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華為如何評(píng)價(jià)最先量產(chǎn)16nm+工藝的麒麟950

—— 都在力挺自家處理器 看看華為如何評(píng)價(jià)最先量產(chǎn)16nm+工藝的麒麟950
作者: 時(shí)間:2016-03-09 來(lái)源:超能網(wǎng) 收藏
編者按:網(wǎng)友評(píng)論:驍龍820是這代手機(jī)芯片綜合實(shí)力最強(qiáng)的,盡管我們我不想承認(rèn),但我堅(jiān)信國(guó)產(chǎn)芯片會(huì)有超越別人的時(shí)候,就像我堅(jiān)信中國(guó)的發(fā)展會(huì)好的出乎意料,認(rèn)清眼前現(xiàn)實(shí),堅(jiān)持心中信仰不丟人,盲目自大和妄自菲薄才是。

  最近一段時(shí)間,圍繞國(guó)產(chǎn)的處理器及高通的驍龍820處理器產(chǎn)生了很多爭(zhēng)論,經(jīng)過(guò)K3V2、麒麟910、麒麟920及麒麟930系列處理器的洗禮,在處理器上已經(jīng)成熟起來(lái),這款處理器號(hào)稱三項(xiàng)世界第一——首個(gè)商用A72 CPU核心、首個(gè)16nm FinFET Plus工藝以及首個(gè)商用Mali-T880 GPU核心。不過(guò)在很多方面也很保守,GPU只有MP4四核,遠(yuǎn)低于三星Exynos 8890的MP12,基帶方面還停留在Cat6級(jí)別,也大幅落后驍龍820,ISP方面就更不如驍龍820了。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201603/288005.htm



  在此之前,國(guó)外權(quán)威網(wǎng)站Anandtech借著小米手機(jī)5簡(jiǎn)單比較了麒麟950與驍龍820的性能,初步測(cè)試顯示麒麟950的能效比很強(qiáng)大,甚至大幅領(lǐng)先驍龍820,部分CPU性能測(cè)試中也超越了驍龍820,只不過(guò)在GPU性能測(cè)試中麒麟950就遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如了,這點(diǎn)跟我們之前的分析是差不多的,麒麟950在GPU方面的保守使得其性能都沒(méi)有超過(guò)上代驍龍810的水平。

  如何評(píng)價(jià)麒麟950的技術(shù)水平?繼而引出了麒麟950處理器是否意味著國(guó)產(chǎn)手機(jī)處理器能達(dá)到甚至超越了國(guó)際一流水平的驍龍820/Exynos 8890處理器的問(wèn)題。最近這個(gè)話題在微博、微信及其他社交媒體上討論的很熱烈,嘲諷麒麟950不行的人有很多(不管是出于什么動(dòng)機(jī)),不過(guò)自發(fā)支持或者發(fā)動(dòng)的水軍勢(shì)力也不弱,雙方激烈斗爭(zhēng)了很多回合了。

  華為官方也在各路媒體出了很多文章引導(dǎo)輿論,前兩天在微博上發(fā)表了一篇長(zhǎng)文,解釋了華為手機(jī)是如何率先量產(chǎn)16nm FinFET Plus工藝的。雖然是官方軟文,不過(guò)很多內(nèi)容值得一看,介紹了處理器設(shè)計(jì)與生產(chǎn)之間的關(guān)系以及簡(jiǎn)單的處理器研發(fā)、制造流程。

  以下是華為手機(jī)的原文,大家可以參考下,也是個(gè)學(xué)習(xí)的過(guò)程。

  Mate8上搭載了華為自主研發(fā)的重磅級(jí)芯片麒麟950。是業(yè)界首款商用臺(tái)積電16nm FinFET Plus技術(shù)的SoC芯片。該技術(shù)相比20nm工藝,性能提升40%,功耗節(jié)省60%。那么為什么華為要選擇16nm FinFET Plus工藝呢?16nm FinFET Plus工藝是臺(tái)積電的技術(shù),要領(lǐng)先也是人家臺(tái)積電領(lǐng)先,跟你華為有什么關(guān)系?這樣領(lǐng)先的制造工藝,可以給你華為用,也可以給別的廠商用,華為有什么可領(lǐng)先的呢?下面就來(lái)為大家揭秘這其中的真相。

  ◆ 芯片工藝如何選擇 關(guān)鍵看能效比

  麒麟950為何要選擇16nm FinFET Plus工藝?畢竟在當(dāng)時(shí)16nm FinFET Plus工藝并不成熟也不穩(wěn)定,沒(méi)有量產(chǎn)的依據(jù)可循,投資還那么龐大。我們假設(shè)以28納米為基礎(chǔ),20納米用傳統(tǒng)的晶體管架構(gòu)走下去,集成度還OK,是28納米的1.9倍,但是功耗只能降到75%。而16nm FinFET技術(shù),正好解決了28nm以下的漏電問(wèn)題,功耗只有28nm的30%,性能可以提升兩倍。這是很完美的一個(gè)工藝。所以華為芯片做出了通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新突破瓶頸的選擇:開(kāi)始了16nm FinFET Plus工藝的技術(shù)突破之旅。


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