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引領(lǐng)存儲新架構(gòu) 構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔 英特爾通過傲騰和QLC NAND技術(shù)變革存儲未來
- 近日,以“數(shù)智·未來”為主題的2019中國數(shù)據(jù)與存儲峰會在北京成功舉辦。匯聚全球數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域知名的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)軍人物與代表性企業(yè)用戶,本次峰會旨在幫助企業(yè)和社會提升數(shù)據(jù)智能水平,推動全球存儲與數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。英特爾公司中國區(qū)非易失性存儲事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼先生出席大會并發(fā)表演講,不僅從產(chǎn)品層面闡述了英特爾如何通過傲騰?技術(shù)和QLC NAND?技術(shù)填補(bǔ)當(dāng)前存儲層級中的巨大鴻溝,還通過諸多用戶案例進(jìn)一步展示英特爾如何通過內(nèi)存與存儲的產(chǎn)品、技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)存儲新架構(gòu),構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔。英特爾公司中國區(qū)非易失性存儲事業(yè)部
- 關(guān)鍵字: QLC NAND 內(nèi)存
中國首款!長江存儲啟動64層3D NAND閃存量產(chǎn)
- 網(wǎng)易科技訊 9月2日消息 紫光集團(tuán)旗下長江存儲在IC China 2019前夕宣布,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
- 關(guān)鍵字: 3D NAND
NAND Flash 2020年新戰(zhàn)場暗潮洶涌 各家布局蓄勢待發(fā)
- 受到東芝工廠停產(chǎn)及日韓貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致存儲器價格將反轉(zhuǎn)契機(jī)出現(xiàn),NAND Flash價格調(diào)漲從7月開始顯現(xiàn),而國際大廠之間的技術(shù)競爭更是暗潮洶涌。
- 關(guān)鍵字: 三星電子 東芝存儲器 NAND Flash 3D XPoint Z-NAND
日韓貿(mào)易戰(zhàn)與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價格走勢,長期須關(guān)注原廠庫存水位
- Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出,繼6月中旬東芝斷電事件后,日本政府近日宣布從7月4日起,開始管控向南韓出口3種生產(chǎn)半導(dǎo)體、智能手機(jī)與面板所需的關(guān)鍵材料,造成存儲器產(chǎn)業(yè)下游模組廠出現(xiàn)提高報價狀況,然而,由于目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高,加上并非完全禁止原物料出貨,僅是申請流程延長,短期結(jié)構(gòu)性供需反轉(zhuǎn)的可能性低。日韓貿(mào)易戰(zhàn)的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲器價格將反轉(zhuǎn),集邦咨詢分析指出,因DRAM價格已歷經(jīng)連續(xù)三個季度快速下滑,下游
- 關(guān)鍵字: 日韓貿(mào)易戰(zhàn) 東芝 DRAM/NAND
停電余威沖擊NAND Flash出貨 價格維持小跌
- 日本三重縣四日市日前發(fā)生停電意外,市場傳出存儲器大廠東芝存儲器(TMC)當(dāng)?shù)貭I運(yùn)的5座 NAND Flash工廠的營運(yùn)中斷,盡管東芝存儲器尚未對外說明影響,但據(jù)傳出,合作投資的威騰(WD)已通知客戶可能無法按照原定時程出貨。
- 關(guān)鍵字: ?威騰 東芝存儲器 NAND Flash
長江存儲64層NAND量產(chǎn)在即 與紫光集團(tuán)角力戰(zhàn)漸起
- 市場傳出,長江存儲有意改變策略,越過大股東紫光集團(tuán)的銷售管道,采取自產(chǎn)自銷3D NAND芯片的模式,也讓雙方暗自較勁的角力戰(zhàn)儼然成形。
- 關(guān)鍵字: 紫光集團(tuán) 長江存儲 3D NAND
為物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)發(fā)展做出突出貢獻(xiàn),Entegris用了哪些方法?
