首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅（sic）

恩智浦利用信號質(zhì)量提升技術(shù)解決CAN FD帶寬限制難題

  • 恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）近日宣布其CAN信號質(zhì)量提升（SIC）技術(shù)已用于TJA146x收發(fā)器系列中，并已經(jīng)成功應用到長安汽車最新的平臺中。恩智浦的CAN SIC技術(shù)有效提升了CAN信號質(zhì)量，使CAN FD網(wǎng)絡能夠在更大型復雜網(wǎng)絡中運行，實現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)傳輸速率。這項經(jīng)濟高效的技術(shù)能夠擴展CAN FD的潛力和靈活性，從而應對下一代汽車的網(wǎng)絡挑戰(zhàn)。中國汽車制造商長安汽車是第一家在生產(chǎn)中采用恩智浦的CAN SIC技術(shù)的汽車客戶?！? ?長安汽車成為第一家采
  • 關(guān)鍵字： OEM  SiC  

碳化硅在新能源汽車中的應用現(xiàn)狀與導入路徑

  • 碳化硅具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等特點，可以很好地滿足新能源汽車電動化發(fā)展趨勢，引領和加速了汽車電動化進程，對新能源汽車發(fā)展具有重要意義。我國新能源汽車正處于市場導入期到產(chǎn)業(yè)成長期過渡的關(guān)鍵階段，汽車產(chǎn)銷量、保有量連續(xù)6年居世界首位，在全球產(chǎn)業(yè)體系當中占了舉足輕重的地位。新能源汽車產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，極大地推動了碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展與技術(shù)創(chuàng)新，為碳化硅產(chǎn)品的技術(shù)驗證和更新迭代提供了大量數(shù)據(jù)樣本。
  • 關(guān)鍵字： 碳化硅  新能源汽車  功率半導體  202110  MOSFET  SiC  

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)誰是寬禁帶(WBG)材料的未來？

  • 以GaN和SiC為代表第三代半導體正處于高速發(fā)展的階段，Si和GaAs等第一、二代半導體材料也仍在產(chǎn)業(yè)中大規(guī)模應用。但不可否認，第三代半導體確實具有更多的性能優(yōu)勢。
  • 關(guān)鍵字： 碳化硅  SiC  氮化鎵  GaN  寬禁帶  WBG  

Microchip首款碳化硅MOSFET 可降低50%開關(guān)損耗

  • 隨著對電動公共汽車和其他電氣化重型運輸車輛的需求增加，以滿足更低的碳排放目標，基于碳化硅的電源管理解決方案正在為此類運輸系統(tǒng)提供更高效率。為了進一步擴充其廣泛的碳化硅MOSFET分離式和模塊產(chǎn)品組合，Microchip推出一款全新 ”生產(chǎn)就緒”的1200V數(shù)字柵極驅(qū)動器，為系統(tǒng)開發(fā)人員提供多層級的控制和保護，以實現(xiàn)安全、可靠的運輸并滿足嚴格的行業(yè)要求。 Microchip推出首款碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅(qū)動器，可降低50%開關(guān)損耗對于碳化硅電源轉(zhuǎn)換設備的設計人員來說，Microchip的Agi
  • 關(guān)鍵字： Microchip  碳化硅  MOSFET  

圖騰柱 PFC 級受益于CoolSiC? MOSFET

  • 無橋式圖騰柱功率因數(shù)校正（PFC） 級可用于滿足嚴格的效率標準，但使用硅 MOSFET 時出現(xiàn)的較高損耗是不可接受的，而解決方案則是使用寬帶隙碳化硅（SiC）器件。本文將討論能夠?qū)崿F(xiàn)這些改進的 SiC器件性能參數(shù)。
  • 關(guān)鍵字： 碳化硅  圖騰柱 PFC  體二極管  恢復  電荷  效率  損耗  輸出電容  

意法半導體收購Norstel AB 強化碳化硅產(chǎn)業(yè)供應鏈

  • 近年隨著電動汽車產(chǎn)業(yè)崛起，碳化硅（SiC）功率半導體市場需求激增，吸引產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的關(guān)注，國際間碳化硅(SiC)晶圓的開發(fā)驅(qū)使SiC爭奪戰(zhàn)正一觸即發(fā)。與硅(Si)相比，碳化硅是具有比硅更寬的能帶隙(energy bandgap，Eg)的半導體；再者，碳化硅具有更高的擊穿電場 (breakdown electric field，Ec)，因此可被用于制造功率組件應用之電子電路的材料，因為用碳化硅制成的芯片即使厚度相對小也能夠經(jīng)受得起相對高的電壓。表一分別示出了硅和碳化硅的能帶隙(Eg)、擊穿電場(Ec)和電
  • 關(guān)鍵字： 意法半導體  Norstel AB  碳化硅  SiC  

