為什么臺(tái)灣存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)會(huì)走向沒落！

　　存儲(chǔ)器要做出來并不難，美、日、韓、臺(tái)灣地區(qū)都可以，中國(guó)大陸也不可能例外。阻礙主要來自于如何覆蓋成本，工藝制程和良率的差距導(dǎo)致成本競(jìng)爭(zhēng)力不如對(duì)手，另外設(shè)備折舊更是占據(jù)生產(chǎn)成本的40%-50%。

　　可以想見，如果中國(guó)大陸存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)崛起速度過快，三星、SK海力士、美光，東芝等國(guó)際大廠必然會(huì)以價(jià)格戰(zhàn)來壓制。

　　本文將從產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)律、技術(shù)趨勢(shì)、產(chǎn)業(yè)政策等多方面分析我國(guó)臺(tái)灣地區(qū)發(fā)展存儲(chǔ)器的經(jīng)過和最終退出的原因。

　　事實(shí)上，臺(tái)灣地區(qū)在取得全球晶圓代工第一、封裝第一及IC設(shè)計(jì)第二的成績(jī)之后定下更加宏大的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)目標(biāo)：1、總產(chǎn)值要超過韓國(guó)，成為繼美國(guó)、日本之后的全球第三位;2、在未來三至五年中，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)要超過韓國(guó)，成為全球第一。

　　為什么以存儲(chǔ)器為突破口?

　　這是一個(gè)值得思考的好問題?；仡?0年代日本追趕美國(guó)，以及90年代韓國(guó)追趕日本，都是以存儲(chǔ)器作為突破口。原因是存儲(chǔ)器市場(chǎng)巨大、設(shè)計(jì)技術(shù)相對(duì)簡(jiǎn)單且易于擴(kuò)大市場(chǎng)份額。

　　韓國(guó)就是在6英寸晶圓廠過渡到8英寸晶圓廠的世代交替時(shí)，以9座8英寸晶圓廠的產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)，一舉取代日本廠商躍居全球DRAM產(chǎn)業(yè)第一的的寶座。

　　臺(tái)灣地區(qū)試圖以同樣的方法，希望在8英寸過渡到12英寸晶圓廠的世代交替時(shí)，以擁有全球最多的12英寸晶圓廠來取勝。結(jié)果臺(tái)灣并未成功，三星及SK海力士仍雄居全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)第一和第二的位置。

　　重投資策略未能奏效

　　半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)有個(gè)“潛規(guī)則”，只要舍得投資就有可能成功。例如臺(tái)灣地區(qū)半導(dǎo)體業(yè)在90年初代工模式剛興起時(shí)，年投資金額與年銷售額之比達(dá)60%以上。

　　根據(jù)此經(jīng)驗(yàn)，臺(tái)灣地區(qū)從2004年開始加速存儲(chǔ)器方面的投資。從2004至2008年，臺(tái)灣地區(qū)在存儲(chǔ)器方面的總投資達(dá)300億美元以上，擁有近20條12英寸晶圓生產(chǎn)線，位列全球第一，大大超出同期三星的投資。

　　但是最終并未因12英寸晶圓生產(chǎn)線多而取得勝利，隨后臺(tái)灣地區(qū)放棄存儲(chǔ)器追趕策略，轉(zhuǎn)向固守陣地。

　　臺(tái)灣DRAM與三星在投資方面的比較

　　原因初探

　　臺(tái)灣地區(qū)在存儲(chǔ)器方面重投資而未能奏效，原因是多方面的，也可以認(rèn)為臺(tái)灣地區(qū)在半導(dǎo)體策略上的一次重大失誤。據(jù)筆者觀察有以下三個(gè)主要原因：

　　首先，臺(tái)灣地區(qū)在發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)中主要采用代工模式，而代工模式在DRAM中以失敗告終。

　　眾所周知，在DRAM產(chǎn)業(yè)中有兩個(gè)趨勢(shì)已成為共識(shí)，一個(gè)是工藝制程轉(zhuǎn)變快，緊跟摩爾定律。另一個(gè)是月產(chǎn)能達(dá)15萬片的超級(jí)大廠盛行，投資高達(dá)50-80億美元。主要原因是出于運(yùn)營(yíng)成本的考慮，運(yùn)行3個(gè)5萬片晶圓廠的成本肯定高過一個(gè)15萬片晶圓廠。

　　按此理分析，代工廠的產(chǎn)能小，無法與IDM廠競(jìng)爭(zhēng)。當(dāng)產(chǎn)能足夠大時(shí)，一來代工廠擔(dān)心未來訂單不足而猶豫擴(kuò)充產(chǎn)能，同時(shí)那些IDM廠又擔(dān)心代工廠會(huì)與自己爭(zhēng)奪客戶。

　　另外，從根本上那些IDM廠也不可能把最先進(jìn)制程的產(chǎn)品交給代工廠。因此，代工模式在DRAM業(yè)中受到質(zhì)疑，中芯國(guó)際于2007年退出存儲(chǔ)器代工可能也是基于此理。

　　其次，臺(tái)灣地區(qū)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)中缺乏自有技術(shù)，過多的依賴于技術(shù)轉(zhuǎn)移。例如，此前力晶與爾必達(dá)，茂德與SK海力士及華亞科與奇夢(mèng)達(dá)(現(xiàn)在的美光)。臺(tái)灣地區(qū)廠商基本都沒自主技術(shù)，等于缺乏脊梁。

　　這也是臺(tái)灣地區(qū)存儲(chǔ)器追趕韓國(guó)失敗的主要原因。

　　最后，是全球存儲(chǔ)器的市場(chǎng)未能達(dá)到預(yù)期。當(dāng)時(shí)，幾乎2/3的新建或擴(kuò)充產(chǎn)能集中在存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)中，但需求端并沒有快速成長(zhǎng)，造成供過于求的局面，最終導(dǎo)致DRAM和NAND閃存價(jià)格的持續(xù)下跌完全超出市場(chǎng)預(yù)期。

　　臺(tái)灣地區(qū)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)經(jīng)過近5年努力，花費(fèi)300億美元以上的投資，結(jié)果未能超過韓國(guó)。一方面表明韓國(guó)在存儲(chǔ)器方面的實(shí)力之強(qiáng)大;另一方面也證明光靠花錢并不能解決問題。

　　任何策略都不可能簡(jiǎn)單地復(fù)制，任何成功都是由多個(gè)因素共同促成的。臺(tái)灣地區(qū)在半導(dǎo)體業(yè)總體上是成功的，但是此次存儲(chǔ)器之夢(mèng)未能實(shí)現(xiàn)。