- 當(dāng)前,我們正在經(jīng)歷第四次工業(yè)革命的歷史進(jìn)程,在這里催生了很多新技術(shù)和新市場,比如物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、新能源、3D打印、納米技術(shù)等等。這么多新的技術(shù)和產(chǎn)品相互激勵、互相融合,共同推動半導(dǎo)體行業(yè)不斷發(fā)展,從而改變?nèi)祟惖纳罘绞健?/li>
- 關(guān)鍵字: 物聯(lián)網(wǎng) Entegris 3D NAND
NAND價格走跌,2019年P(guān)CIe SSD市場發(fā)展?jié)摿薮?/a>
- Admin 固態(tài)硬盤 今天由于NVMe的價格溢價下降,預(yù)計(jì)今年P(guān)CIe連接驅(qū)動器的銷售量將與SATA固態(tài)硬盤達(dá)到同等水平?! ?jù)報道,固態(tài)硬盤(SSD)和閃存卡中使用的NAND閃存大幅降價正在推動市場兩端的銷售。制造商正在為相對有利可圖的企業(yè)和數(shù)據(jù)中心用例定制新的解決方案,而客戶端SSD的低成本正在推動OEM廠商的采用率,以包含在PC中?! 「鶕?jù)該報告,最引人注目的是,512 GB固態(tài)硬盤的單價與2018年同期的256 GB固態(tài)硬盤相匹配,預(yù)計(jì)到2019年剩余時間內(nèi)固態(tài)硬盤的價格將從512 GB降
- 關(guān)鍵字: NAND SSD
集邦咨詢:受惠需求回溫及產(chǎn)能調(diào)節(jié),第二季NAND Flash合約價跌幅略有收斂
- Mar. 20, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查指出,受到服務(wù)器需求疲弱、智能手機(jī)換機(jī)周期延長、蘋果新機(jī)銷售不如預(yù)期等終端需求不佳沖擊,2019年第一季各類NAND Flash產(chǎn)品合約價綜合季跌幅近20%,是自2018年初NAND Flash轉(zhuǎn)為供過于求以來跌幅最劇的一季?! ≌雇诙?,DRAMeXchange分析師葉茂盛表示,歷經(jīng)第一季的需求低谷之后,智能手機(jī)、筆記本電腦及服務(wù)器等主要需求較第一季有所改善。另一方面,NAND Flash供應(yīng)商
- 關(guān)鍵字: NAND UFS SSD
東芝和西數(shù)正研發(fā)128層3D NAND閃存:最早2020年上市
- 根據(jù)外媒的報道,東芝及其戰(zhàn)略盟友西部數(shù)據(jù)準(zhǔn)備推出更高密度128層3D NAND閃存。在東芝的命名法中,該芯片將命名為BiCS-5。 據(jù)介紹,芯片將實(shí)現(xiàn)TLC,而不是更新的QLC。這可能是因?yàn)镹AND閃存制造商仍然對QLC芯片的低產(chǎn)量有擔(dān)心。該芯片的數(shù)據(jù)密度為512 Gb,新的128層芯片的容量比96層芯片多33%,可以在2020到2021年實(shí)現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn)?! ?jù)報道,新芯片每單位信道的寫入性能從66 MB / s增加到132 MB / s。據(jù)報道,該芯片還采用了CuA(陣列電路),這是一
- 關(guān)鍵字: 東芝 西數(shù) NAND
中國將增加在美半導(dǎo)體采購量?韓媒:不太容易
- 據(jù)businesskorea報道,中國計(jì)劃在未來六年內(nèi)將在美國的半導(dǎo)體采購增加到2000億美元(約合225.9萬億韓元),大約是目前水平的五倍。 然而,許多專家表示,美國急于遏制中國的半導(dǎo)體野心,不太可能接受中國的提議,因?yàn)樗鼘⒃黾訉χ袊陌雽?dǎo)體依賴?! №n國企業(yè)對該計(jì)劃持謹(jǐn)慎態(tài)度,主要有兩個原因。 首先,中國沒有提及將購買哪一種半導(dǎo)體。一家韓國半導(dǎo)體公司的高級官員表示:“中國沒有說明將進(jìn)口何種半導(dǎo)體芯片,無論是內(nèi)存、中央處理器(CPU)還是系統(tǒng)半導(dǎo)體芯片。在這種情況下,很難預(yù)測對韓國企業(yè)的影響。
- 關(guān)鍵字: NAND DRAM
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