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上海微電子與芯片制造設(shè)備廠商ASML簽署戰(zhàn)略合作備忘錄

  • 　　3月14日，上海微電子裝備(集團)股份有限公司(SMEE)宣布，與世界領(lǐng)先的芯片制造設(shè)備的領(lǐng)先廠商阿斯麥 (ASML) 簽署戰(zhàn)略合作備忘錄(MoU)，為雙方進一步的潛在合作奠定了基礎(chǔ)。 　　根據(jù)這項合作備忘ASML和SMEE將探索就ASML光刻系統(tǒng)的特定模塊或半導體行業(yè)相關(guān)產(chǎn)品進行采購的可能性。 　　“全球IC行業(yè)都在積極尋求技術(shù)藍圖進來一步縮小芯片尺寸，為商業(yè)和消費者用戶提供更性能更強但節(jié)能的電子組件。這一技術(shù)藍圖的有效執(zhí)行需要精密復雜的制造技術(shù)，這只能靠各領(lǐng)先公司、研究機構(gòu)和院
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半導體押寶EUV ASML突破瓶頸 預計2018年可用于量產(chǎn)

  • 　　摩爾定律(Moore’s Law)自1970年代左右問世以來，全球半導體產(chǎn)業(yè)均能朝此一定律規(guī)則前進發(fā)展，過去數(shù)十年來包括光微影技術(shù)(Photolithography)等一系列制程技術(shù)持續(xù)的突破，才得以讓半導體產(chǎn)業(yè)能依照摩爾定律演進，進而帶動全球科技產(chǎn)業(yè)研發(fā)持續(xù)前進。 　　但為延續(xù)產(chǎn)業(yè)良性發(fā)展，光是依賴于傳統(tǒng)微影技術(shù)仍不夠，因此芯片制造商也正在苦思試圖進行一次重大且最具挑戰(zhàn)的變革，即發(fā)展所謂的“極紫外光”(EUV)微影技術(shù)，該技術(shù)也成為臺積電、英特爾(Intel)等
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尼康半導體曝光設(shè)備死于自我封閉？

  • 　　日本光學及半導體設(shè)備大廠尼康(Nikon)未來可能進行人事調(diào)整，以數(shù)位相機及半導體設(shè)備事業(yè)為主，希望轉(zhuǎn)型重建企業(yè)經(jīng)營。 　　根據(jù)報導，日本半導體事業(yè)始于日本政府的產(chǎn)業(yè)計劃，1970年代由官方與民間合作的結(jié)果，建立了從半導體設(shè)備到半導體生產(chǎn)線的完整事業(yè)。當時名為日本光學工業(yè)的尼康，借其光學技術(shù)推出先進的曝光裝置，制造精密半導體的線路，是日本半導體產(chǎn)業(yè)在1980~1990年代與美國平起平坐的主因。 　　但是，1984年從荷蘭電機大廠飛利浦(Philips)獨立的ASML，由于積極與外界學校及廠商合作，
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ASML 10億歐元現(xiàn)金收購蔡司半導體24.9%股份

  • 　　全球芯片光刻技術(shù)領(lǐng)導廠商阿斯麥(ASML) 和德國卡爾蔡司 (ZEISS) 旗下的蔡司半導體有限公 司 (Carl Zeiss SMT) 11月3日共同宣布，由 ASML以10億歐元現(xiàn)金收購 Carl Zeiss SMT的24.9%股權(quán)，以強化雙方在半導體光刻技術(shù)方面的合作，發(fā)展下一代EUV光刻系統(tǒng)，讓半導體行業(yè)得以用更低的成本制造更高效能的微芯片。目前雙方并沒有進一步股權(quán)交換的計劃。 　　Carl Zeiss SMT是ASML最重要的長期策略合作伙伴，30 多年來，為ASML的光刻設(shè)備提供最關(guān)火鍵
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ASML新技術(shù) 搶救摩爾定律

  • 　　荷商艾司摩爾(ASML)可能有辦法解決全球半導體產(chǎn)業(yè)所面臨的問題：如何一面讓晶片保持現(xiàn)有尺寸，一面增加它們的性能。 　　半導體產(chǎn)業(yè)的過去發(fā)展均照著摩爾定律在走，這個由英特爾共同創(chuàng)辦人摩爾于1965年首度提出的定律指出，每隔兩年，晶片制造商就能使傳統(tǒng)微處理器的電晶體數(shù)目倍增，且性能也會隨之提升。 　　不過，英特爾執(zhí)行長科再奇去年警告，經(jīng)過幾十年的快速發(fā)展，未來半導體業(yè)每隔兩年半業(yè)才會出現(xiàn)過去那種進展。 　　ASML則相信自家突破性的技術(shù)，能延后半導體產(chǎn)業(yè)步入衰敗期的時間。主導ASML相關(guān)業(yè)務的梅靈
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從海外巨頭成長路徑看國產(chǎn)半導體設(shè)備的投資機會

  • 盡管與國外大廠有技術(shù)差距，但國內(nèi)的設(shè)備廠商正處于一個進步、崛起的階段。
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三星將以6億歐元出售半導體設(shè)備公司ASML部分股份

  • 　　北京時間9月8日消息，據(jù)路透社報道，三星電子周四表示，將出售荷蘭半導體設(shè)備制造商ASML控股的部分股份。 　　交易條款清單顯示，三星將以大約6.06億歐元出售630萬股ASML股票。三星并未披露此次交易的財務條款。 　　三星稱，此次股份出售不會影響兩家公司的戰(zhàn)略伙伴關(guān)系。三星在8月16日提交的監(jiān)管文件中稱，公司持有1260萬股ASML股票，持股比例為2.9%。
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半導體設(shè)備大廠都在發(fā)動強強并購

