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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

國(guó)際整流器公司擴(kuò)大汽車專用MOSFET 組合

  • 　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 宣布擴(kuò)大了旗下包括邏輯電平器件系列在內(nèi)的 40V 至 100V 汽車專用 MOSFET 組合。新系列 MOSFET 適合傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺(tái)以及微型混合動(dòng)力和全混合動(dòng)力平臺(tái)上的重載應(yīng)用。 　　
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RF功率MOSFET產(chǎn)品及工藝

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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恩智浦發(fā)布業(yè)界最低RDSon的30V MOSFET

  • 　　恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.今天發(fā)布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET，擁有業(yè)界最低RDSon，4.5V時(shí)僅為1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC，專門針對(duì)4.5V開關(guān)應(yīng)用優(yōu)化，采用LFPAK封裝技術(shù)，是目前業(yè)界最牢固的Power-SO8封裝。NextPower技術(shù)已專門針對(duì)高性能DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，例如隔離電源和電源OR-ing中的同步降壓調(diào)節(jié)器、同步整流器。 　　技術(shù)要點(diǎn)： 　　&mi
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Diodes新即插即用器件提升負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器效率

  • 　　Diodes公司推出兩款新型雙通道器件DMS3017SSD及DMS3019SSD，擴(kuò)展了旗下DIOFET產(chǎn)品系列。DMS3017SSD及DMS3019SSD將一個(gè)經(jīng)過(guò)優(yōu)化的控制MOSFET及一個(gè)專有DIOFET集成在一個(gè)SO8封裝中，為消費(fèi)類及工業(yè)應(yīng)用的負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器提供高效的解決方案。
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如何為具體應(yīng)用恰當(dāng)?shù)倪x擇MOSFET

  • 雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)上的品質(zhì)因數(shù)，但為了選擇出合適的MOSFET，工程師必需利用自己的專業(yè)知識(shí)對(duì)各個(gè)具體應(yīng)用的不同規(guī)格進(jìn)行全面仔細(xì)的考慮。例如，對(duì)于服務(wù)器電源中的負(fù)載開關(guān)這類應(yīng)用，由于MOSFET基本上
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深入理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表

  • 本文不準(zhǔn)備寫成一篇介紹功率MOSFET的技術(shù)大全,只是讓讀者去了解如何正確的理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的常用主要參數(shù),以幫助設(shè)計(jì)者更好的使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì)?！　?shù)據(jù)表中的參數(shù)分為兩類:即最大額定值和電氣特性值。
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瑞薩電子高壓MOS在進(jìn)行產(chǎn)品開發(fā)時(shí)的注意要點(diǎn)

  • 　　本文主要介紹瑞薩電子(又稱：Renesas)高壓MOS在客戶電源等產(chǎn)品開發(fā)時(shí)的選型以及特性的說(shuō)明，為客戶的產(chǎn)品開發(fā)提供參考性的設(shè)計(jì)意見。 　　MOSFET以其電壓控制、開關(guān)頻率高、開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電源等產(chǎn)品中。Renesas高壓MOS涵蓋漏源電壓(VDSS)等級(jí)600V、800V、900V、1400V，具有極低的RDS(ON)和豐富的封裝系列，應(yīng)用十分廣泛。 　　MOSFET最重要的兩個(gè)參數(shù)是漏源電壓(VDSS)和導(dǎo)通電阻RDS(ON)。電流值和最大耗散功率值必須仔細(xì)觀察，因?yàn)樗鼈冎挥?/li>
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PI推出帶集成控制器/MOSFET的高效率功率因數(shù)校正IC產(chǎn)品系列

  • 　　用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS產(chǎn)品，一款集成高壓MOSFET并可實(shí)現(xiàn)功率因數(shù)校正(PFC)的控制器芯片。HiperPFS器件采用創(chuàng)新的控制方案，可提高輕載條件下的效率。此外，與使用分立式MOSFET和控制器的設(shè)計(jì)相比，HiperPFS器件能大幅減少元件數(shù)和縮小電路板占用面積，同時(shí)簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)并增強(qiáng)可靠性。HiperPFS器件采用極為緊湊的薄型eSIPä封裝，適合75 W至1 kW的PFC應(yīng)用。 　　歐洲
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Vishay Siliconix推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的超低最大導(dǎo)通電阻，柵極電荷減小到216nC，采用TO-247封裝。 　　
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Diodes 推出強(qiáng)固型MOSFET

  • 　　Diodes 公司推出專為IP電話(VoIP)通信開發(fā)的新型60V N溝道器件，擴(kuò)展了其MOSFET產(chǎn)品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列專為處理產(chǎn)生正極線和負(fù)極線換行線路饋電 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脈沖電流，以及抵擋電源開關(guān)時(shí)引起的雪崩能量而設(shè)計(jì)。該器件能夠滿足基于變壓器的用戶線路接口電路 (SLIC) 直流/直流轉(zhuǎn)換器對(duì)基本切換功能的嚴(yán)格要求。 　　Diodes 這次推出的四款產(chǎn)品提供四種不同的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝選擇，包括：SOT223封裝的DMN606
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市調(diào)公司Semico調(diào)整ASIC市場(chǎng)

  • 　　在由Xilinx主辦的會(huì)議上市調(diào)公司Semico的Richard Wawrzyniak’s作了有關(guān)全球ASIC市場(chǎng)的報(bào)告。Semico對(duì)于傳統(tǒng)的ASIC市場(chǎng)將只有低增長(zhǎng)的預(yù)測(cè),而可編程邏輯電路(PLD)在帶寬與可移動(dòng)聯(lián)結(jié)等日益增長(zhǎng)的需求推動(dòng)下將有大的發(fā)展?！　?/li>
  • 關(guān)鍵字： Xilinx  Semico  SIC  

IR 拓展堅(jiān)固可靠、系統(tǒng)可擴(kuò)展的車用 DirectFET?2 功率 MOSFET 系列

  • 　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 宣布拓展了車用DirectFET®2功率MOSFET系列。該系列具有非常出色的功率密度、雙面冷卻功能以及最小寄生電感和電阻，適用于重負(fù)載應(yīng)用，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、電源、混合動(dòng)力汽車的電池開關(guān)、微型混合動(dòng)力汽車的集成起動(dòng)發(fā)電機(jī)系統(tǒng)等。 　　與傳統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝器件相比，IR 的車用 DirectFET®2 器件可以實(shí)現(xiàn)整個(gè)系統(tǒng)級(jí)尺寸和更低的成本，以及超高的性
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滿足供電需求的新型封裝技術(shù)和MOSFET

  • 當(dāng)維持相同的結(jié)點(diǎn)溫度時(shí)，可以獲得更高的輸出功率和改善功率密度。另外，散熱能力的提高使得電路在提供額定電流的同時(shí)，還可以額外提供不超過(guò)額定電流50%的更高電流，并使器件工作在更低的溫度、減少發(fā)熱對(duì)其他器件的影響，也提高了系統(tǒng)的可靠性。
  • 關(guān)鍵字： 技術(shù)  MOSFET  封裝  新型  供電  需求  滿足  

Vishay Siliconix 推出新款500V的 N溝道功率MOSFET超低導(dǎo)通電阻

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新型500V、16A的N溝道功率MOSFET --- SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.38Ω的超低最大導(dǎo)通電阻，柵極電荷降至68nC，采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封裝。 　　SiHP16N50C (TO-220AB)、SiHF16N50C (TO-220 FULLPA
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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