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三星推11納米FinFET,宣布7nm將全面導(dǎo)入EUV

作者: 時(shí)間:2017-10-07 來(lái)源:technews 收藏

  隨著臺(tái)積電宣布全世界第一個(gè) 3 奈米制程的建廠計(jì)劃落腳臺(tái)灣南科之后,10 奈米以下個(gè)位數(shù)制程技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)就正式進(jìn)入白熱化的階段。 臺(tái)積電的對(duì)手 29 日也宣布,將開(kāi)始導(dǎo)入 11 奈米的 ,預(yù)計(jì)在 2018 年正式投產(chǎn)之外,也宣布將在新一代的 7 奈米制程上全面采用 EUV 極紫外線光刻設(shè)備。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201710/365089.htm

  根據(jù)表示,11 奈米 制程技術(shù)「11LPP (Low Power Plus)」是現(xiàn)今 14 奈米和 10 奈米制程的融合,一方面采用 10 奈米制程 BEOL (后端制程),可以大大縮小芯片面積。 另一方面,也沿用 14 奈米 LPP 制程的部分元素。 未來(lái),的 11LPP 制程技術(shù)將填補(bǔ) 14 奈米與、10 奈米制程之間的空白,號(hào)稱可在同等晶體管數(shù)量和功耗下,比 14LPP 制程技術(shù)提升 15% 的性能,或者降低 10% 的功耗。 另外,還可以使得晶體管的密度也有所提升。

  至于,三星于 2016 年 10 月開(kāi)始投產(chǎn) 10 奈米制程技術(shù)「10LPE (10nm Low Power Early)」。 而目前已經(jīng)完成研發(fā),達(dá)到即將投產(chǎn)的下一代「10LPP (10nm Low Power Plus)」?fàn)顟B(tài),主要將可協(xié)助生產(chǎn)更高規(guī)格的智能型手機(jī)芯片。 而三星的 14 奈米制程技術(shù)部分,則將以主流、低功耗和緊致型的芯片生產(chǎn)為主。 目前,三星還在積極開(kāi)發(fā)增加新一代的 14LPU、10LPU 制程版本。

  另外,三星還表示,未來(lái)還一路準(zhǔn)備了 9 奈米、8 奈米、7 奈米、6 奈米、5 奈米制程技術(shù),其中 7 奈米的 7LPP 版本還將會(huì)全面加入 EUV 極紫外光刻設(shè)備制程,而且確認(rèn)將在 2018 年下半年試產(chǎn)。 不過(guò),也另有報(bào)導(dǎo)表示,在那之前的 2018 年上半年,三星會(huì)首先在 8LPP 制程的特定制程上開(kāi)始使用 EUV。

 

  三星指出,2014 年以來(lái),已經(jīng)使用 EUV 技術(shù)處理了接近 20 萬(wàn)片晶圓,并取得了豐碩成果。 比如 256Mb SRAM 的產(chǎn)品良率已經(jīng)達(dá)到了 80%。 而也因?yàn)槿怯芯A代工,DRAM,NAND Flash 的制造與生產(chǎn)能力,又在內(nèi)存產(chǎn)品的市占率上獨(dú)占鰲頭。 使得,三星具有雄厚的本錢(qián)可以使用 EUV 的設(shè)備。 但是,這也使得其他競(jìng)爭(zhēng)廠商產(chǎn)生龐大的成本壓力。 因?yàn)椋?EUV 的價(jià)值不斐,要能夠有效率的應(yīng)用以增加收入,這對(duì)其他內(nèi)存廠商來(lái)說(shuō)是一件具備壓力的事情。



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