內(nèi)存條漲價(jià)抬高國產(chǎn)手機(jī)成本 三星、美光成最大贏家

　　“2017年DRAM價(jià)格漲幅將達(dá)到39%”，ICInsights在2017年第三季度做出預(yù)計(jì)。當(dāng)下，以DRAM為代表的半導(dǎo)體存儲器在全球范圍內(nèi)掀起漲價(jià)潮。

　　DRAM作為半導(dǎo)體存儲器的產(chǎn)品類型之一，常見產(chǎn)品形態(tài)是內(nèi)存條，主要的兩個(gè)應(yīng)用市場是PC和智能手機(jī)。據(jù)京東商城官網(wǎng)顯示，金士頓DDR424008G臺式機(jī)內(nèi)存在半年內(nèi)價(jià)格從400元左右漲至800元左右，同時(shí)金立集團(tuán)董事長劉立榮在9月25日媒體交流會上稱，國產(chǎn)手機(jī)下半年仍會漲價(jià)，部分原因是內(nèi)存成本上升。

　　集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)的市場調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，2016年第4季DRAM嚴(yán)重供不應(yīng)求，帶動2017年第一季的合約價(jià)上漲超過30%，各類產(chǎn)品價(jià)格均上漲。

　　連續(xù)四個(gè)季度的DRAM漲價(jià)潮背后是仍在擴(kuò)大的供需缺口。一方面，國產(chǎn)品牌手機(jī)出貨量持續(xù)增長至2017下半年達(dá)到高潮，另一方面，上游制造商三星電子(SSNLF)、SK海力士(000660.KR)、美光科技(MU)對市場具有長期壟斷地位且掌握市場定價(jià)權(quán)，根據(jù)trendforce的數(shù)據(jù)，截至2016年三季度三大廠DRAM市場份額總和約占全球市場94%。

　　國產(chǎn)手機(jī)開始漲價(jià)

　　內(nèi)存作為智能手機(jī)核心硬件之一，一直以來依賴進(jìn)口。據(jù)一位長期跟蹤半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的證券分析師稱，存儲器作為一種根據(jù)庫存、需求、產(chǎn)能因素變化而具有明顯周期性的行業(yè)，這一輪漲價(jià)大幅增加了國產(chǎn)智能手機(jī)和PC廠商的成本，特別是存儲器成本占比相對較高的中低端智能手機(jī)，侵蝕了競爭激烈、利潤微薄的智能手機(jī)產(chǎn)業(yè)，PC廠商則面臨PC出貨下滑與存儲器供給嚴(yán)重不足的雙重壓力。當(dāng)下，目前部分智能手機(jī)已經(jīng)漲價(jià)，幅度在100~500元不等。

　　至9月12日蘋果發(fā)布88-90%屏占比的iphoneX后，這場自今年下半年開始在國內(nèi)全面打響的手機(jī)全面屏之戰(zhàn)進(jìn)入高潮。

　　金立集團(tuán)是參與者之一，“手機(jī)廠家的成本一直在漲”，9月25日推出了新一代全面屏手機(jī)產(chǎn)品M7的金立集團(tuán)董事長劉立榮在媒體交流會上稱，當(dāng)下內(nèi)存產(chǎn)能已經(jīng)跟不上需求，漲價(jià)已經(jīng)成為一種必然，雖然金立公司堅(jiān)持使用6GB內(nèi)存且沒有抬高手機(jī)價(jià)格，但從手機(jī)市場行情來有漲價(jià)趨勢。上述分析師稱，目前智能手機(jī)內(nèi)存容量為2G~8G，同一個(gè)廠家推出的同一款智能手機(jī)僅僅因?yàn)榇鎯ζ魅萘康牟煌瑑r(jià)格可能相差數(shù)百元到一兩千元。

　　三星、美光成最大贏家

　　DRAM市場格局仍以三星電子、美光科技、SK海力士三大寡頭競爭為主，根據(jù)trendforce的數(shù)據(jù)，三家企業(yè)分別占據(jù)市場份額50.2%。

　　7月7日，三星電子發(fā)布的二季度業(yè)績展望報(bào)告顯示，營業(yè)利潤創(chuàng)5年來季度利潤新高，同比增長近72%達(dá)到14萬億韓元 (約合121億美元)。集團(tuán)在業(yè)績展望中稱業(yè)績受到芯片業(yè)務(wù)強(qiáng)勁表現(xiàn)的提振。

　　9月27日，美光科技發(fā)布的第四財(cái)季度創(chuàng)下的61.4億美元營收超越了華爾街分析師預(yù)期，比同期增長91%。其中DRAM產(chǎn)品銷售增長5%，由于DRAM產(chǎn)品利潤率增長，該季度毛利率為50.7%。

　　漲價(jià)背后也和三大廠供給收縮有關(guān)。當(dāng)下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷一場技術(shù)迭代升級，即2DNANDFlash(二維閃存)轉(zhuǎn)移至3DNANDFlash(三維閃存)，三大廠紛紛進(jìn)入閃存迭代升級的產(chǎn)線建設(shè)同時(shí)，對于DRAM的開發(fā)和資本投入方面相對保守。上述分析師表示，預(yù)計(jì)到2018年，隨著3DNANDFlash產(chǎn)能和良率不斷提升以及新增產(chǎn)能陸續(xù)投產(chǎn)，存儲器供應(yīng)緊張局面有望緩解。