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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

LTC4366浪涌抑制器入門簡介

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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內(nèi)置MOSFET降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器NJW1933

飛兆汽車級高速、低邊驅(qū)動器系列可提高效率、簡化設(shè)計

  • 使用功率MOSFET的汽車應(yīng)用要求柵極驅(qū)動器具備高峰值驅(qū)動電流和低輸出阻抗。來自飛兆半導(dǎo)體的 FAN31xx_F085 和FAN32xx_F085* 系列高速、低端汽車合格柵極驅(qū)動器(紐約證券交易所代碼： FCS)為電源和其他高效MOSFET開關(guān)應(yīng)用帶來了靈活性，可提供大量功能和性能組合選擇以創(chuàng)建緊湊、高效和可靠的設(shè)計。
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東芝針對移動設(shè)備的高電流充電電路將推出超緊湊型MOSFET

  • 東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布，該公司已經(jīng)為智能手機和平板電腦等移動設(shè)備的高電流充電電路的開關(guān)推出了超緊湊型MOSFET，包括兩種電池。
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東芝推出高壓MOSFET “πMOS VIII”系列

  • 東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布推出新系列高壓MOSFET “πMOS VIII”系列，并推出了該系列的首款產(chǎn)品“TK9J90E”，并計劃于2013年8月投入量產(chǎn)。
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東芝擴充低壓N通道MOSFET陣容

  • 東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布通過“MOSFET”擴充移動設(shè)備鋰離子電池和電源管理開關(guān)專用保護電路中使用的低壓N通道MOSFET的陣容。TPN2R203NC采用第八代工藝打造，實現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻，可減少設(shè)備的傳導(dǎo)損失。
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騙子成堆的LED燈具廠商……

利用理想二極管和熱插拔控制器隔離電源故障

  • 用肖特基二極管實現(xiàn)多電源系統(tǒng)有多種方式。例如，μTCA網(wǎng)絡(luò)及存儲服務(wù)器等高可用性電子系統(tǒng)都在其冗余電源系...
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東芝擴大用于基站和服務(wù)器的功率MOSFET陣容

  • 東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布為其用于基站和服務(wù)器的通用直流-直流轉(zhuǎn)換器功率MOSFET陣容增加60V電壓產(chǎn)品。這些產(chǎn)品使用最新的第八代低電壓溝槽結(jié)構(gòu)，并實現(xiàn)了頂尖[1]低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)性能。即日開始批量生產(chǎn)。
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東芝為基站和服務(wù)器推出30V電壓功率MOSFET

  • 東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布為專用于基站和服務(wù)器的通用DC-DC轉(zhuǎn)換器推出30V電壓功率MOSFET系列。這些產(chǎn)品采用了最新的第八代低壓溝槽結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了最高級別的低導(dǎo)通電阻和高速轉(zhuǎn)換。該系列產(chǎn)品計劃于6月底投入量產(chǎn)。
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對使用銅絲鍵合的功率MOSFET進行失效分析

  • 摘要：由于銅絲鍵合可以替代金鍵合，價格又便宜，正在被越來越多地應(yīng)用到微電子元器件當(dāng)中。目前的情況表明銅是可行的替代品，但是證明其可靠性還需要采用針對銅絲鍵合工藝的新型失效分析(FA)技術(shù)。
  • 關(guān)鍵字： 銅絲鍵合  MOSFET  金鍵合  失效分析  金屬層  201308  

利用PowerTrench MOSFET應(yīng)對更高功率密度的新挑戰(zhàn)

  • 引言隨著社會經(jīng)濟從紙張型向數(shù)字信息管理型方向發(fā)展，用于數(shù)據(jù)處理、存儲和網(wǎng)絡(luò)的數(shù)據(jù)中心在個人業(yè)務(wù)、學(xué)術(shù)...
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飛兆開發(fā)出SP 5智能功率模塊系列三相MOSFET逆變器解決方案

  • 　　電機控制系統(tǒng)設(shè)計人員需要能夠在嚴苛的應(yīng)用條件下，提高效率同時確保最高可靠性的解決方案。為此，飛兆半導(dǎo)體開發(fā)了SPM? 5 智能功率模塊系列三相 MOSFET 逆變器解決方案，為設(shè)計人員提供交流感應(yīng)電機 (ACIM) 和無刷直流電機逆變器解決方案，適用于功率最高為 200 W 的電機，包括風(fēng)扇電機、洗碗機和各種小型工業(yè)電機。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  MOSFET  SPM  

SiC和GaN是“下一代”還是“當(dāng)代”？

  • 　　SiC企業(yè)不斷增多，成本不斷下降”一文中，作者根津在開篇寫道：“下一代功率半導(dǎo)體已經(jīng)不再特別。”這是因為，隨著使用SiC和GaN等“下一代功率半導(dǎo)體”的大量發(fā)布，在學(xué)會和展會的舞臺上，這種功率半導(dǎo)體逐漸帶上了“當(dāng)代”的色彩。 　　那么，在使用功率半導(dǎo)體的制造現(xiàn)場，情況又是如何呢?雖然使用SiC和GaN的產(chǎn)品目前尚處開始增加的階段，仍屬于“下一代”，但在功率半導(dǎo)體使用者的心目中，此類產(chǎn)品已逐漸由
  • 關(guān)鍵字： SiC  GaN  

理想二極管和熱插拔控制器實現(xiàn)電源冗余并隔離故障

  • 用肖特基二極管實現(xiàn)多電源系統(tǒng)有多種方式。例如，μTCA 網(wǎng)絡(luò)及存儲服務(wù)器等高可用性電子系統(tǒng)都在其冗余電源系統(tǒng)中采用了肖特基二極管“或”電路。二極管“或”電路還用于采用備用電源的系統(tǒng)，例如 AC 交流適配器和備份電池饋送。
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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