三星8層堆疊HBM3E已通過英偉達所有測試,預(yù)計今年底開始交付
三星去年10月就向英偉達提供了8層垂直堆疊的HBM3E(24GB)樣品,不過一直沒有通過英偉達的測試。此前有報道稱,已從多家供應(yīng)鏈廠商了解到,三星的HBM3E很快會獲得認證,將在2024年第三季度開始發(fā)貨。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202408/461826.htm據(jù)The Japan Times報道,三星的HBM3E終于通過了英偉達的所有測試項目,這將有利于其與SK海力士和美光爭奪英偉達計算卡所需要的HBM3E芯片訂單。雖然三星和英偉達還沒有最終確定供應(yīng)協(xié)議,但是問題不大,預(yù)計今年底開始交付。
值得一提的是,三星還有更先進的12層垂直堆疊HBM3E(32GB)樣品,正在努力通過英偉達的驗證測試。有行業(yè)專業(yè)指出,SK海力士也準備了12層垂直堆疊的HBM3E產(chǎn)品,三星總體進度上仍然要落后一些。SK海力士一直是英偉達主要的HBM產(chǎn)品供應(yīng)商,而美光之前已開始向英偉達供應(yīng)HBM3E芯片,逐漸提升了市場占有率。
隨著人工智能(AI)市場的快速增長,HBM技術(shù)通過垂直堆疊多個DRAM芯片來顯著提高數(shù)據(jù)處理速度,已經(jīng)變得越來越重要。隨著三星的HBM3E開始通過英偉達的驗證,預(yù)計至少20%到30%的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到HBM產(chǎn)品,這將進一步收縮普通DRAM芯片的供應(yīng),很可能會推動DDR5內(nèi)存價格上漲。
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