“單正向”柵驅(qū)動(dòng)IGBT簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路

　　目前，為了防止高dV/dt應(yīng)用于橋式電路中的IGBT時(shí)產(chǎn)生瞬時(shí)集電極電流，設(shè)計(jì)人員一般會(huì)設(shè)計(jì)柵特性是需要負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)的IGBT。然而提供負(fù)偏置增加了電路的復(fù)雜性，也很難使用高壓集成電路（HVIC）柵驅(qū)動(dòng)器，因?yàn)檫@些IC是專為接地操作而設(shè)計(jì)──與控制電路相同。因此，研發(fā)有高dV/dt能力的IGBT以用于“單正向”柵驅(qū)動(dòng)器便最為理想了。這樣的器件已經(jīng)開發(fā)出來(lái)了。器件與負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)IGBT進(jìn)行性能表現(xiàn)的比較測(cè)試，在高dV/dt條件下得出優(yōu)越的測(cè)試結(jié)果。

　　為了理解dV/dt感生開通現(xiàn)象，我們必須考慮跟IGBT結(jié)構(gòu)有關(guān)的電容。圖1顯示了三個(gè)主要的IGBT寄生電容。集電極到發(fā)射極電容C，集電極到柵極電容C和柵極到發(fā)射極電容CGE。

　　這些電容對(duì)橋式變換器設(shè)計(jì)是非常重要的，大部份的IGBT數(shù)據(jù)表中都給出這些參數(shù)：

　　輸出電容，COES＝CCE＋CGC（CGE短路）

　　輸入電容，CIES＝CGC＋CGE（CCE短路）

　　反向傳輸電容，CRES＝CGC

　　圖2給出了用于多數(shù)變換器設(shè)計(jì)中的典型半橋電路。集電極到柵極電容C和柵極到發(fā)射極電容C組成了動(dòng)態(tài)分壓器。當(dāng)高端IGBT（Q2）開通時(shí)，低端IGBT（Q1）的發(fā)射極上的dV/dt會(huì)在其柵極上產(chǎn)生正電壓脈沖。對(duì)于任何IGBT，脈沖的幅值與柵驅(qū)動(dòng)電路阻抗和dV/dt的實(shí)際數(shù)值有直接關(guān)系。IGBT本身的設(shè)計(jì)對(duì)減小C和C的比例非常重要，它可因此減小dV/dt感生電壓幅值。

　　如果dV/dt感生電壓峰值超過(guò)IGBT的閥值，Q1產(chǎn)生集電極電流并產(chǎn)生很大的損耗，因?yàn)榇藭r(shí)集電極到發(fā)射極的電壓很高。

　　為了減小dV/dt感生電流和防止器件開通，可采取以下措施：

　　關(guān)斷時(shí)采用柵極負(fù)偏置，可防止電壓峰值超過(guò)V，但問(wèn)題是驅(qū)動(dòng)電路會(huì)更復(fù)雜。
減小IGBT的CGC寄生電容和多晶硅電阻Rg’。
減小本征JFET的影響

　　圖3給出了為反向偏置關(guān)斷而設(shè)計(jì)的典型IGBT電容曲線。CRES曲線（及其他曲線）表明一個(gè)特性，電容一直保持在較高水平，直到V接近15V，然后才下降到較低值。如果減小或消除這種“高原”(plateau) 特性，C的實(shí)際值就可以進(jìn)一步減小。

　　這種現(xiàn)象是由IGBT內(nèi)部的本征JFET引起的。如果JFET的影響可以最小化，C和C可隨著VCE的提高而很快下降。這可能減小實(shí)際的CRES，即減小dV/dt感生開通對(duì)IGBT的影響。

　　IRGP30B120KD-E是一個(gè)備較小C和經(jīng)改良JFET的典型IGBT。這是一個(gè)1200V，30A NPT IGBT。它是一個(gè)Co-Pack器件，與一個(gè)反并聯(lián)超快軟恢復(fù)二極管共同配置于TO-247封裝。

　　設(shè)計(jì)人員可減小多晶體柵極寬度，降低本征JFET的影響，和使用元胞設(shè)計(jì)幾何圖形，從而達(dá)到以上的目標(biāo)。

　　對(duì)兩種1200V NPT IGBT進(jìn)行比較：一種是其他公司的需負(fù)偏置關(guān)斷的器件，一種是IR公司的NPT單正向柵驅(qū)動(dòng)IRGP30B120KD-E。測(cè)試結(jié)果表明其他公司的器件在源電阻為56Ω下驅(qū)動(dòng)時(shí)，dV/dt感生電流很大。

　　比較寄生電容的數(shù)據(jù)，IR器件的三種電容也有減?。?

　　輸入電容，CIES減小25％
　　輸出電容，COES減小35％
　　反向傳輸電容，CRES減小68％

　　@V=0V
　　 CS (pF)
　　 CS (pF)
　　 CS (pF)
 
　　負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)IGBT
　　 4000
　　 1400
　　 1100
 
　　IRGP30B120KD-E
 　　3000
 　　900
 　　350
 
　　圖5顯示出IR器件的減小電容與V的關(guān)系，得出的平滑曲線是由于減小了JFET的影響。當(dāng)V＝0V時(shí)，負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)器件的C為1100pF，IRGP30B120KD-E只有350pF，當(dāng)VCE＝30V時(shí)，負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)器件的C為170pF，IRGP30B120KD-E的CRES為78pF。很明顯，IRGP30B120KD-E具有非常低的C，因此在相同的dV/dt條件下dV/dt感生電流將非常小。

　　測(cè)試條件：

　　電壓率，dV/dt=3.0V/nsec
　　直流電壓，Vbus=600V
　　外部柵到發(fā)射極電阻Rg=56Ω
　　環(huán)境溫度，TA＝125