碳化硅（sic）文章進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區(qū)

快速充電用AC/DC電源設(shè)計(jì)

提出了一種新型快速充電策略，并設(shè)計(jì)和制作了可滿足12 V/40 Ah鋰電池組快速充電需求的高功率密度AC/DC電源，介紹了AC/DC電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、關(guān)鍵元件選型及參數(shù)計(jì)算?？焖俪潆娖鬏斎隤F大于0.98，額定工作點(diǎn)效率大于90%?？蓪?shí)現(xiàn)12.8 V/40 Ah鋰電池組3小時(shí)內(nèi)100%SoC快速充電。
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寬禁帶技術(shù)-下一代功率器件

　　行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的收緊和政府法規(guī)的改變是使產(chǎn)品能效更高的關(guān)鍵推動(dòng)因素。例如，數(shù)據(jù)中心正在成倍增長(zhǎng)以滿足需求。它們使用的電力約占世界總電力供應(yīng)(400千瓦時(shí))的3%，占溫室氣體排放總量的2%。航空業(yè)的碳排放量也一樣。隨著對(duì)能源的巨大需求，各國(guó)政府正在采取更嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)和新的監(jiān)管措施，以確保所有依賴能源的產(chǎn)品都需具有最高能效。　　同時(shí)，我們看到對(duì)更高功率密度和更小空間的要求。電動(dòng)汽車正盡量減輕重量和提高能效，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)這一目
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羅姆首次亮相“2018北京國(guó)際汽車制造業(yè)暨工業(yè)裝配博覽會(huì)”

　　全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆于2018年7月19日-21日首次亮相在北京中國(guó)國(guó)際展覽中心舉辦的“2018北京國(guó)際汽車制造業(yè)暨工業(yè)裝配博覽會(huì)”(展位號(hào)：2展館T213)。以“用半導(dǎo)體為汽車的未來(lái)做貢獻(xiàn)”為理念，帶來(lái)了新能源汽車、汽車小型化輕量化、自動(dòng)駕駛、人機(jī)交互等相關(guān)領(lǐng)先半導(dǎo)體產(chǎn)品?！　×_姆展臺(tái)人頭攢動(dòng)　　在 “Formula E國(guó)際汽聯(lián)電動(dòng)方程式錦標(biāo)賽”特別展示區(qū)以及“xEV”、“環(huán)保/節(jié)能”、“安全/舒適”三大展區(qū)內(nèi)，重點(diǎn)展示了以下產(chǎn)品和技術(shù)：　　? 先進(jìn)的SiC(碳化硅)技術(shù)：助力 “Formula
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德州儀器CTO：TI顛覆性技術(shù)將引領(lǐng)我們快速前進(jìn)

　　當(dāng)我坐在電動(dòng)汽車上踩下加速踏板，時(shí)速在3秒之內(nèi)就能從0飆升到近100公里——我非常享受這個(gè)過(guò)程。正如我駕車疾馳在高速公路快車道上，而新一代技術(shù)將載著我們馳騁在大數(shù)據(jù)公路的快車道上?！　诚胍幌?，新技術(shù)將影響著我們未來(lái)的工作和生活：　　· 汽車組裝生產(chǎn)線上將重新配置協(xié)作機(jī)器人，由它們來(lái)組裝不同型號(hào)的車輛。這將在降低成本的同時(shí)大大提高生產(chǎn)力，發(fā)揮競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。今天，重置一個(gè)這樣的工廠可能需要幾年的時(shí)間。　　· 機(jī)器視覺(jué)技術(shù)將使人們即使在夜間、霧天和灰塵的環(huán)境下，駕駛時(shí)也可清晰視物?！　　?充電器尺寸將縮小到信
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應(yīng)用角：云電源

　　云電源是描述用于傳輸、存儲(chǔ)和處理云數(shù)據(jù)的設(shè)備的電源的通用術(shù)語(yǔ)。在電信或傳輸應(yīng)用中，云電源將為基帶單元和遠(yuǎn)程無(wú)線電單元供電。用于存儲(chǔ)和處理的服務(wù)器機(jī)群還需要大型不間斷電源，以確保在暫時(shí)斷電時(shí)用戶仍可訪問(wèn)云。每臺(tái)服務(wù)器還將需要一個(gè)電源單元(PSU)，以及眾多的DC-DC轉(zhuǎn)換器來(lái)提供負(fù)載點(diǎn)電源?！　∮捎谖锫?lián)網(wǎng)顯著增加了捕獲某種數(shù)據(jù)的端點(diǎn)數(shù)(2017年付運(yùn)約20億臺(tái)設(shè)備，比2015年增長(zhǎng)54%)，因此需要大量的存儲(chǔ)器來(lái)處理和存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。為此，正在構(gòu)建大型服務(wù)器機(jī)群，這些機(jī)群將消耗大量電力。電源轉(zhuǎn)換將產(chǎn)生熱量，終
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低功耗SiC二極管實(shí)現(xiàn)最高功率密度

