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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

汽車啟動/停止系統(tǒng)電源方案

  • 為了限制油耗，一些汽車制造商在其新一代車型中應(yīng)用了“啟動/停止”(Start/Stop)功能。當(dāng)汽車停下來時，這些創(chuàng)新的新系統(tǒng)關(guān)閉發(fā)動機(jī);而當(dāng)駕駛?cè)说哪_從剎車踏板移向油門踏板時，就自動重新啟動發(fā)動機(jī)。這就幫助降低市區(qū)駕車及停停走走式的交通繁忙期時的油耗。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  二極管  PCB  穩(wěn)壓器  P-FET  

深度揭秘——電荷泵設(shè)計及應(yīng)用

  • 電荷泵的基本原理是，電容的充電和放電采用不同的連接方式，如并聯(lián)充電、串聯(lián)放電，串聯(lián)充電、并聯(lián)放電等，實(shí)現(xiàn)升壓、降壓、負(fù)壓等電壓轉(zhuǎn)換功能。
  • 關(guān)鍵字： 電荷泵  Cboot  MOSFET  電路  

Vishay推出業(yè)內(nèi)首款通過汽車電子元件標(biāo)準(zhǔn)

  • 2013 年 12 月12 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出通過AEC-Q101認(rèn)證的采用非對稱PowerPAK? SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  

Microchip推出三相無刷直流配套器件實(shí)現(xiàn)完整電機(jī)系統(tǒng)解決方案

  • 全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、混合信號、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布推出一款新型帶電源模塊的三相BLDC電機(jī)柵極驅(qū)動器MCP8024。該器件能夠?yàn)閐sPIC?數(shù)字信號控制器(DSC)和PIC?單片機(jī)(MCU)供電，同時驅(qū)動六個N溝道MOSFET。
  • 關(guān)鍵字： Microchip  電機(jī)系統(tǒng)  MCP8024  MOSFET  

EiceDRIVERTM 系列新品：1EDI Compact驅(qū)動器

  • 2013年12月4日，英飛凌科技股份公司(法蘭克福股票交易所股票代碼：IFX / 美國柜臺交易市場股票代碼：IFNNY)宣布，在今年的電氣自動化系統(tǒng)及元器件(SPS IPC Drives)貿(mào)易展上，英飛凌科技股份有限公司推出針對絕緣電壓高達(dá)1200伏的應(yīng)用的1EDI EiceDRIVERTM Compact單通道柵極驅(qū)動器。
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  驅(qū)動器  IGBT  MOSFET  

Vishay P溝道Gen III MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  導(dǎo)通電阻  

在光伏逆變器中運(yùn)用SiC BJT實(shí)現(xiàn)更低的系統(tǒng)成本

  • 最近，碳化硅(SiC)的使用為BJT賦予了新的生命，生產(chǎn)出一款可實(shí)現(xiàn)更高功率密度、更低系統(tǒng)成本且設(shè)計更簡易的...
  • 關(guān)鍵字： 光伏逆變器  SiC  BJT  

網(wǎng)絡(luò)化智能調(diào)光LED隧道照明系統(tǒng)

  • 摘要：本課題的主要研究內(nèi)容是根據(jù)《公路隧道通風(fēng)照明設(shè)計規(guī)范》要求研究設(shè)計了網(wǎng)絡(luò)化智能調(diào)光LED隧道燈控制系統(tǒng)。
  • 關(guān)鍵字： 智能調(diào)光  LED  隧道照明  光耦  MOSFET  201312  

高功率LED照明驅(qū)動應(yīng)用的新方法

  • 摘要：傳統(tǒng)高功率LED驅(qū)動電源大多采用直流并聯(lián)LED的方式工作，成本低，容易實(shí)現(xiàn)，但目前高亮度LED消耗的電流可達(dá)350mA甚至更高，因此傳統(tǒng)方法的損耗極大，效率低;本文提出了一種串聯(lián)輸入多并聯(lián)驅(qū)動電源的實(shí)現(xiàn)方法，具有高性價比，輸出電流大，失真度低，且具有優(yōu)異的串電流調(diào)節(jié)功能等優(yōu)點(diǎn)。
  • 關(guān)鍵字： LED  照明驅(qū)動  DC/DC  SIMPLE  MOSFET  201312  

東芝電子攜“智慧社區(qū)”亮相第十五屆高交會

  • 2013年11月22日，日本半導(dǎo)體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司宣布，在第十五屆中國國際高新技術(shù)成果交易會(簡稱高交會)電子展上圍繞“智慧與科技的雙贏，盡在東芝智能社區(qū)”這一主題，重點(diǎn)展示了面向移動終端、家用電器、汽車電子、工業(yè)電子以及存儲等五大應(yīng)用領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù)與解決方案。
  • 關(guān)鍵字： 東芝  存儲卡  MOSFET  

針對IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的驅(qū)動器設(shè)計

  • 引言對電能轉(zhuǎn)換而言，可再生能源電子細(xì)分市場是一個復(fù)雜且多樣化的競技場。在一些負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用中，開關(guān)型功率轉(zhuǎn)換...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  MOSFET  

通過基片薄型化降低導(dǎo)通電阻漸成趨勢

  • 　　通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導(dǎo)通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導(dǎo)通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。 　　目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達(dá)到230μm左右。為了進(jìn)一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關(guān)研發(fā)。 　　比如，羅姆通過研磨等工序?qū)iC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
  • 關(guān)鍵字： 三菱電機(jī)  SiC  

MOS管驅(qū)動電路總結(jié)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： MOS管  驅(qū)動電路  MOSFET  導(dǎo)通特性  AN799  

把握LED設(shè)計關(guān)鍵 實(shí)現(xiàn)情調(diào)照明

  • 一、LED的出現(xiàn)打破了傳統(tǒng)光源的設(shè)計方法與思路，目前有兩種最新的設(shè)計理念。1.情景照明:是2008年由飛...
  • 關(guān)鍵字： LED    MOSFET  

淺析MOSFET的UIS及雪崩能量

  • 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  電源設(shè)計  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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