超越臺積電 格羅方德稱2015推出10納米晶圓

　　晶圓代工廠格羅方德(Globalfoundries)技術(shù)長蘇比(SubiKengeri)日前來臺，喊出兩年內(nèi)將拿下晶圓代工技術(shù)龍頭，繼14納米XM明年量產(chǎn)，10納米2015年推出，此進度比臺積電領(lǐng)先兩年，也比英特爾2016年投入研發(fā)還領(lǐng)先一年。

　　格羅方德2009年由美商超微獨立而出，2010年并購前特許半導(dǎo)體，蘇比表示，2009年剛獨立時，公司僅是全球第四大晶圓代工廠，但憑著超微在處理器技術(shù)的設(shè)計能力，加上先前新加坡特許半導(dǎo)體在晶圓代工服務(wù)客戶經(jīng)驗，ICInsights統(tǒng)計，2012年公司躍進晶圓二哥，與臺積電同列晶圓雙雄。

　　公司企圖不只于此，蘇比看好行動裝置電子產(chǎn)品內(nèi)建芯片對晶圓先進制程的需求有高度成長，2011年到2016年，40納米以下先進制程的晶圓復(fù)合成長率有37%，到2016年產(chǎn)值將占全球晶圓代工比重高達60%。

　　為了搶攻這波行動商機，格羅方德去年推出14納米XM制程、2014年量產(chǎn)后，10納米2015年量產(chǎn)，兩種制程都導(dǎo)入鰭式晶體管(Finfet)。

　　格羅方德的10納米與14納米XM都是所謂的混合制程，例如14納米就是采用20納米的設(shè)備與設(shè)計工具做出線寬14納米的芯片，10納米就是運用14納米的設(shè)備與設(shè)計工具，制造線寬約當(dāng)10納米的芯片。

　　相較于臺積電不做14納米制程，而是推出16納米Finfet，蘇比說明，公司之所以作14納米，因為英特爾不斷進軍行動市場，公司的客戶感受到壓力。

　　格羅方德預(yù)計20納米下半年推出，與臺積電幾乎同步，公司12寸產(chǎn)能有德國德勒斯登的晶圓一廠(Fab1)與紐約八廠(Fab8)，各有4萬片與6萬片月產(chǎn)能，其中，F(xiàn)ab8將導(dǎo)入28納米以下最先進制程。