超越臺積電 格羅方德稱2015推出10納米晶圓

　　晶圓代工廠格羅方德(Globalfoundries)技術長蘇比(SubiKengeri)日前來臺，喊出兩年內將拿下晶圓代工技術龍頭，繼14納米XM明年量產，10納米2015年推出，此進度比臺積電領先兩年，也比英特爾2016年投入研發(fā)還領先一年。

　　格羅方德2009年由美商超微獨立而出，2010年并購前特許半導體，蘇比表示，2009年剛獨立時，公司僅是全球第四大晶圓代工廠，但憑著超微在處理器技術的設計能力，加上先前新加坡特許半導體在晶圓代工服務客戶經驗，ICInsights統(tǒng)計，2012年公司躍進晶圓二哥，與臺積電同列晶圓雙雄。

　　公司企圖不只于此，蘇比看好行動裝置電子產品內建芯片對晶圓先進制程的需求有高度成長，2011年到2016年，40納米以下先進制程的晶圓復合成長率有37%，到2016年產值將占全球晶圓代工比重高達60%。

　　為了搶攻這波行動商機，格羅方德去年推出14納米XM制程、2014年量產后，10納米2015年量產，兩種制程都導入鰭式晶體管(Finfet)。

　　格羅方德的10納米與14納米XM都是所謂的混合制程，例如14納米就是采用20納米的設備與設計工具做出線寬14納米的芯片，10納米就是運用14納米的設備與設計工具，制造線寬約當10納米的芯片。

　　相較于臺積電不做14納米制程，而是推出16納米Finfet，蘇比說明，公司之所以作14納米，因為英特爾不斷進軍行動市場，公司的客戶感受到壓力。

　　格羅方德預計20納米下半年推出，與臺積電幾乎同步，公司12寸產能有德國德勒斯登的晶圓一廠(Fab1)與紐約八廠(Fab8)，各有4萬片與6萬片月產能，其中，F(xiàn)ab8將導入28納米以下最先進制程。