造業(yè)者的帶領(lǐng)下逆勢(shì)成長(zhǎng),并在2013年達(dá)5.1%的成長(zhǎng)率。尤其是未來臺(tái)積電若順利接下蘋果(Apple)A7處理器訂單后,更將有機(jī)會(huì)大幅帶動(dòng)整體IC制造產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)率向上攻頂。
晶圓代工廠帶頭沖 臺(tái)灣IC制造業(yè)成長(zhǎng)可期
工研院產(chǎn)經(jīng)中心資深產(chǎn)業(yè)分析師彭茂榮表示,今年受到全球經(jīng)濟(jì)情勢(shì)不佳影響,全球各機(jī)構(gòu)均陸續(xù)下修2012年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)預(yù)測(cè);現(xiàn)階段全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈正面臨庫存問題、產(chǎn)能利用率下滑等不利因素,這些都將對(duì)明年產(chǎn)業(yè)發(fā)展增添變數(shù),而各家半導(dǎo)體廠商亦對(duì)營(yíng)運(yùn)績(jī)效的預(yù)期提出警訊,顯見對(duì)2013年景氣展望并不看好。
然而,盡管產(chǎn)業(yè)界對(duì)明年半導(dǎo)體市場(chǎng)成長(zhǎng)率抱持保守看法,但臺(tái)灣明年IC制造業(yè)成長(zhǎng)表現(xiàn)仍將優(yōu)于全球平均。根據(jù)工研院最新統(tǒng)計(jì)報(bào)告顯示,今年臺(tái)灣晶圓制造與記憶體制造產(chǎn)值分別為新臺(tái)幣6,467億元與1,793億元,占臺(tái)灣整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將近50.7%的產(chǎn)值,而明年產(chǎn)值比重分布隨著臺(tái)積電、聯(lián)電與世界先進(jìn)等晶圓業(yè)者的先進(jìn)制程產(chǎn)品線出貨量提升后,亦可望隨之攀升。
彭茂榮進(jìn)一步指出,尤其是臺(tái)積電今年晶圓產(chǎn)能正持續(xù)穩(wěn)健擴(kuò)張,加上該公司明年20納米即將量產(chǎn),可望爭(zhēng)取到蘋果下一代A7處理器等因素,皆將成為臺(tái)灣IC制造業(yè)明年成長(zhǎng)主要?jiǎng)幽堋?/p>
彭茂榮補(bǔ)充,臺(tái)積電為持續(xù)吸引客戶下單,并搶攻蘋果處理器訂單,2012年研發(fā)經(jīng)費(fèi)已為2009年的兩倍,而資本支出更是2009年的三倍。預(yù)估2013~2014年間,臺(tái)積電極有可能獲得A7處理器代工訂單,且將占整體營(yíng)收3?9%;三星(Samsung)掉單后,則將損失約30億美元的代工商機(jī)。
事實(shí)上,晶圓代工產(chǎn)業(yè)早已成為臺(tái)灣IC制造業(yè)最重要的骨干,而臺(tái)積電亦憑藉領(lǐng)先的制程技術(shù),正逐漸蠶食市場(chǎng)商機(jī)。彭茂榮分析,受惠于智慧型行動(dòng)裝置滲透率持續(xù)提升、IDM委外需求增加以及中國(guó)大陸IC設(shè)計(jì)業(yè)者代工需求增加等因素,臺(tái)積電未來4年的營(yíng)收年復(fù)合成長(zhǎng)率(CAGR)可望大于10%,將持續(xù)帶動(dòng)臺(tái)灣IC制造業(yè)產(chǎn)值再創(chuàng)佳績(jī)。
綜上所述,包括臺(tái)積電、聯(lián)電與格羅方德等晶圓制造業(yè)者正展開一場(chǎng)FinFET量產(chǎn)時(shí)程競(jìng)賽,預(yù)計(jì)明、后年晶圓代工市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)勢(shì)必更加劇烈,而行動(dòng)通訊晶片的效能亦可望藉此新制程技術(shù)而更上層樓,臺(tái)灣IC制造產(chǎn)值則將在臺(tái)積電與聯(lián)電帶領(lǐng)下持續(xù)擴(kuò)大。
評(píng)論