碳化硅 mosfet 文章 進入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)
Littelfuse首款碳化硅MOSFET可在電力電子應(yīng)用中實現(xiàn)超高速切換
- Littelfuse, Inc.,作為全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè),今日宣布推出了首個碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品系列,成為該公司不斷擴充的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投資享有盛譽的碳化硅技術(shù)開發(fā)公司Monolith Semiconductor Inc.,向成為功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)再邁出堅定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V額定功率和超低導(dǎo)通電阻(80m?),是雙方聯(lián)手推出的首款由內(nèi)部設(shè)計、開發(fā)和生產(chǎn)的
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碳化硅電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀分析
- 碳化硅電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀分析-SiC電力電子器件中,SiC二極管最先實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。2001年德國Infineon公司率先推出SiC二極管產(chǎn)品,美國Cree和意法半導(dǎo)體等廠商也緊隨其后推出了SiC二極管產(chǎn)品。
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MOSFET 安全工作區(qū)對實現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在
- MOSFET 安全工作區(qū)對實現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在-即使是在插入和拔出電路板和卡進行維修或者調(diào)整容量時,任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源,支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或移除電路板,從而避免了出現(xiàn)連接火花、背板供電干擾和電路板卡復(fù)位等問題??刂破?IC 驅(qū)動與插入電路板之電源相串聯(lián)的功率 MOSFET 開關(guān) (圖 1)。電路板插入后,MOSFET 開關(guān)緩慢接通,這樣,流入的浪涌電流對負載電容充電時能夠保持在安全水平。
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在高頻直流—直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)使用650V碳化硅MOSFET的好處
- 摘要 本文評測了主開關(guān)采用意法半導(dǎo)體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器的電熱特性,并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結(jié)果證明,新SiC碳化硅開關(guān)管提升了開關(guān)性能標桿,讓系統(tǒng)具更高的能效,對市場上現(xiàn)有系統(tǒng)設(shè)計影響較大。 前言 市場對開關(guān)速度、功率、機械應(yīng)力和熱應(yīng)力耐受度的要求日益提高,而硅器件理論上正在接近性能上限。 寬帶隙半導(dǎo)體器件因電、熱、機械等各項性能表現(xiàn)俱佳而被業(yè)界看好,被認為是硅半導(dǎo)體器件的替代技術(shù)。在這些新材料中,兼容硅
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一篇文章讀懂超級結(jié)MOSFET的優(yōu)勢
- 平面式高壓MOSFET的結(jié)構(gòu) 圖1顯示了一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡單結(jié)構(gòu)。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導(dǎo)通電阻,并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實現(xiàn)較低的RDS(on)值。但大單元密度和管芯尺寸還伴隨高柵極和輸出電荷,這會增加開關(guān)損耗和成本。另外還存在對于總硅片電阻能夠達到多低的限制。器件的總RDS(on)可表示為通道、epi和襯底三個分量之和: RDS(on) = Rch + Repi + Rsub 圖1:傳統(tǒng)平面式MOSF
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智能電網(wǎng)端口保護:這不是一顆“料”在戰(zhàn)斗!
- 今天,做一個產(chǎn)品或系統(tǒng)的電路保護方案,特別是智能電網(wǎng)等工業(yè)應(yīng)用的端口保護設(shè)計,就像是組織一場足球比賽的防御戰(zhàn):你需要有大牌的球(yuan)星(jian),還需要有將他們捏合在一起的戰(zhàn)術(shù),去抵御來自對手的每一次可能的“進攻”。這其中的門道兒不少,但也有套路可尋,今天我們就來看看世健(Excelpoint)作為工業(yè)電路保護界的“豪門”,是怎么玩兒的?! ∧切┟餍窃 ∠葋砑殧?shù)一下世健帳下那些在智能電網(wǎng)上可堪重用的電路保護元件“球星”,它們大多來自Bourns公司,每顆料都很有“料”。比如: TBU高速
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英飛凌開始批量生產(chǎn)首款全碳化硅模塊,在PCIM上推出CoolSiC?系列產(chǎn)品的其他型號
- 效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統(tǒng)成本更低:這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優(yōu)勢。c科技股份公司開始批量生產(chǎn)EASY 1B——英飛凌在2016年P(guān)CIM上推出的首款全碳化硅模塊。在紐倫堡2017年P(guān)CIM展會上,英飛凌展出了1200 V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品系列的其他模塊平臺和拓撲。如今,英飛凌能夠更好地發(fā)揮碳化硅技術(shù)的潛力?! ∮w凌工業(yè)功率控制事業(yè)部總裁Peter Wawer博士指出:“碳化硅已達到轉(zhuǎn)折點,考慮到成本效益,它
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1200V CoolSiCTM MOSFET兼具高性能與高可靠性
- SiC在電源轉(zhuǎn)換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優(yōu)勢。當然,要進行大批量生產(chǎn),逆變器除了靜態(tài)和動態(tài)性能之外,還必須具備適當?shù)目煽啃?,以及足夠的閾值電壓和以?yīng)用為導(dǎo)向的短路耐受能力等。可與IGBT兼容的VGS=15V導(dǎo)通驅(qū)動電壓,以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿足這些要求。
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三菱電機攜多款碳化硅功率器件亮相PCIM Asia 2017展
- 三菱電機于6月27至29日在上海世博展覽館舉行的PCIM Asia 2017(上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會)展會中,以十款新型功率器件強勢登場,其中第7代IGBT模塊更首次作全電壓、全封裝及全系列展出(三菱電機展位號:E06)?! ∪怆姍C以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來”為主題,今年展出的功率器件應(yīng)用范圍跨越五大領(lǐng)域,包括:變頻家電、鐵道牽引及電力傳輸、電動汽車、工業(yè)應(yīng)用和新能源發(fā)電,致力為客戶提供高性能及低損耗的產(chǎn)品?! ∽冾l家電市場 在變頻家電應(yīng)用方面,三菱電機展出
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碳化硅 mosfet介紹
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