首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

飛兆推出30V MOSFET器件FDMS7650

  • 　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為服務(wù)器、刀片式服務(wù)器和路由器的設(shè)計人員帶來業(yè)界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件，采用Power 56封裝，型號為 FDMS7650。FDMS7650 可以用作負(fù)載開關(guān)或ORing FET，為服務(wù)器中心 (server farm) 在許多電源并行安排的情況下提供分擔(dān)負(fù)載功能。FET的連續(xù)導(dǎo)通特性，可降低功耗和提高效率，以提升服務(wù)器中心的總體效率。FDMS7650 是首款采用 Power56 封裝以突破1
  • 關(guān)鍵字： Fairchild  MOSFET  FDMS7650  

TI 推出一款同步 MOSFET 半橋

  • 　　德州儀器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 電流下實現(xiàn)超過 90% 高效率的同步 MOSFET 半橋，其占位面積僅為同類競爭功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模塊通過高級封裝將 2 個非對稱 NexFET 功率 MOSFET 進(jìn)行完美整合，可為服務(wù)器、臺式機與筆記本電腦、基站、交換機、路由器以及高電流負(fù)載點 (POL) 轉(zhuǎn)換器等低電壓同步降壓半橋應(yīng)用實現(xiàn)高性能。 　　NexFET 功率模塊除提高效率與功率密度外，還能夠以高達(dá) 1.5 MHz 的開關(guān)頻率生
  • 關(guān)鍵字： TI  MOSFET  

Vishay改進(jìn)ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，對其ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具進(jìn)行了改進(jìn)，為設(shè)計者提供更好的仿真精度、效率和用戶友好度。 　　Vishay的ThermaSim是一個免費工具，可讓設(shè)計者在制造原型前，對器件進(jìn)行細(xì)致的熱仿真，從而加快產(chǎn)品上市。ThermaSim是首款使用結(jié)構(gòu)復(fù)雜的功率MOSFET模型的在線MOSFET仿真工具，使用有限元分析(FEA)技術(shù)生成的MOSFET模型提高了仿真精度。 　　設(shè)計者還可以定義其他散熱器件，并仿真這些元器件對M
  • 關(guān)鍵字： Vishay  熱仿真工具  MOSFET  ThermaSim  

功率半導(dǎo)體行業(yè)的春天

  • 　　功率半導(dǎo)體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟復(fù)蘇勢頭增強，iSuppli公司預(yù)測2010年半導(dǎo)體市場營業(yè)收入為2833億美元，增長率達(dá)到23.2%. 　　MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷售額占全部功率半導(dǎo)體的比重大約為20%,MOSFET主要應(yīng)用于消費電子、計算機、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子和電力設(shè)備六大領(lǐng)域。 　　IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元，IGBT的銷售額占全部功率半
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  IGBT  功率半導(dǎo)體  

功率半導(dǎo)體下游需求旺盛 前景看好

  • 　　功率半導(dǎo)體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟復(fù)蘇勢頭增強，iSuppli公司預(yù)測2010年半導(dǎo)體市場營業(yè)收入為 2833億美元，增長率達(dá)到23.2%。 　　MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷售額占全部功率半導(dǎo)體的比重大約為20%，MOSFET主要應(yīng)用于消費電子、計算機、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子和電力設(shè)備六大領(lǐng)域。 　　IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元，IGBT的銷售額占全部功率
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  IGBT  

Maxim推出內(nèi)置MOSFET的供電設(shè)備(PSE)控制器

  • 　　Maxim推出單端口、供電設(shè)備(PSE)控制器MAX5971A，適用于IEEE® 802.3af/at兼容的大功率以太網(wǎng)供電(PoE+)應(yīng)用。器件集成導(dǎo)通電阻為0.5Ω的功率MOSFET和檢測電阻，有效節(jié)省了空間和成本，能夠為IP電話、IP照相機、無線LAN接入點以及視頻監(jiān)控照相機等用電設(shè)備(PD)提供每端口高達(dá)40W的功率。 　　MAX5971A完全兼容IEEE 802.3af和IEEE 802.3at標(biāo)準(zhǔn)。器件工作在32V至60V電壓范圍，為IEEE 802.3af/at兼容
  • 關(guān)鍵字： Maxim  控制器  MOSFET  

英飛凌推出第二代ThinQ! 碳化硅肖特基二極管

  • 　　英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC(碳化硅)肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續(xù)了第二代ThinQ! SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能，而且采用全隔離封裝，無需使用隔離套管和隔離膜，使安裝更加簡易、可靠。 　　獨具特色的是，新的TO220 FullPAK器件的內(nèi)部結(jié)到散熱器的熱阻與標(biāo)準(zhǔn)非隔離TO-220器件類似。這要歸功于英飛凌已獲得專利的擴散焊接工藝，該技術(shù)大大降低了內(nèi)部芯片到管腳的熱阻，有效地彌補了FullPAK內(nèi)部隔離層的散
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  肖特基二極管  SiC  