　　相較于硅，碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體?！　“采腊雽?dǎo)體擴(kuò)展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。工程師在設(shè)計(jì)用于太陽(yáng)能光伏逆變器、電動(dòng)車/混和動(dòng)力電動(dòng)車(EV / HEV)充電器、電信電源和數(shù)據(jù)中心電源等各類應(yīng)用的PFC和升壓轉(zhuǎn)換器時(shí)，往往面對(duì)在更小尺寸實(shí)現(xiàn)更高能效的挑戰(zhàn)。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑
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工業(yè)設(shè)備輔助電源驅(qū)動(dòng)用的SiC電源解決方案

　　前言　　包括光伏逆變器、電氣驅(qū)動(dòng)裝置、UPS及HVDC在內(nèi)的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，需要柵極驅(qū)動(dòng)器、微控制器、顯示器、傳感器及風(fēng)扇來(lái)使系統(tǒng)正常運(yùn)行。這類產(chǎn)品需要能夠提供12V或24V低電壓電源的輔助電源。輔助電源則需要輸入通常工業(yè)設(shè)備所使用的三相400/480V AC電源、或太陽(yáng)能光伏逆變器所使用的高電壓DC電源才能工作。本文將介紹融入了ROHM的SiC技術(shù)優(yōu)勢(shì)且設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、性價(jià)比高的電源解決方案?！　⌒⌒洼o助電源用SiC MOSFET　　圖1是輔助電源所用的普通電路。在某些輸入電壓條件下，MOSFET的最高耐壓
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我國(guó)半導(dǎo)體SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)新突破

　　6月5日，在中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所(簡(jiǎn)稱中國(guó)電科二所)生產(chǎn)大樓內(nèi)，100臺(tái)碳化硅(SiC)單晶生長(zhǎng)設(shè)備正在高速運(yùn)行，SiC單晶就在這100臺(tái)設(shè)備里“奮力”生長(zhǎng)。　　中國(guó)電科二所第一事業(yè)部主任李斌說(shuō)：“這100臺(tái)SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備和粉料都是我們自主研發(fā)和生產(chǎn)的。我們很自豪，正好咱們自己能生產(chǎn)了。”　　SiC單晶是第三代半導(dǎo)體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率等特性，成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達(dá)、衛(wèi)星通訊、高壓
關(guān)鍵字： SiC

我國(guó)半導(dǎo)體SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)新突破

　　6月5日，在中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所(簡(jiǎn)稱中國(guó)電科二所)生產(chǎn)大樓內(nèi)，100臺(tái)碳化硅(SiC)單晶生長(zhǎng)設(shè)備正在高速運(yùn)行，SiC單晶就在這100臺(tái)設(shè)備里“奮力”生長(zhǎng)。　　中國(guó)電科二所第一事業(yè)部主任李斌說(shuō)：“這100臺(tái)SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備和粉料都是我們自主研發(fā)和生產(chǎn)的。我們很自豪，正好咱們自己能生產(chǎn)了。”　　SiC單晶是第三代半導(dǎo)體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率等特性，成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達(dá)、衛(wèi)星通訊、高壓
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安森美半導(dǎo)體發(fā)布碳化硅(SiC)二極管用于要求嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用

　　推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，發(fā)布了碳化硅(SiC)肖特基二極管的擴(kuò)展系列，包括專門用于要求嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用的器件。新的符合AEC-Q101車規(guī)的汽車級(jí)SiC二極管提供現(xiàn)代汽車應(yīng)用所需的可靠性和強(qiáng)固性，以及等同于寬禁隙(WBG)技術(shù)的眾多性能優(yōu)勢(shì)?！　iC技術(shù)提供比硅器件更佳的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。SiC二極管沒(méi)有反向恢復(fù)電流，開(kāi)關(guān)性能與溫度無(wú)關(guān)。極佳的熱性能、增加的功率密度和降低的電磁干擾(EMI)，減小的系統(tǒng)尺寸和降低的成本使SiC
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美高森美繼續(xù)擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)品組合提供下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V肖特基勢(shì)壘二極管器件

