美光公布存儲最新路線圖

存儲器大廠美光近期公布最新路線圖，包括DDR5、GDDR7和HBM4E存儲器技術，其中GDDR7正好趕上明年底下一代英偉達GPU芯片。

美光最新路線圖延長至2028年，比7月發(fā)布時延長兩年，內(nèi)容也調(diào)整過，增加幾款新產(chǎn)品。美光目前第二代HBM3運行速度為1.2TB/s，為8層堆疊，預計2026年推出12和16層堆疊的HBM4，帶寬超過1.5TB/s；到2027~2028年，將發(fā)布12層和16層堆疊的HBM4E，帶寬可達2TB/s以上。

至于GDDR7上市時間有些改變，從2024上半年延后到年底，與目前最快的GDDR6X模組（最高容量為16Gb，帶寬為24Gb/s）相比，容量和帶寬都提高。首批GDDR7容量提高至24Gb，帶寬為32Gb/s；到2026年下半年，會推出更快的GDDR7，帶寬和容量將增至36Gb/s。

英偉達曾表示Blackwell將于2025年面世，而英偉達下一代GeForce RTX50系列有望使用美光GDDR7存儲器。

DDR5存儲器部分，美光為消費者和數(shù)據(jù)中心設定不同的產(chǎn)品線，計畫基礎是新32Gb單體設計。這種高容量模組將應用于128GB DDR5-8000內(nèi)存條，一直延伸至2026年供桌機用戶使用。

同時美光還開發(fā)用于服務器的MCRDIMM產(chǎn)品，速度為8000MT/s。這種設計的巔峰將是2025年底推出的256GB內(nèi)存條，運行速度為12800Mb/s。

在移動領域部分，美光將在2024年底采用DellCAMM標準，焦點似乎在提高容量而非帶寬，公司也表示將在2026年前使用8533Mb/s速率的內(nèi)存條。第一代設計每條將提供16GB至128GB容量，到2026下半年，每個模組容量將增至192GB或更高。