新聞中心

EEPW首頁 > 業(yè)界動態(tài) > 1萬億次寫入壽命 傳三星1Gb eMRAM內(nèi)存良率已達90%

1萬億次寫入壽命 傳三星1Gb eMRAM內(nèi)存良率已達90%

作者:憲瑞 時間:2019-12-31 來源:快科技 收藏

今年3月份,宣布全球第一家商業(yè)化規(guī)模量產(chǎn)eMRAM(嵌入式磁阻),基于28nm FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)成熟工藝,容量8Mb,可廣泛應(yīng)用于MCU微控制器、IoT物聯(lián)網(wǎng)、AI人工智能領(lǐng)域。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201912/408800.htm

MRAM是一種非易失性存儲,其前景被廣泛看好,Intel、IBM、TDK、、希捷等行業(yè)巨頭多年來一直都在研究,讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM等傳統(tǒng),當同時又是非易失性的,也就是可以斷電保存數(shù)據(jù),綜合了傳統(tǒng)內(nèi)存、的有點。

量產(chǎn)的eMRAM內(nèi)存是基于磁阻的存儲,擴展性非常好,在非易失性、隨機訪問、壽命耐久性等方面也遠勝傳統(tǒng)RAM。由于不需要在寫入數(shù)據(jù)前進行擦除循環(huán),eMRAM的寫入速度可以達到eFlash的大約一千倍,而且電壓、功耗低得多,待機狀態(tài)下完全不會耗電,因此能效極高。

在8Mb eMRAM內(nèi)存之后,三星最近已經(jīng)開始生產(chǎn)1Gb容量的eMRAM內(nèi)存,依然使用了28nm FD-SOI工藝,最新良率已經(jīng)達到了90%,使得eMRAM內(nèi)存實用性大大提升。

盡管1Gb的容量、性能依然遠不如現(xiàn)在的內(nèi)存及,但是eMRAM內(nèi)存超強的壽命、可靠性是其他產(chǎn)品不具備的,這款eMRAM內(nèi)存在105°C高溫下依然能夠擦寫1億次,85°C高溫下壽命高達100億次。

如果不是那么苛刻的溫度環(huán)境,而是日常使用環(huán)境,那么eMRAM內(nèi)存的擦寫次數(shù)高達1萬億次,已經(jīng)沒可能寫死了。

1萬億次寫入壽命 傳三星1Gb eMRAM內(nèi)存良率已達90%



關(guān)鍵詞: 三星 內(nèi)存 閃存

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