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繼三星和SK海力士之后,美光攻克GDDR6顯存

作者: 時間:2018-01-26 來源:快科技 收藏

  三星電子、SK海力士之后,今天也宣布了自己的顯存方案,但和其他兩家有明顯不同。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201801/374945.htm

  首先,并不是自己單干,而是集結(jié)了幾位合作伙伴,自己出存儲顆粒,Rambus提供物理層,Northwest Logic負(fù)責(zé)控制器,Avery Design搞定驗(yàn)證IP。

  Rambus曾經(jīng)是內(nèi)存行業(yè)臭名昭著的“專利流氓”,四處控告其他科技公司侵犯其專利,搞得雞犬不寧,不過單就技術(shù)而言,Rambus也確實(shí)很有兩把刷子。

  這次他們提供的物理層兼容行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),可滿足ASIC、SoC布局需求,速度支持12Gbps、14Gbps、16Gbps,兩個16位通道高最大帶寬512Gbps。

  

三星電子、SK海力士之后,美光攻克GDDR6顯存

 

  從官網(wǎng)刊出的規(guī)格表中可以看到,美光GDDR6只有8Gb(1GB)容量一種版本,電壓也分為1.35V、1.25V,前者對應(yīng)速率14/13/12Gbps,后者對應(yīng)12/10Gbps,和SK海力士的有些類似,都不如三星電子。

  不過美光表示,他們的GDDR6顯存不僅僅適用于傳統(tǒng)顯卡,還可滿足高性能網(wǎng)絡(luò)、自動駕駛、AI人工智能、5G通信基礎(chǔ)架構(gòu)等更多領(lǐng)域的需求。

  這也是他們聯(lián)合多家企業(yè)共同設(shè)計(jì)的主要原因,擴(kuò)大GDDR6的覆蓋范圍。

  美光GDDR6目前已經(jīng)試產(chǎn),今年第一季度量產(chǎn)。



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