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東芝擴充碳化硅肖特基勢壘二極管系列

作者: 時間:2013-11-01 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  東京—公司(TOKYO:6502)日前宣布將擴充其650V(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列,為其現(xiàn)有的6A、8A和12A產(chǎn)品陣容中增添一款10A產(chǎn)品。該產(chǎn)品將于即日起批量交付。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/184934.htm

  SBD適用于多種應用,包括光伏發(fā)電系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)器。它們還可替代開關電源中的硅二極管,可省電50%(數(shù)據(jù))。

  即便以高電壓與大電流工作,SiC功率器件都會比現(xiàn)有的硅器件工作起來更穩(wěn)定,因為它們可大幅減少工作期間的熱損耗。它們可滿足業(yè)界對尺寸更小、效率更高的通信設備的多元化需求,其工業(yè)應用從服務器到反相器,一應俱全。

  新產(chǎn)品

  當前產(chǎn)品陣容



關鍵詞: 東芝 碳化硅

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