碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)

SiC元件“真命天子” 溝道MOSFET即將實(shí)用化

高品質(zhì)的150mm口徑SiC基板已經(jīng)實(shí)現(xiàn)。我們將利用這種基板，在2015年投產(chǎn)“溝道型”SiCMOSFET’。在‘CEATECJ...
關(guān)鍵字： SiC元件 MOSFET

隨著汽車電子設(shè)備的不斷增多，如自動(dòng)變速箱，電動(dòng)后視鏡折疊、中控自動(dòng)門(mén)鎖等高級(jí)功能的普及，我們電控模塊的驅(qū)動(dòng)...
關(guān)鍵字：預(yù)驅(qū)動(dòng)器 MOSFET 控制功率

面臨為需求若渴的移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)提供新功能壓力的設(shè)計(jì)人員正在充分利用全新亞芯片級(jí)封裝(sub-CSP)技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，...
關(guān)鍵字： MOSFET 封裝

TrenchFET?IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代產(chǎn)品。與TrenchFETIII相比，TrenchFETIV的導(dǎo)通電阻(R...
關(guān)鍵字： MOSFET 器件設(shè)計(jì)

　　隨著電力電子技術(shù)的高速發(fā)展，電力電子設(shè)備與人們的工作、生活的關(guān)系日益密切，而電子設(shè)備都離不開(kāi)可靠的電源，進(jìn)入80年代計(jì)算機(jī)電源全面實(shí)現(xiàn)了開(kāi)關(guān)電源化，率先完成計(jì)算機(jī)的電源換代，進(jìn)入90年代開(kāi)關(guān)電源相繼進(jìn)入各種電子、電器設(shè)備領(lǐng)域，程控交換機(jī)、通訊、電子檢測(cè)設(shè)備電源、控制設(shè)備電源等都已廣泛地使用了開(kāi)關(guān)電源，更促進(jìn)了開(kāi)關(guān)電源技術(shù)的迅速發(fā)展。　　開(kāi)關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開(kāi)關(guān)管開(kāi)通和關(guān)斷的時(shí)間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開(kāi)關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制控制IC和MOSFET構(gòu)成。隨著電力電子技術(shù)的
關(guān)鍵字：開(kāi)關(guān)電源 MOSFET

2014年1月8日，高性能線性和電源解決方案、局域網(wǎng)以及時(shí)鐘管理和通信解決方案領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者麥瑞半導(dǎo)體公司(Micrel Inc.)(納斯達(dá)克股票代碼：MCRL)推出一款85V半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器MIC4605，該驅(qū)動(dòng)器具有自適應(yīng)停滯時(shí)間和擊穿保護(hù)功能。
關(guān)鍵字：麥瑞 MOSFET MIC4605 DC/AC

安森美半導(dǎo)體的NCV7513屬于FlexMOSTM產(chǎn)品系列中的一個(gè)系列，用于控制并保護(hù)N型邏輯電平MOSFET，包括安森美半導(dǎo)...
關(guān)鍵字：前置驅(qū)動(dòng)器 NCV7513 MOSFET

采用自保護(hù)MOSFET可以設(shè)計(jì)出高性價(jià)比的容錯(cuò)系統(tǒng)，但損害或毀壞自保護(hù)MOSFET器件的工作情況確實(shí)存在。只有在系...
關(guān)鍵字：汽車電子系統(tǒng) 自保護(hù) MOSFET 溫敏器件

電源技術(shù)的市場(chǎng)需求一直離不開(kāi)高能效和清潔能源，在這兩個(gè)大的市場(chǎng)需求推動(dòng)下，電源技術(shù)對(duì)高能效的追求已經(jīng)不是簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)能夠滿足的，新的高能效密度的新材料成為市場(chǎng)的主要推動(dòng)力。
關(guān)鍵字：電源管理 MOSFET 智能電網(wǎng) 201401

　　與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開(kāi)了激烈的開(kāi)發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。　　SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開(kāi)發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
關(guān)鍵字： SiC GaN

近年來(lái)，世界各國(guó)政府為了因應(yīng)全球氣候變暖，紛紛制定更嚴(yán)格的高能效法規(guī)與標(biāo)準(zhǔn)，提升電源能效，降低能耗，以期減輕對(duì)環(huán)境的壓力。
關(guān)鍵字：安森美 MOSFET LED 穩(wěn)壓器 AC-DC

現(xiàn)各大公司的MOSFET驅(qū)動(dòng)器層出不窮，主要是針對(duì)小功率使用，使用有很多限制。在工業(yè)應(yīng)用上，大批還是用傳統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)...
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)

移動(dòng)電話滲透率在已開(kāi)發(fā)市場(chǎng)達(dá)到了很高比例，而在世界上其他地區(qū)也不斷提高。根據(jù)GSMA的信息，先進(jìn)的歐洲國(guó)家的移動(dòng)用戶滲透率已經(jīng)超過(guò)90%。開(kāi)發(fā)中市場(chǎng)的平均滲透比例將由2012年的39%增加至2017年的47%，而且是未來(lái)5年內(nèi)刺激全球移動(dòng)市場(chǎng)增長(zhǎng)的最大因素。
關(guān)鍵字：安森美 MOSFET 電阻移動(dòng)設(shè)備 LED

對(duì)于MOSFET，工作時(shí)候與變壓器原邊串聯(lián)，由于變壓器漏感和MOSFET較大的開(kāi)通電容的影響，使得其關(guān)斷時(shí)候會(huì)承受一個(gè)...
關(guān)鍵字： MOSFET 變壓器

為了限制油耗，一些汽車制造商在其新一代車型中應(yīng)用了“啟動(dòng)/停止”(Start/Stop)功能。當(dāng)汽車停下來(lái)時(shí)，這些創(chuàng)新的新系統(tǒng)關(guān)閉發(fā)動(dòng)機(jī);而當(dāng)駕駛?cè)说哪_從剎車踏板移向油門(mén)踏板時(shí)，就自動(dòng)重新啟動(dòng)發(fā)動(dòng)機(jī)。這就幫助降低市區(qū)駕車及停停走走式的交通繁忙期時(shí)的油耗。
關(guān)鍵字： MOSFET 二極管 PCB 穩(wěn)壓器 P-FET