電壓高（120VP-P）的功率MOSFET放大器

  • 電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似，放大電路必須采用對稱電路，而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路，各級均為推挽對稱電路，可以獲得上升邊和下降邊時間常數(shù)基本相等的脈沖響應(yīng)以及
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  VP-P  120  電壓    

高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器

  • 電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉(zhuǎn)換速度比單級晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵器，而且還在輸出級采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負(fù)載。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  高頻特性  放大器    

英飛凌推出新型ThinPAK 8x8無管腳SMD

  • 　　英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米(D2PAK的占板空間為150平方毫米)，高度僅為1毫米(D2PAK的高度為4.4毫米)。大幅縮小的封裝尺寸結(jié)合低寄生電感，使設(shè)計者能以全新方式有效降低高功率密度應(yīng)用所需的系統(tǒng)解決方案尺寸。 　　全新封裝采用表面貼裝方式，在8x8毫米的無管腳封裝內(nèi)，貼裝業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)TO-220晶粒，并具備金屬裸焊盤，便于內(nèi)部高效散熱。其低矮外形便于設(shè)計者設(shè)計出更薄的電源外殼，滿足當(dāng)今市場對時
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  MOSFET  SMD  ThinPAK   

MOSFET的UIS及雪崩能量解析

  • 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實際的應(yīng)用中評
  • 關(guān)鍵字： 解析  能量  雪崩  UIS  MOSFET  

基于功率MOSFET設(shè)計考量

  • 用作功率開關(guān)的MOSFET
    隨著數(shù)十年來器件設(shè)計的不斷優(yōu)化，功率MOSFET晶體管帶來了新的電路拓?fù)浜碗娫葱实奶嵘９β势骷碾娏黩?qū)動變?yōu)殡妷候?qū)動，加快了這些產(chǎn)品的市場滲透速度。上世紀(jì)80年代，平面柵極功率MOSFET
  • 關(guān)鍵字： 考量  設(shè)計  MOSFET  功率  基于  

Vishay推出30V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAK? 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET --- Si7625DN。在這種電壓等級和3.3mmx3.3mm占位面積的P溝道MOSFET中，該器件的導(dǎo)通電阻是最低的。 　　新款Si7625DN可用于筆記本電腦、上網(wǎng)本和工業(yè)/通用系統(tǒng)中的適配器、負(fù)載和電池開關(guān)。適配器開關(guān)(在適配器、墻上電源和電池電源之間切換)通常是開啟并且吸收電流。Si7625DN更低的
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  PowerPAK  TrenchFET  

集成式解決方案提高功率調(diào)節(jié)器的效率

  • 　　引言 　　通信電路板常常采用負(fù)載點(PoL)DC-DC轉(zhuǎn)換器來為數(shù)字IC (FPGA、DSP 及 ASIC) 供電。一般而言，一個48V的背板采用中間總線架構(gòu)(IBA)作為電路板的輸入電源，為不同負(fù)載點(PoL)供電，而中間電壓通常選為12V(見圖1)。這種傳統(tǒng)方案包含一個分立式PoL，該PoL是以分立的方式使用控制器、驅(qū)動器和MOSFET。由于該方案需要額外的設(shè)計和制造時間，故半導(dǎo)體供應(yīng)商目前開始轉(zhuǎn)而采用完全集成的調(diào)節(jié)器解決方案，以期縮短上市時間，減小PCB空間，并使終端應(yīng)用達(dá)到更高的效率水平。本
  • 關(guān)鍵字： Fairchild  電源設(shè)計  MOSFET  

英飛凌第二財季扭虧為盈 凈利潤1.042億美元

  • 　　據(jù)國外媒體報道，歐洲第二大芯片制造商英飛凌(Infineon Technologies AG)近日公布的財報顯示，結(jié)束于3月份的本財年第二財季凈利潤為7900萬歐元(約合1.042億美元)，去年同期虧損2.39億歐元;第二財季營收為 10億歐元，同比增長55%。 　　第二財季凈利潤好于分析師預(yù)期，營收與分析師預(yù)期相當(dāng)。據(jù)彭博社調(diào)查的分析師此前曾預(yù)計，該公司第二季度經(jīng)調(diào)整凈利潤7130萬歐元。第二財季為英飛凌連續(xù)第三季度實現(xiàn)盈利，而在那之前10個季度該公司累計虧損額高達(dá)39億歐元。 　　英飛凌上調(diào)了
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  MOSFET  
共1817條 105/122 |‹ « 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 » ›|

碳化硅(sic)mosfet介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473