三星半導(dǎo)體設(shè)備投資傳明年微幅加碼，擬加蓋 NAND 廠

　　韓國(guó)時(shí)報(bào)(Korea Times)15 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，三星電子明年將投資半導(dǎo)體設(shè)備 13.5 兆韓圜，或相當(dāng)于 120 億美元，稍高于今年的 13 兆韓圜。

　　全球記憶體晶片市場(chǎng)目前由三星、SK 海力士與美光所把持，三大廠市占率合計(jì)來(lái)到 93%。知情人士消息指出，三星并不打算大幅增加設(shè)備資本支出的主要考量是明年策略將放在維持價(jià)格穩(wěn)定與市場(chǎng)供需平衡。

　　據(jù)報(bào)導(dǎo)，三星看準(zhǔn)儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)的市場(chǎng)需求有望增加，因此考慮明年在大陸西安開設(shè)新廠房。除此之外，有鑒于 DRAM 的需求平穩(wěn)，三星也可能增加投資南韓國(guó)內(nèi)的 17 線廠。

　　在邏輯晶片方面，報(bào)導(dǎo)還指出，三星的 14 奈米 FinFET 制程技術(shù)已贏得蘋果下一代 A9 處理器大部分訂單，并且將臺(tái)積電打入第二線供應(yīng)商。南韓《電子時(shí)報(bào) (ETNews)》12 日引述業(yè)界消息也作出同樣的報(bào)導(dǎo)。