一種新型的蓄電池充電技術(shù)研究
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時(shí)間：2011-07-25
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
要實(shí)現(xiàn)不對(duì)稱半橋的軟開(kāi)關(guān)，不對(duì)稱半橋的參數(shù)設(shè)計(jì)需要滿足以下2個(gè)條件，即：
式中：Zn為特性阻抗，
；D為開(kāi)關(guān)管Q1的占空比；C為開(kāi)關(guān)管Q1和Q2的寄生電容；ωk為諧振角頻率；Lk為變壓器初級(jí)漏感；I0為負(fù)載總電流；td為死區(qū)時(shí)間；n為變壓器初、次級(jí)匝比。2．2 驅(qū)動(dòng)電路
不對(duì)稱半橋驅(qū)動(dòng)電路，如圖3所示。驅(qū)動(dòng)集成芯片采用IR公司的IR2103，其輸出級(jí)作為推挽驅(qū)動(dòng)輸出，以直接耦合的方式與主電路的開(kāi)關(guān)管相連接，由HO和LO的輸出分別作為驅(qū)動(dòng)橋式電路的上、下橋臂。為了實(shí)現(xiàn)上橋臂驅(qū)動(dòng)電路的地電位與主電路的同步浮動(dòng)，采用由DB和CB組成的外接自舉電路。本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/178826.htm
二極管DB的耐壓決定式為：
式中：Uc為驅(qū)動(dòng)電源的電壓；Ud為不控整流輸出的電壓。DB的電流容量，JDm的決定式為：
式中：fs為器件開(kāi)關(guān)頻率；Qg為MOSFET柵荷。
評(píng)論