高容量SSD揭幕 美光、東芝、新帝搶進(jìn)128Gb TLC芯片
美光(Micron)、東芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)旗下16納米和15納米制程不但放量,生產(chǎn)藍(lán)圖也朝128Gb容量TLC型NAND Flash芯片規(guī)劃,帶動(dòng)整個(gè)大容量固態(tài)硬碟(SSD)商機(jī)大爆發(fā)。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/275326.htm美光宣示,16納米制程的TLC型NAND Flash芯片正式進(jìn)入量產(chǎn),將是2015年消費(fèi)性產(chǎn)品的主力零組件;再者,東芝和新帝的15納米制程在生產(chǎn)初期頻傳出良率不佳,也傳出新帝因此遭到蘋果(Apple)從供應(yīng)商中剔除,但經(jīng)過(guò)1~2季努力,15納米制程已上軌道,目前已先在自家產(chǎn)品中采用,預(yù)計(jì)第3季可大量供應(yīng)給客戶做生產(chǎn)。
美光、東芝、新帝的16納米和15納米制程N(yùn)AND Flash芯片規(guī)劃,都以128Gb容量TLC型NAND Flash芯片,取代過(guò)去的64Gb芯片,這也象征大容量SSD時(shí)代來(lái)臨。
美光16納米制程的TLC型NAND Flash芯片已獲得多家合作伙伴導(dǎo)入和技術(shù)支援,包括創(chuàng)見(jiàn)、慧榮和希捷(Seagate)。
美光儲(chǔ)存事業(yè)部行銷總監(jiān)Kevin Kilbuck表示,16納米TLC型NAND Flash技術(shù)可滿足市場(chǎng)對(duì)于可靠的高容量?jī)?chǔ)存裝置持續(xù)提升的需求,將是2015年消費(fèi)性應(yīng)用的最佳解決方案,2016年將朝生產(chǎn)3D NAND型的TLC芯片邁進(jìn)。
據(jù)美光藍(lán)圖規(guī)劃,目前美光生產(chǎn)的NAND Flash芯片中,采用16納米制程技術(shù)的比重超過(guò)50%,包含SLC/MLC/TLC型NAND Flash芯片,預(yù)計(jì) 2015年第4季將量產(chǎn)3D NAND技術(shù),新加坡廠將是3D NAND生產(chǎn)基地,日前也投資40億美元強(qiáng)化技術(shù)。
美光指出,新TLC型NAND是使用16納米制程技術(shù),可用在隨身碟、SSD等產(chǎn)品上,取得價(jià)格和效能的平衡,從2015年開始,對(duì)于TLC型NAND需求會(huì)大步提升,光是10億位元的NAND存儲(chǔ)器,總出貨量就約占快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品市場(chǎng)的50%。
東芝和新帝陣營(yíng)中,是從19納米制程轉(zhuǎn)到15納米制程N(yùn)AND Flash技術(shù)上,在轉(zhuǎn)進(jìn)15納米制程過(guò)程中,傳出良率不佳問(wèn)題,由于新帝后來(lái)被蘋果剔除于供應(yīng)鏈之外,傳出與15納米制程良率問(wèn)題有關(guān)。但此問(wèn)題陸續(xù)獲得解決,15納米制程已經(jīng)陸續(xù)用于東芝和新帝自己的產(chǎn)品中,預(yù)計(jì)第3季會(huì)在市場(chǎng)上大量供貨。
評(píng)論