　　致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初擴(kuò)大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二極管產(chǎn)品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)和相應(yīng)的裸片。美高森美將參展6月5日至7日在德國(guó)紐倫堡展覽中心舉行的PCIM歐洲電力電子展，在6號(hào)展廳318展臺(tái)展示這些SiC解決方案以及SiC SBD
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ROHM集團(tuán)Apollo筑后工廠將投建新廠房, 以強(qiáng)化SiC功率元器件的產(chǎn)能

　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM為加強(qiáng)需求日益擴(kuò)大的SiC功率元器件的生產(chǎn)能力，決定在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)的筑后工廠投建新廠房。　　新廠房為地上3層建筑，總建筑面積約11,000㎡?，F(xiàn)在，具體設(shè)計(jì)工作正在有條不紊地進(jìn)行，預(yù)計(jì)將于2019年動(dòng)工，于2020年竣工?！　OHM自2010年開(kāi)始量產(chǎn)SiC功率元器件(SiC-SBD、SiC-MOSFET)以來(lái)，于世界首家量產(chǎn)“全SiC”功率模塊和溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET，不斷進(jìn)行著領(lǐng)先業(yè)界的技
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國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁丁文武一行調(diào)研基本半導(dǎo)體

　　4月9日上午，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁丁文武一行蒞臨基本半導(dǎo)體考察調(diào)研。　　基本半導(dǎo)體董事長(zhǎng)汪之涵博士向丁文武介紹了公司自主研發(fā)的碳化硅功率器件產(chǎn)品，包括性能達(dá)到國(guó)際一流水平的碳化硅JBS二極管和MOSFET三極管，以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圓片?！　‰S后丁文武一行聽(tīng)取了基本半導(dǎo)體總經(jīng)理和巍巍博士對(duì)公司發(fā)展情況的匯報(bào)。丁文武對(duì)基本半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新和戰(zhàn)略定位予以充分肯定，并鼓勵(lì)公司團(tuán)隊(duì)再接再厲，立足創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)，不斷發(fā)展壯大，成為中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)?！　?guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金是為促進(jìn)集
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ROHM炫動(dòng)慕展，為汽車車載帶來(lái)一大波方案

　　ROHM不久前亮相"2018慕尼黑上海電子展"，并占據(jù)館內(nèi)的入口人氣位置，以炫動(dòng)的賽車和動(dòng)感十足的汽車產(chǎn)品，吸引觀眾的眼球。那么，這次ROHM重點(diǎn)帶來(lái)了什么汽車新品?　　據(jù)悉，此次展會(huì)圍繞“汽車電子”和“工業(yè)設(shè)備”，重點(diǎn)展示了功率電源產(chǎn)品及解決方案。　　圖：ROHM展臺(tái)設(shè)在展館入口處，動(dòng)感賽車吸引眼球　　賽車性能突破極限，因?yàn)橛蠸iC　　視頻上吸睛的車隊(duì)是文圖瑞電動(dòng)方程式車隊(duì)?(Venturi?Formula?E?Team)?，RO
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SiC將與IGBT或MOSFET共存

雖然碳化硅有成本方面的問(wèn)題，但是其眾所周知的在各個(gè)高端應(yīng)用中所表現(xiàn)出的高性能也能夠彌補(bǔ)其在價(jià)格方面的短板，尤其是在電動(dòng)車與再生能源越來(lái)越受到重視，將為中功率、高功率應(yīng)用領(lǐng)域帶來(lái)大量需求。氮化鎵技術(shù)能夠降低成本，又能夠保持半導(dǎo)體器件的優(yōu)越性能，在中、低功率應(yīng)用領(lǐng)域具備擁有巨大潛力。但也并不是說(shuō)將來(lái)所有的功率器件都會(huì)被碳化硅替代，我們認(rèn)為碳化硅和現(xiàn)存的IGBT或MOSFET都能在其有優(yōu)勢(shì)的領(lǐng)域中共同發(fā)揮所長(zhǎng)，共生共棲。
關(guān)鍵字：瑞薩，碳化硅