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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅（sic）

碳化硅（sic） 文章 進入碳化硅（sic）技術社區(qū)

躋身第三代半導體市場 ST助力全球碳中和

  • 　　隨著第三代半導體的工藝越來越成熟和穩(wěn)定，應用在工業(yè)和電動汽車上的產品也變得多樣化。作為半導體行業(yè)中的佼佼者，意法半導體同樣重視第三代半導體帶來的優(yōu)勢作用，推出了有關氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的一系列產品，有力地推動了第三代半導體在電動汽車和工業(yè)領域上的應用發(fā)展。2022年2月意法半導體召開媒體交流會，介紹了意法半導體在全球碳中和理念的背景下，如何通過創(chuàng)新技術和推出新的產品系列，為世界控制碳排放做出貢獻。　　據調查，工業(yè)領域中將電力利用效率提升1%，就能節(jié)約95.6億千瓦時的能源。這意味著節(jié)約了
  • 關鍵字： 意法半導體  ST  碳化硅  氮化鎵  202203  

Power Integrations推出業(yè)界首款內部集成1700V SiC MOSFET的汽車級高壓開關IC

三安集成：碳化硅車規(guī)產品“上車”，湖南基地實現規(guī)模交付

  • 新年第一個月，中國首條碳化硅全產業(yè)鏈垂直整合制造平臺 -- 湖南三安“喜提”多個好消息。長沙制造碳化硅二極管量產出貨并順利通過客戶驗證，車規(guī)級二極管接連獲得汽車行業(yè)客戶訂單。新能源汽車迎來“碳化硅元年”，湖南三安駛入發(fā)展快車道在化石燃料資源和環(huán)境問題面前，各國都發(fā)布了“雙碳”計劃。歐盟各國決定在2040-2060年間徹底禁止燃油車，拜登政府也計劃拿出超過600億美元用于推動家用車和公交車的電動化，日本則是通過提高行業(yè)燃油經濟性標準以促進新能源車普及。碳化硅功率器件以其出色的能源轉換效率，在充電樁、車載充電
  • 關鍵字： 三安集成  碳化硅  車規(guī)產品  

環(huán)旭電子預計在2022量產電動車用逆變器使用的IGBT與SiC電源模塊

  • 搭配電動車市場的快速成長，近年環(huán)旭電子（上海證券交易所股票代碼: 601231）開始布局切入功率半導體國際大廠的電源模塊的組裝生產與測試，近期獲得相當多歐美與日系客戶青睞，預計在2022正式量產電動車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據調研機構Canalys的報告指出，2021年上半年全球電動車銷量為260萬輛，與去年同期相比大幅成長160%，成長率遠高于全球整體汽車市場的26%。電動汽車市場成長帶動關鍵功率半導體組件和模塊需求，其中第三代半導體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
  • 關鍵字： 環(huán)旭電子  電動車用逆變器  IGBT  SiC  電源模塊  

環(huán)旭電子預計2022量產電動車用逆變器用IGBT與SiC電源模塊

  • 搭配電動車市場的快速成長，近年環(huán)旭電子（上海證券交易所股票代碼: 601231）開始布局切入功率半導體國際大廠的電源模塊的組裝生產與測試，近期獲得相當多歐美與日系客戶青睞，預計在2022正式量產電動車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據調研機構Canalys的報告指出，2021年上半年全球電動車銷量為260萬輛，與去年同期相比大幅成長160%，成長率遠高于全球整體汽車市場的26%。電動汽車市場成長帶動關鍵功率半導體組件和模塊需求，其中第三代半導體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
  • 關鍵字： 環(huán)旭電子  電動車用逆變器  IGBT  SiC  電源模塊  

深化碳中和愿景下的中歐科技創(chuàng)新合作

  • 11月27日， 由中國科學技術協(xié)會與深圳市人民政府共同主辦，由中國科協(xié)企業(yè)創(chuàng)新服務中心、深圳市科學技術協(xié)會承辦、深圳市科技交流服務中心、深圳基本半導體有限公司、深圳中歐創(chuàng)新中心執(zhí)行的“2021中歐科技創(chuàng)新合作發(fā)展論壇”專業(yè)論壇——“2021中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳隆重舉行。論壇上，來自國內及英國、法國、比利時等國際知名的科學家、科技組織、科研院校、行業(yè)協(xié)會、半導體企業(yè)及投資機構等泛第三代半導體產業(yè)生態(tài)圈的代表參與大會，共同探討中歐第三代半導體產業(yè)發(fā)展和應用現況及未來趨勢，并就如何深化“碳中和”目標
  • 關鍵字： 第三代半導體  碳化硅  

2021基本創(chuàng)新日盛大開啟 碳化硅系列新品重磅發(fā)布

  • 新基建和“雙碳”戰(zhàn)略目標推動下，第三代半導體產業(yè)正在開啟發(fā)展加速度，有望成為綠色經濟的中流砥柱，引領新一輪產業(yè)革命?！皠?chuàng)新為基，創(chuàng)芯為本”，11月27日，2021基本創(chuàng)新日活動在深圳盛大啟幕?；景雽w總經理和巍巍博士在會上發(fā)布了汽車級全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品，至此基本半導體產品布局進一步完善，產品競爭力再度提升，將助力國內第三代半導體產業(yè)進一步發(fā)展，受到了現場來自汽車、工業(yè)、消費等領域以及第三代半導體產業(yè)生態(tài)圈的多位業(yè)內人士的高度關注。汽車級全碳化硅功
  • 關鍵字： 第三代半導體  碳化硅  MOSFET  

Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列

  • 基礎半導體元器件領域的專家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二極管，正式進軍高功率碳化硅(SiC)二極管市場。這對于高效功率氮化鎵(GaN) FET的可靠供應商Nexperia而言是一項戰(zhàn)略性舉措，旨在擴展高壓寬禁帶半導體器件產品范圍。 Nexperia的首款SiC肖特基二極管為工業(yè)級器件，重復反向峰值電壓為650V(VRRM)，持續(xù)正向電流為10A(IF)，旨在為功率轉換應用實現超高性能、高效率、低損耗。以及兼容高壓的具有更高爬電距離的純雙引腳(R2P)封裝，使該系列
  • 關鍵字： Nexperia  碳化硅  SiC  二極管  

Qorvo?收購領先的碳化硅功率半導體供應商UnitedSiC公司

  • 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中RF解決方案的領先供應商Qorvo?,Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今天宣布，已收購位于新澤西州普林斯頓領先碳化硅（SiC）功率半導體供應商UnitedSiC公司。對UnitedSiC的收購擴大了Qorvo在快速增長的電動汽車（EV）、工業(yè)電源、電路保護、可再生能源和數據中心電源市場的影響力。UnitedSiC公司將成為Qorvo基礎設施和國防產品（IDP）業(yè)務之一，將由Chris Dries博士領導，他曾是UnitedSiC公司的總裁兼首席執(zhí)行官，現任Qorv
  • 關鍵字： SiC  電源  

恩智浦利用信號質量提升技術解決CAN FD帶寬限制難題

  • 恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）近日宣布其CAN信號質量提升（SIC）技術已用于TJA146x收發(fā)器系列中，并已經成功應用到長安汽車最新的平臺中。恩智浦的CAN SIC技術有效提升了CAN信號質量，使CAN FD網絡能夠在更大型復雜網絡中運行，實現更快的數據傳輸速率。這項經濟高效的技術能夠擴展CAN FD的潛力和靈活性，從而應對下一代汽車的網絡挑戰(zhàn)。中國汽車制造商長安汽車是第一家在生產中采用恩智浦的CAN SIC技術的汽車客戶?！? ?長安汽車成為第一家采
  • 關鍵字： OEM  SiC  

碳化硅在新能源汽車中的應用現狀與導入路徑

  • 碳化硅具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等特點，可以很好地滿足新能源汽車電動化發(fā)展趨勢，引領和加速了汽車電動化進程，對新能源汽車發(fā)展具有重要意義。我國新能源汽車正處于市場導入期到產業(yè)成長期過渡的關鍵階段，汽車產銷量、保有量連續(xù)6年居世界首位，在全球產業(yè)體系當中占了舉足輕重的地位。新能源汽車產業(yè)的飛速發(fā)展，極大地推動了碳化硅產業(yè)發(fā)展與技術創(chuàng)新，為碳化硅產品的技術驗證和更新迭代提供了大量數據樣本。
  • 關鍵字： 碳化硅  新能源汽車  功率半導體  202110  MOSFET  SiC  

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)誰是寬禁帶(WBG)材料的未來？

  • 以GaN和SiC為代表第三代半導體正處于高速發(fā)展的階段，Si和GaAs等第一、二代半導體材料也仍在產業(yè)中大規(guī)模應用。但不可否認，第三代半導體確實具有更多的性能優(yōu)勢。
  • 關鍵字： 碳化硅  SiC  氮化鎵  GaN  寬禁帶  WBG  

Microchip首款碳化硅MOSFET 可降低50%開關損耗

  • 隨著對電動公共汽車和其他電氣化重型運輸車輛的需求增加，以滿足更低的碳排放目標，基于碳化硅的電源管理解決方案正在為此類運輸系統(tǒng)提供更高效率。為了進一步擴充其廣泛的碳化硅MOSFET分離式和模塊產品組合，Microchip推出一款全新 ”生產就緒”的1200V數字柵極驅動器，為系統(tǒng)開發(fā)人員提供多層級的控制和保護，以實現安全、可靠的運輸并滿足嚴格的行業(yè)要求。 Microchip推出首款碳化硅MOSFET數字柵極驅動器，可降低50%開關損耗對于碳化硅電源轉換設備的設計人員來說，Microchip的Agi
  • 關鍵字： Microchip  碳化硅  MOSFET  

圖騰柱 PFC 級受益于CoolSiC? MOSFET

  • 無橋式圖騰柱功率因數校正（PFC） 級可用于滿足嚴格的效率標準，但使用硅 MOSFET 時出現的較高損耗是不可接受的，而解決方案則是使用寬帶隙碳化硅（SiC）器件。本文將討論能夠實現這些改進的 SiC器件性能參數。
  • 關鍵字： 碳化硅  圖騰柱 PFC  體二極管  恢復  電荷  效率  損耗  輸出電容  

意法半導體收購Norstel AB 強化碳化硅產業(yè)供應鏈

  • 近年隨著電動汽車產業(yè)崛起，碳化硅（SiC）功率半導體市場需求激增，吸引產業(yè)鏈相關企業(yè)的關注，國際間碳化硅(SiC)晶圓的開發(fā)驅使SiC爭奪戰(zhàn)正一觸即發(fā)。與硅(Si)相比，碳化硅是具有比硅更寬的能帶隙(energy bandgap，Eg)的半導體；再者，碳化硅具有更高的擊穿電場 (breakdown electric field，Ec)，因此可被用于制造功率組件應用之電子電路的材料，因為用碳化硅制成的芯片即使厚度相對小也能夠經受得起相對高的電壓。表一分別示出了硅和碳化硅的能帶隙(Eg)、擊穿電場(Ec)和電
  • 關鍵字： 意法半導體  Norstel AB  碳化硅  SiC  
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碳化硅（sic）介紹

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