內(nèi)存市場翻身 封測廠華東否極泰來
記憶體專業(yè)封測廠華東科技總經(jīng)理于鴻祺指出,內(nèi)存歷經(jīng)前幾年的大洗牌后市況大翻身,從2013年開始,無論是標準型DRAM或特殊型如MobileDRAM均呈現(xiàn)價揚走勢,而NANDFlash的需求也穩(wěn)健成長,預(yù)估2014年對華東將是否極泰來的一年,今年營收可望微幅成長,而毛利則將持穩(wěn)在10~15%之間。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/233831.htm于鴻祺指出,內(nèi)存市場轉(zhuǎn)為寡占,已經(jīng)是眾所皆知的事情,DRAM市場上僅存的主要廠商,其中約有90%以上由三星電子(SamsungElectronics)、美光(Micron)和SK海力士(SKHynix)三大廠商所囊括,比重分別為39.1%、28.7%、23.8%;至于NANDFlash市場也只剩三星電子、東芝(Toshiba)、美光、SK海力士、英特爾(Intel)五個主要玩家。
觀察近2年的內(nèi)存價量走勢,DRAM的成長已經(jīng)歷經(jīng)第5季的成長,其中受到內(nèi)存供給逐漸穩(wěn)定,標準型DRAM均價(ASP)降幅已經(jīng)受到控制,而MobileDRAM市場正當紅,儼然成為市場主流,內(nèi)存價量均翻揚下,預(yù)估2014年將是DRAM產(chǎn)業(yè)翻身的一年。
然而觀察到NAND的價格雖然在過去半年以來持續(xù)下滑,在2013年上半多數(shù)人預(yù)期三星西安廠的制程開出、產(chǎn)量將增加,但市場的應(yīng)用面沒有以同樣的速率增加,使得NAND產(chǎn)品的價量遠低于市場原本的期待。
展望2014年,整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)將聚焦于網(wǎng)通應(yīng)用和便攜設(shè)備產(chǎn)品,雖然高階智能型手機、平板計算機趨緩,但是中低階市場足以支撐內(nèi)存市場的成長。
據(jù)研調(diào)統(tǒng)計,智能型手機、平板計算機和服務(wù)器應(yīng)用于2014年的年增率分別達到39%、22%和9%,便攜設(shè)備持續(xù)貢獻整體市場的成長,初估2017年可以到20億以上的裝置數(shù)量,勢必將帶動DRAM和NANDFlash的使用量大幅攀升。
另一方面,物聯(lián)網(wǎng)(InternetofThings;IoT)也是未來5~10年內(nèi)不可忽視的大趨勢,據(jù)研調(diào)機構(gòu)統(tǒng)計,物聯(lián)網(wǎng)的商機將帶動裝置量于2020年攀上250億元,而其中定義為特殊型內(nèi)存的角色將更為吃重。
以產(chǎn)品規(guī)格演進來看,基于耗電、速度、I/O數(shù)量規(guī)格的不同,以往MobileDRAM多屬于客制化規(guī)格,目前一支手機的內(nèi)存已經(jīng)大幅超過PC的含量,Android陣營普遍達到2Gb~4Gb的容量,封裝端采取MCP技術(shù),而隨著手機帶動整體需求,MobileDRAM規(guī)格、制程也趨向標準化。
而2014年值得注意的是趨勢就是大尺寸平板計算機將逐漸成為主流,樹立便攜設(shè)備的分水嶺,而大尺寸平板產(chǎn)品也將進一步侵蝕NB既有市場,這將是驅(qū)使DRAM產(chǎn)業(yè)質(zhì)變的因素之一。
于鴻祺強調(diào),隨著洗牌動作告一段落,觀察2014年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的市況可望更形穩(wěn)健,甚至比競爭激烈的行動應(yīng)用處理器(AP)市場更為穩(wěn)定,內(nèi)存未來的成長空間可期。
華東預(yù)計未來數(shù)年間,中低階行動裝置應(yīng)用將成為華東及內(nèi)存客戶的重要成長動能,而隨著內(nèi)存主要客戶紛紛轉(zhuǎn)向25nm以下世代的先進制程,華東也將持續(xù)配合客戶的步調(diào)進行封測端的布局。
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