大陸發(fā)展存儲(chǔ)器大計(jì)三箭齊發(fā)　明年推首顆自制3D NAND芯片

　　大陸發(fā)展3D NAND、DRAM、NOR Flash存儲(chǔ)器大計(jì)正如火如荼地展開，初步分工將由長(zhǎng)江存儲(chǔ)負(fù)責(zé)3D NAND及DRAM生產(chǎn)，武漢新芯則專職NOR Flash和邏輯代工。2016年底長(zhǎng)江存儲(chǔ)將興建首座12吋廠，最快2017年底生產(chǎn)自制32層堆疊3D NAND芯片，盡管落后目前三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)技術(shù)約2個(gè)世代，然大陸終于將全面進(jìn)軍NAND Flash領(lǐng)域。

　　盡管大陸并未趕上NAND Flash存儲(chǔ)器世代，但在存儲(chǔ)器技術(shù)改朝換代之際，大陸直接切入新世代3D NAND技術(shù)，有機(jī)會(huì)另辟一片天。大陸有鑒于過去扶植晶圓代工產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn)，這次為讓存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)落地生根，采取集中資源生產(chǎn)策略，不僅避免資源分散，并杜絕惡性競(jìng)爭(zhēng)導(dǎo)致產(chǎn)能供過于求情況。

　　大陸過去有眾多地方政府和企業(yè)集團(tuán)爭(zhēng)取扮演存儲(chǔ)器生產(chǎn)中心角色，包括合肥市政府、中芯國(guó)際及京東方等，后來(lái)由武漢新芯出線，然隨著紫光集團(tuán)加入戰(zhàn)局，大陸原本以武漢新芯為主軸的存儲(chǔ)器發(fā)展大計(jì)，出現(xiàn)架構(gòu)性的改變。2016年紫光集團(tuán)與武漢新芯合資成立長(zhǎng)江存儲(chǔ)，武漢新芯成為長(zhǎng)江存儲(chǔ)旗下100%持股的子公司，并對(duì)于未來(lái)存儲(chǔ)器生產(chǎn)達(dá)成初步分工。

　　長(zhǎng)江存儲(chǔ)將主要負(fù)責(zé)3D NAND和DRAM生產(chǎn)制造，武漢新芯先前宣布動(dòng)工的12吋新廠，其實(shí)是隸屬于長(zhǎng)江存儲(chǔ)旗下，該座廠房分為三期，首期建設(shè)將于2016年底啟動(dòng)興建，第二期預(yù)計(jì)2018年完成興建，第三期在2019年完成，總規(guī)劃產(chǎn)能為單月30萬(wàn)片，總投資額240億美元。

　　長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)主要來(lái)自于飛索(Spansion)，飛索在2014年底賣給Cypress之后仍保持獨(dú)立營(yíng)運(yùn)，由于飛索過去與三星簽下Charge Trap技術(shù)授權(quán)合約，每年為飛索帶來(lái)豐厚的授權(quán)金，而Charge Trap正是3D NAND技術(shù)關(guān)鍵，大陸透過與飛索合作取得跨入3D NAND技術(shù)的門票。

　　長(zhǎng)江存儲(chǔ)規(guī)劃2017年底量產(chǎn)32層堆疊3D NAND芯片，這將是大陸首顆自制的3D NAND芯片，盡管相較于三星、東芝目前已量產(chǎn)64層堆疊技術(shù)，預(yù)計(jì)2017年底可進(jìn)入72層或96層技術(shù)，大陸3D NAND技術(shù)仍是約落后2個(gè)世代，但大陸在存儲(chǔ)器自制總算開始沖刺并醞釀超車。

　　至于武漢新芯未來(lái)將專職NOR Flash和邏輯代工業(yè)務(wù)，旗下12吋廠月產(chǎn)能約3萬(wàn)片，其中有超過2萬(wàn)片是生產(chǎn)NOR Flash芯片，主要客戶為飛索和北京創(chuàng)新兆易(GigaDevice)。目前武漢新芯在邏輯代工產(chǎn)能仍不大，主要客戶為已并入北京君正集成的CIS大廠豪威(OmniVision)?，F(xiàn)階段豪威CIS除了由臺(tái)積電生產(chǎn)，華力微和武漢新芯分別負(fù)責(zé)前段和后段制程。

　　事實(shí)上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)規(guī)劃終極月產(chǎn)能30萬(wàn)片，不僅生產(chǎn)3D NAND芯片，DRAM芯片亦是其中一環(huán)，業(yè)界認(rèn)為隨著美光解決購(gòu)并華亞科一案，以及完成讓南亞科入股事宜后，下一階段美光將與紫光建立策略聯(lián)盟，雙方將針對(duì)DRAM技術(shù)及產(chǎn)能進(jìn)行合作，因此，長(zhǎng)江存儲(chǔ)30萬(wàn)片月產(chǎn)能將包括DRAM產(chǎn)品。