HBM顯存最大勁敵：美光明年上三代HMC

　　作為最老資歷的PC組成部件，內(nèi)存及內(nèi)存存儲體系已經(jīng)擁有了幾十年的歷史，其漫長的發(fā)展過程曾伴隨數(shù)次重要的變革，但縱觀這些變革，無論是從FP到EDO還是從SD到DDR，在意義上均無法與即將發(fā)生的這場革命相提并論，這場革命的名字，叫堆疊內(nèi)存。

　　目前，按照堆疊方式及位置的不同，堆疊內(nèi)存體系可以被分為2.5D和3D兩種存在形式。而又因為內(nèi)存還依標(biāo)準(zhǔn)不同還劃分成了兩大陣營，分別是海力士+AMD支持的HBM(High Bandwidth Memory)以及Intel支持、鎂光/三星主導(dǎo)的HMC(Hybrid Memory Cube)聯(lián)盟。

　　AMD的Fury顯卡是全球首款使用HBM顯存的產(chǎn)品，明年海力士會拿出第二代。而在另一邊，美光正在研發(fā)第三代HMC。

　　美光稱，三代HMC可以實現(xiàn)多片DRAM+Logic Die與SoC集成，首發(fā)產(chǎn)品是Intel Xeon Phi，代號“Knights Landing”。

　　雖然本次沒有透露技術(shù)指標(biāo)，但目前面市的2GB、4GB HMC內(nèi)存采用的4Gb顆粒數(shù)據(jù)傳輸速率是15Gb/s，帶寬最高160GB/s，明年至少會翻倍。

　　不過，三星現(xiàn)在也“倒戈”到了HBM，HMC就剩美光孤軍奮戰(zhàn)，盡管HMC相較HBM有不少優(yōu)點，但能否流行起來仍面臨很大考驗。