三星率先為DRAM芯片導(dǎo)入EUV：明年將用于DDR5/LPDDR5大規(guī)模量產(chǎn)
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當(dāng)前在芯片制造中最先進的EUV（極紫外光刻）工藝被三星率先用到了DRAM內(nèi)存顆粒的生產(chǎn)中。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/202003/411342.htm這家韓國巨頭今日宣布，已經(jīng)出貨100萬第一代10nm EUV級（D1x）DDR4 DRAM模組，并完成全球客戶評估，這為今后高端PC、手機、企業(yè)級服務(wù)器等應(yīng)用領(lǐng)域開啟新大門。
得益于EUV技術(shù)，可以在精度更高的光刻中減少多次圖案化的重復(fù)步驟，并進一步提升產(chǎn)能。
三星表示，將從第四代10nm級（D1a）DRAM或高端級14nm級DRAM開始全面導(dǎo)入EUV，明年基于D1a大規(guī)模量產(chǎn)DDR5和LPDDR5內(nèi)存芯片，預(yù)計會使12英寸晶圓的生產(chǎn)率翻番。
不過，目前支持DDR5的PC平臺尚未亮相，LPDDR5倒是已經(jīng)逐漸鋪開。三星量產(chǎn)的第一代EUV DDR5 DRAM單芯片容量為16Gb（2GB），地點是平澤市的V2線。
根據(jù)三星此前的預(yù)判，EUV將幫助公司至少推進到3nm尺度。
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