臺積、Altera合作55納米領(lǐng)域

 　　報系資料照上市股臺積電(2330)今與大客戶美商Altera公司共同宣布，在55納米嵌入式快閃存儲器技術(shù)領(lǐng)域攜手合作，Altera將采用臺積電的55納米嵌入式快閃存儲器制程技術(shù)生產(chǎn)可程序元件，廣泛支持汽車及工業(yè)等各類高銷售量、低功耗產(chǎn)品的應(yīng)用。在日前Altera宣布與英特爾合作14納米后，臺積電積極鞏固與Altera的長期合作關(guān)系再添一例。

　　臺積電全球業(yè)務(wù)暨營銷資深副總經(jīng)理陳俊圣表示，相較于前一世代的嵌入式快閃存儲器制程，臺積電55納米嵌入式快閃存儲器制程提供更快速的運算能力，芯片閘密度提高10倍，而且快閃存儲器及SRAM單位元尺寸縮小幅度分別達到70%及80%，Altera采用臺積電55納米嵌入式快閃存儲器制程生產(chǎn)的可程序元件能支持高銷售量應(yīng)用產(chǎn)品開發(fā)人員打造功能豐富的非揮發(fā)性系統(tǒng)。

　　Altera公司制程技術(shù)開發(fā)副總裁Reda Razouk表示，與臺積電的關(guān)系建立在共同承諾的基礎(chǔ)之上，致力于提供客戶最新的制程技術(shù)，在Altera的系列產(chǎn)品中增加55納米嵌入式快閃存儲器產(chǎn)品，將延續(xù)其所秉承的訂制策略，在制程技術(shù)、架構(gòu)、以及特殊應(yīng)用矽智財基礎(chǔ)上進行產(chǎn)品最佳化以滿足系統(tǒng)性能的需求。

　　陳俊圣表示，臺積電在55納米嵌入式快閃存儲器等技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)投入為Altera及其它客戶拓展更多商機，藉由相互謀合雙方在事業(yè)與技術(shù)上所追求的目標(biāo)，Altera公司進一步提升客戶產(chǎn)品的競爭力。

　　Altera過去20年都是臺積電的主要大客戶之一，惟今年2月卻與英特爾簽定協(xié)議，宣布其現(xiàn)場可程序邏輯閘陣列(FPGA)未來將采英特爾的14納米三閘晶體管技術(shù)，事后兩家公司雖強調(diào)合作伙伴關(guān)系不變，但引起臺積電遭搶單的疑慮。