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英飛凌發(fā)布2013財年第二季度財報

  • 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日發(fā)布了2013財年第二季度(截至2013年3月31日)的財務數(shù)據(jù)。
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英飛凌與GLOBALFOUNDRIES宣布展開合作

  •   英飛凌科技與GLOBALFOUNDRIES 公司宣布,雙方圍繞40納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)工藝,簽訂一份合作技術(shù)開發(fā)與生產(chǎn)協(xié)議。雙方合作的重點是立足于英飛凌的嵌入式閃存單元設計以及采用40納米工藝制造汽車單片機和安全微控制器(MCU)的經(jīng)驗,進行相關(guān)技術(shù)的開發(fā)。GLOBALFOUNDRIES 公司旗下的多家晶圓廠將生產(chǎn)新一代40納米嵌入式閃存MCU,其中新加坡的晶圓廠將成為第一個生產(chǎn)該類器件的晶圓廠,緊隨其后的是公司位于德國德累斯頓的晶圓廠。   英飛凌科技管理委員會成員Arunjai
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英飛凌與GLOBALFOUNDRIES建立開發(fā)和生產(chǎn)合作

  • 英飛凌科技(FSE: IFX / OTC QX: IFNNY)與GLOBALFOUNDRIES 公司日前宣布,雙方圍繞40納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)工藝,簽訂一份合作技術(shù)開發(fā)與生產(chǎn)協(xié)議。雙方合作的重點是立足于英飛凌的嵌入式閃存單元設計以及采用40納米工藝制造汽車單片機和安全微控制器(MCU)的經(jīng)驗,進行相關(guān)技術(shù)的開發(fā)。
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工業(yè)和消費市場:32位正挑戰(zhàn)8位單片機

  • 編者按:就在不久前,英飛凌針對中國市場推出了全新的XMC1000工業(yè)和消費類單片機家族——基于ARM Cortex-M0處理器,以8位價格提供32位性能。如今,市面上基于ARM核的單片機繁多,很多人擔心同質(zhì)化、價格戰(zhàn),英飛凌的新產(chǎn)品是如何定位和實現(xiàn)差異化的?……
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英飛凌推出面向毫米波無線回程傳輸?shù)腟iGe收發(fā)器

  • 英飛凌科技股份公司(FSE: IFX/OTCQX: IFNNY)日前發(fā)布一個可取代十余個獨立器件從而簡化系統(tǒng)設計和生產(chǎn)工作的收發(fā)器產(chǎn)品線。由于功耗更低,這一高度集成的單片收發(fā)器,還可幫助降低高數(shù)據(jù)速率毫米波無線回程通信系統(tǒng)的固定費用。新產(chǎn)品面向LTE/4G基站和核心網(wǎng)之間數(shù)據(jù)速率超過1Gbps的無線數(shù)據(jù)鏈路。
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英飛凌安全凌捷掩膜控制器被Visa選中GlobalPlatform支付卡供應商

  • 英飛凌科技股份公司(FSE代碼: IFX / OTCQX代碼: IFNNY) 日前宣布,Visa選中該公司作為拉丁美洲和加勒比海地區(qū) (LAC)新發(fā)行的GlobalPlatform支付卡安全控制器的首選供應商。英飛凌將為接觸式和雙界面借記卡和信用卡提供安全凌捷掩膜控制器,包括Visa批準的VSDC(Visa智能借記/信貸服務)應用程序。
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智能電網(wǎng)帶來的不僅是智能

  •   受宏觀經(jīng)濟疲軟影響,2012年半導體市場總體呈現(xiàn)了不景氣。英飛凌科技電源管理與多元化市場部全球總監(jiān)Thomas Schmidt表示,2013年的半導體市場將會繼續(xù)呈下降趨勢,相反地,功率MOSFET領(lǐng)域則會在2013年預計將增長7.7%,移動通信應用將是主 要動力。   Thomas表示,目前全球約1/3的能源消耗以電的方式被消耗掉,其中美國、歐洲和中國三個國家/地區(qū)是三大消耗大戶。然而,“大部分的能源實際 上不是被用掉了,而是損失掉的,” Thomas說,“而通
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英飛凌推出新一代DrMOS器件DrBlade

  • 英飛凌科技股份公司 (FSE代碼:IFX/ OTCQX代碼:IFNNY)近日在2013應用電力電子會議暨展覽會(APEC)中宣布推出DrBlade:全球第一款采用創(chuàng)新芯片嵌入式封裝技術(shù)的集成式器件,它集成了DC/DC 驅(qū)動器及MOSFET VR功率級。DrBlade包含最新一代低壓DC/DC驅(qū)動器技術(shù)及OptiMOS? MOSFET器件。
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英飛凌和德國聯(lián)邦印鈔公司攜手開發(fā)安全智能卡

  • 英飛凌科技股份公司 (FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)和德國聯(lián)邦印鈔公司共同開發(fā)了一款具有LED顯示屏和一次性密碼的安全智能卡。這種新技術(shù)是以卡中的安全芯片為核心,該芯片能為每次交易生成一個一次性密碼并顯示在集成的LED顯示屏上。
  • 關(guān)鍵字: 英飛凌  德國聯(lián)邦印鈔  智能卡  LED  

英飛凌為何要做綠巨人?

  • ?????????? ???????????????????? ??????? 照片 英飛凌科技(中國)有限公司總裁兼執(zhí)行董事賴群鑫
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英飛凌推出全新XMC1000工業(yè)和消費類單片機家族

  • 英飛凌科技股份公司(以FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)日前在中國正式推出其全新的采用ARM? Cortex?-M0處理器的32位單片機家族XMC1000。針對中國市場成本敏感的特征和希望性能提升的需求,XMC1000意在以32位性能8位的價格,成為原8位單片機用戶產(chǎn)品更新?lián)Q代的首選。
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用英飛凌XMC4500實現(xiàn)三電平驅(qū)動

  • 摘要:本文介紹了中點箝位式三電平逆變器的驅(qū)動和保護機理,結(jié)合英飛凌最新的ARM Cortex-M4內(nèi)核32bit工業(yè)單片機XMC4500,示例了具體的實現(xiàn)方式,并給出了試驗結(jié)果。
  • 關(guān)鍵字: 英飛凌  逆變器  XMC4500  201302  

基于1ED020I12FA的汽車級IGBT模塊驅(qū)動電路

  • 本設計采用模塊化設計,主要分為低壓信號模塊電路,驅(qū)動輸出高壓電路,和IGBT電路,主要IC為英飛凌1ED020I12FA,IGBT為英飛凌HybridPACK2。圖1以U相為例介紹總圖結(jié)構(gòu)。
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英飛凌選用漢高新型導熱膏—導熱性能更出色的TIM

  • 功率半導體的功率密度日益提高,因此,必須早在其設計階段就將散熱管理功能集成到當今的功率半導體中。只有這樣,它們才能確保實現(xiàn)長期的可靠散熱。其中一個技術(shù)瓶頸是功率器件和散熱器之間的導熱膏。在高功率密度的情況下,目前所用材料往往不能滿足與日俱增功率密度的提高。
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英飛凌生產(chǎn)的300毫米薄晶圓通過質(zhì)量檢驗

  • 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)已在生產(chǎn)基于300毫米薄晶圓的功率半導體方面取得了重大突破。今年2月,從奧地利費拉赫工廠的300毫米生產(chǎn)線走下來的英飛凌CoolMOS?家族產(chǎn)品,得到了第一批客戶的首肯。從始至終,基于這項新技術(shù)的生產(chǎn)工藝業(yè)已完成徹底的質(zhì)量檢驗,并獲得了客戶認可。
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