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功率半導(dǎo)體氧化鎵到底是什么

作者: 時間:2018-12-26 來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察 收藏

  α-Ga2O3

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201812/396056.htm

  2018年初,電裝與FLOSFIA公司決定共同開發(fā)面向車載應(yīng)用的新一代材料——α-Ga2O3。

  α-Ga2O3是京都大學(xué)藤田靜雄教授全球首次開發(fā)成功的單結(jié)晶合成材料,可用于電動車的轉(zhuǎn)換器,能實現(xiàn)低功耗、低成本、小型輕量化。

  FLOSFIA是于2011年由京都大學(xué)發(fā)起成立的一家合資公司。致力于α-Ga2O3研發(fā)。2015年發(fā)表了世界最小的導(dǎo)通電阻0.1mΩcm2 SBD(Schottky Barrier Diode)試制數(shù)據(jù),2016年成功研制了新型P型半導(dǎo)體α-Ir2O3。

  MOSFET

  今年早些時候,布法羅大學(xué)(UB)工程與應(yīng)用科學(xué)學(xué)院電氣工程副教授Uttam Singisetti博士和他的學(xué)生制造了一個厚度為5微米、由制成的MOSFET。

  研究人員表示,該晶體管的擊穿電壓為1,850 V,比氧化鎵半導(dǎo)體的記錄增加了一倍多。擊穿電壓是將材料(在這種情況下為氧化鎵)從絕緣體轉(zhuǎn)換為導(dǎo)體所需的電量。擊穿電壓越高,器件可以處理的功率越高。

  Singisetti表示,由于晶體管的尺寸相對較大,因此不適合智能手機和其他小型設(shè)備。但它可能有助于調(diào)節(jié)大規(guī)模運營中的能量流,例如收獲太陽能和風(fēng)能的發(fā)電廠,以及電動汽車、火車和飛機等。

  但是,該研究還需要深入下去,以解決其導(dǎo)熱性差的缺點。

  縱向Ga2O3功率器件

  近期,日本情報通信研究機構(gòu)(NICT)與東京農(nóng)工大學(xué)(TUAT)演示了一種“縱向的”氧化鎵MOSFET,它采用“全離子注入( all-ion-implanted )”工藝進行N型與P型摻雜,為低成本、高可制造性的Ga2O3 功率電子器件鋪路。

  過去幾年來,Ga2O3 晶體管的開發(fā)集中于研究橫向幾何結(jié)構(gòu)。然而,由于器件面積較大、發(fā)熱帶來的可靠性問題、表面不穩(wěn)定性,橫向器件不容易經(jīng)受住許多應(yīng)用所需的高電流與高電壓的考驗。

  相比而言,縱向幾何結(jié)構(gòu)能以更高的電流驅(qū)動,不必增加芯片尺寸,從而簡化了熱管理。縱向晶體管開關(guān)的特性,是通過向半導(dǎo)體中引入兩種雜質(zhì)(摻雜劑)來設(shè)計的。開關(guān)“打開”時,N型摻雜,提供移動的載流子(電子),用于攜帶電流;開關(guān)“關(guān)閉”時,P型摻雜,會啟動電壓阻斷。

  Masataka Higashiwaki 領(lǐng)導(dǎo)的 NICT 科研小組率先在 Ga2O3 器件中使用硅作為N型摻雜劑,但是科學(xué)界長期以來一直在為找到一種合適的P型摻雜劑而努力。今年早些時候,同一科研小組,公布了用氮(N)作為P型摻雜劑的可行性。他們最新的成果包括首次通過高能量摻雜劑引入工藝,即所謂的“離子注入”,整合硅與氮摻雜,設(shè)計出一個 Ga2O3 晶體管。

  據(jù)悉,縱向功率器件可以實現(xiàn)超過100A的電流和超過1kV的電壓,這樣的結(jié)合是許多應(yīng)用所要求的,特別是電力工業(yè)和汽車電力系統(tǒng)所需要的。

  熱管理方法研究

  近期,美國佛羅里達大學(xué)、美國海軍研究實驗室和韓國大學(xué)的研究人員也在研究氧化鎵MOSFET。佛羅里達大學(xué)材料科學(xué)與工程教授Stephen Pearton表示,它們正在研究氧化鎵作為MOSFET的發(fā)展?jié)摿?。傳統(tǒng)上,這些微型電子開關(guān)由硅制成,用于筆記本電腦、智能手機和其他電子產(chǎn)品。對于像電動汽車充電站這樣的系統(tǒng),我們需要能夠在比硅基器件更高的功率水平下工作的MOSFET,而氧化鎵可能就是解決方案。為了實現(xiàn)這些先進的MOSFET,該團隊確定了需要改進柵極電介質(zhì),以及更有效地從器件中釋放熱量的熱管理方法。

  結(jié)語

  氧化鎵是一種新興的材料,其禁帶寬度大于硅,氮化鎵和碳化硅,在高功率應(yīng)用領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢愈加明顯。但氧化鎵不會取代SiC和GaN,后兩者是硅之后的下一代主要半導(dǎo)體材料。

  氧化鎵更有可能在擴展超寬禁帶系統(tǒng)可用的功率和電壓范圍方面發(fā)揮作用。而最有希望的應(yīng)用可能是電力調(diào)節(jié)和配電系統(tǒng)中的高壓整流器,如電動汽車和光伏太陽能系統(tǒng)。

  但是,在成為電力電子產(chǎn)品的主要競爭者之前,氧化鎵仍需要開展更多的研發(fā)和推進工作,以克服自身的不足。


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