三星宣布量產(chǎn)128GB內(nèi)存芯片 玩游戲再不會(huì)卡

　　三星去年8月就宣布推出全球第一款采用3D立體硅穿孔封裝技術(shù)打造的內(nèi)存芯片，單條DDR4內(nèi)存條容量高達(dá)64GB。三星近日宣布,將批量生產(chǎn)128GB內(nèi)存芯片，容量比去年翻了一倍。

　　“我們很高興批量生產(chǎn)高速度運(yùn)行、低功耗的128GB立體硅穿孔封裝技術(shù)DRAM內(nèi)存，這將促進(jìn)我們?nèi)騃T客戶和合作伙伴推出新一代的企業(yè)解決方案,”三星電子內(nèi)存銷售及營(yíng)銷的副總裁JooSunChoi稱。

　　據(jù)悉，在這個(gè)小小的內(nèi)存芯片中，三星內(nèi)置了144個(gè)芯片，形成了36×4GBDRAM封裝，每個(gè)封裝中有4×8Gb芯片，所以采用128GB的容量。而且該內(nèi)存芯片采用了三星最先進(jìn)的20毫微米工藝制造，數(shù)據(jù)傳輸速度高達(dá)2400Mbps。它的作用是，代替使用互連引線接合，像在常規(guī)芯片封裝芯片堆疊的是，在芯片管芯是第一精細(xì)研磨，然后用細(xì)孔穿孔電極由穿過孔垂直連接。這提升信號(hào)傳輸并配上模塊的特殊設(shè)計(jì)，當(dāng)它優(yōu)化模塊的功耗和性能。

　　三星正研究20毫微米的8GB內(nèi)存芯片，接下來數(shù)據(jù)傳輸速度將逐步提升到3200Mbps和2667Mbps。另外，三星還會(huì)把硅穿孔技術(shù)應(yīng)用到高帶寬內(nèi)存中。

　　這是一個(gè)什么樣的概念?這或許意味著在條件允許的情況下，就算你玩的是目前市面上所需配置最高的游戲，不論是單機(jī)還是網(wǎng)絡(luò)游戲，十開都不會(huì)卡!這絕對(duì)不是夸大其詞，畢竟，8GB配置的筆記本電腦目前就基本已經(jīng)可以支持玩所有的大型游戲了。

　　當(dāng)然，這樣一個(gè)RAM內(nèi)存芯片的價(jià)格自然不會(huì)便宜，雖然三星沒有給出具體價(jià)格，但是他們也表示，這款RAM內(nèi)存芯片的價(jià)格絕對(duì)不會(huì)低于一臺(tái)普通的筆記本電腦。