利用觸發(fā)同步源表進(jìn)行VCSEL測(cè)試

垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）正在逐步代替?zhèn)鹘y(tǒng)的邊發(fā)射激光器，特別是成本因素特別重要的低帶寬和短距通信系統(tǒng)中。邊發(fā)射激光器在測(cè)試之前必須從晶圓上切割下來，并磨光邊沿，而VCSEL廠家可以在晶圓級(jí)測(cè)試其器件。

光強(qiáng)度（L）－電流（I）－電壓（V）掃描是確定VCSEL工作特性而進(jìn)行的一系列測(cè)量。LIV測(cè)試需要有斜波電流通過VCSEL，并利用光電探測(cè)器（PD）測(cè)量產(chǎn)生的光輸出。
圖 7?29所示為一個(gè)簡(jiǎn)單的晶圓級(jí)測(cè)試系統(tǒng)。使用了兩臺(tái)2400型源表。一個(gè)晶圓探針通過一塊探針卡電氣連接到每個(gè)器件。探針臺(tái)也將光探測(cè)器定位到器件的正上方。當(dāng)來自VCSEL的光照射到反向偏壓的PD時(shí)，漏流將增大。漏流的幅值與照射到有源區(qū)的光密度相關(guān)聯(lián)。

圖 7?29 VCSEL的晶圓級(jí)測(cè)試

切換配置

如果探針卡能同時(shí)連接多個(gè)器件，那么就可以利用如圖 7?30所示的系統(tǒng)，在探針卡每次連接到晶圓時(shí)同時(shí)測(cè)試所有的器件。

選擇個(gè)體VCSEL進(jìn)行測(cè)試，該VCSEL的相應(yīng)繼電器被閉合，并利用PD來檢查光密度。源表首先進(jìn)行必要的直流測(cè)試，例如正向偏壓、反向擊穿電壓和漏流。然后強(qiáng)加足夠的電流照射VCSEL，第二塊2400測(cè)量PD增加的漏泄。在完成該項(xiàng)測(cè)試后，則選擇下一個(gè)器件的切換通道。

根據(jù)測(cè)試規(guī)范的電流靈敏度要求，可利用2400或6517A測(cè)量PD。2400可用于測(cè)量大約10nA的電流，而6517A則能可靠測(cè)量小于10fA的電流。

7011型多路選通卡的偏移電流技術(shù)指標(biāo)為100pA，可能會(huì)超過測(cè)試系統(tǒng)的允許誤差。代之以7158型小電流掃描卡可把偏移值降低至1pA。注意，由于小電流開關(guān)卡僅有10個(gè)通道用于掃描，所以使用小電流開關(guān)卡將降低系統(tǒng)中可用通道的數(shù)量。