  • 半導體設(shè)備廠商不只大者恒大，市占愈發(fā)傾向于大廠，如果科林與艾司摩爾并購案順利通過，未來半導體設(shè)備廠商三強鼎立的局面或也可能出現(xiàn)。
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ASML最先進EUV出貨，臺積電5納米有譜

  • 　　全球半導體微影技術(shù)領(lǐng)導廠商艾司摩爾(ASML)昨(20)日宣布，在臺積電(2330)、英特爾及三星三大晶圓廠力挺下，最先進的極紫外光(EUV)已連續(xù)四周平均妥善率逾八成，本季底前將完成三臺最新的EUV系統(tǒng)出貨。 　　EUV堪稱半導體設(shè)備發(fā)展以來最昂貴的設(shè)備，一臺售價高達9,000 萬歐元(約新臺幣36億元)，這項設(shè)備也是半導體產(chǎn)業(yè)向更先進制程發(fā)展最關(guān)鍵設(shè)備，因此發(fā)展進度，一直各界關(guān)注焦點。 　　臺積電共同執(zhí)行長暨劉德音表示，臺積電本季將會再增購一臺EUV設(shè)備，不過臺積電將會于5奈米制程才會導入生產(chǎn)
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ASML接獲設(shè)備大單　EUV微影商用進展邁大步

  • 　　微影設(shè)備制造商ASML近期宣布，接獲美國一家主要客戶十五部EUV機臺訂單，并將于今年底開始陸續(xù)出貨;同時間，日本光阻材料大廠JSR也與IMEC合資成立新公司，致力生產(chǎn)EUV微影所需的光阻劑，為EUV微影技術(shù)的商用發(fā)展揭橥新的里程碑。 　　極紫外光微影(EUV Lithography)技術(shù)發(fā)展大有斬獲。半導體設(shè)備供應商艾司摩爾(ASML)日前公開宣布，該公司與美國一家主要客戶已簽屬協(xié)議書，將提供至少十五臺的最新一代EUV微影系統(tǒng)機臺，以支援不斷增加的制程開發(fā)活動和未來世代制程的試量產(chǎn)。 　　雙方交易
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英特爾放慢技術(shù)升級步伐：擔心成本分攤不公

  • 在電子業(yè)追求高速發(fā)展的今天，英特爾要放慢研發(fā)腳步了，這是表演的哪一出？當今技術(shù)進步付出的代價成級數(shù)級上升，效率的進步以及難以抵消研發(fā)的投入，所以需要放慢腳步，找到真正能夠降低成本的方式。
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ASML估Q1營收未達標

  • 　　歐洲最大半導體設(shè)備供應商艾司摩爾控股公司(ASML Holding NV NL-ASML)預估第1季營收低于預期，并表示獲利能力將受到下一代極紫外光(EUV)系統(tǒng)訂單的箝制。 　　艾司摩爾今天在聲明稿中指出，預期2014年前3個月銷售凈額約14億歐元(18.8億美元)。相較之下，彭博社匯編12位分析師的預測均值為17.1億歐元。艾司摩爾預測毛利率42%左右，相較于調(diào)查預估中值42.5%。 　　艾司摩爾指出，首季利潤率預測包括EUV系統(tǒng)的負面影響，若不含EUV，利潤率將提高1.9個百分點。在
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為量產(chǎn)10nm制程鋪路　ASML攜手IMEC建置APC

  • 　　艾司摩爾(ASML)與比利時微電子研究中心(IMEC)合作案再添一樁。雙方將共同設(shè)立先進曝光中心(Advanced Patterning Center, APC)，助力半導體產(chǎn)業(yè)突破10奈米(nm)以下先進奈米曝光制程技術(shù)關(guān)卡，讓微影(Lithography)技術(shù)及其設(shè)備更臻成熟，加速制程微縮技術(shù)的商用化。 　　ASML總裁暨執(zhí)行長Martin van den Brink表示，長期以來，該公司與IMEC的合作，已促成半導體制程發(fā)展不斷突破;而此次的合作案，預期將進一步加快先進奈米制程技術(shù)及其相關(guān)設(shè)備
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ASML提升新EUV機臺技術(shù)生產(chǎn)效率

  • 　　微影設(shè)備大廠ASML積極提升極紫外線(EUV)機臺技術(shù)的生產(chǎn)效率，在2012年購并光源供應商Cymer后，大幅提升光源效率，從2009年至今光源效率分別為2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦，2012年提升至20瓦，目前已達55瓦，每小時晶圓產(chǎn)出片數(shù)為43片，預計2013年底前，可達到80瓦的目標，2015年達250瓦、每小時產(chǎn)出125片。 　　半導體生產(chǎn)進入10納米后，雖然可采用多重浸潤式曝光方式，但在一片晶圓上要進行多次的微影制程曝光，將導致生產(chǎn)流程拉長，成本會大幅墊高，半導體大廠為
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莫大康：縮小半導體工藝尺寸能走多遠？

  • 　　推動半導體業(yè)進步有兩個輪子，一個是工藝尺寸縮小，另一個是硅片直徑增大，而且總是尺寸縮小為先。由半導體工藝路線圖看，2013年應該進入14納米節(jié)點，觀察近期的報道，似乎已無異議，而且仍是英特爾挑起大樑。盡管摩爾定律快“壽終正寢”的聲音已不容置辯，但是14nm的步伐仍按期走來，原因究竟是什么? 　　傳統(tǒng)光刻技術(shù)與日俱進 　　當尺寸縮小到22/20nm時，傳統(tǒng)的光刻技術(shù)已無能力，必須采用輔助的兩次圖形曝光技術(shù)。 　　提高光刻的分辨率有3個途徑：縮短曝光波長、增大鏡頭數(shù)值孔徑NA
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