羅姆為電動汽車充電樁打造高效解決方案

  • 引言全球能源短缺和大氣污染問題日益嚴峻,汽車產(chǎn)業(yè)綠色低碳發(fā)展已成為降低全社會碳排放、增強國家競爭力的有效手段。作為領先的功率半導體廠商之一,羅姆一直致力于技術(shù)創(chuàng)新,研發(fā)各種高效、高品質(zhì)的功率器件,為大功率智能充電站提供安全可靠的解決方案,在支持綠色出行的同時助力全面低碳社會的可持續(xù)發(fā)展?？s短充電時間的高輸出挑戰(zhàn)對電動汽車車主來說,縮短充電時間是非常重要的訴求,而大功率充電是其中關(guān)鍵的支撐技術(shù)。提升續(xù)航距離需要増加電池容量,為縮短充電時間,需要高輸出能力的充電樁,如360kW的充電樁要搭載9個40kW的電源
  • 關(guān)鍵字： 充電樁  碳化硅  

意法半導體制造首批8吋碳化硅晶圓

  • 意法半導體（STMicroelectronics）宣布，ST瑞典Norrkoping工廠制造出首批8吋（200mm）碳化硅（SiC）晶圓，這些晶圓將用于生產(chǎn)下一代功率電子芯片產(chǎn)品原型。將SiC晶圓升級到8吋代表著ST針對汽車和工業(yè)客戶的擴產(chǎn)計劃獲得重要階段性的成功，其鞏固了ST在此一開創(chuàng)性技術(shù)領域的領導地位，且提升了功率電子芯片的輕量化和效能，降低客戶獲取這些產(chǎn)品的擁有總成本。 意法半導體制造首批8吋碳化硅晶圓意法半導體首批8吋SiC晶圓質(zhì)量十分優(yōu)良，對于芯片良率和晶體位錯誤之缺陷非常低。其低缺
  • 關(guān)鍵字： 意法半導體  碳化硅  

鄭有炓院士：第三代半導體迎來新發(fā)展機遇

  • 半導體材料是信息技術(shù)的核心基礎材料，一代材料、一代技術(shù)、一代產(chǎn)業(yè)，半個多世紀來從基礎技術(shù)層面支撐了信息技術(shù)翻天覆地的變化，推動了電子信息科技產(chǎn)業(yè)可持續(xù)蓬勃發(fā)展。同樣地，信息技術(shù)和電子信息科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求又驅(qū)動了半導體材料與技術(shù)的發(fā)展。第三代半導體材料及其應用第三代半導體是指以GaN、SiC為代表的寬禁帶半導體材料，它是繼20世紀50年代以Ge、Si為代表的第一代半導體和70年代以GaAs、InP為代表的第二代半導體之后于90年代發(fā)展起來的新型寬禁帶半導體材料，即禁帶寬度明顯大于Si（1.12 eV）和Ga
  • 關(guān)鍵字： 第三代半導體  SiC  

汽車電氣化的部分關(guān)鍵技術(shù)及ST的解決方案

  • 1? ?汽車電氣化的趨勢和挑戰(zhàn)汽車市場中與電氣化相關(guān)的應用是減少交通碳排放影響的關(guān)鍵因素。中國領導人在2020年9 月提出中國要在2030年碳達峰，2060 年實現(xiàn)碳中和的目標。為了實現(xiàn)碳中和，減少能源使用中的碳排放是其中的重要一環(huán)。電能是清潔、高效的能源品種，用電能作為主要的能源消耗可以大幅減少碳排放。同時也要發(fā)展低排放的清潔能源作為主要發(fā)電的能源。中國交通運輸行業(yè)碳排放占比達10%，而公路運輸占其中的74%，主要來自燃油車的排放。因此，發(fā)展電動汽車并逐漸從燃油車過渡到電動汽車對減少
  • 關(guān)鍵字： 202108  SiC  BMS  

清潔安全的汽車將由功能電子化和自動駕駛賦能

  • 未來的汽車將是清潔和安全的汽車，由先進的汽車功能電子化和自動駕駛技術(shù)賦能。安森美半導體汽車戰(zhàn)略及業(yè)務拓展副總裁 Joseph Notaro1? ?功率器件賦能電動汽車電動車可幫助實現(xiàn)零排放，其市場發(fā)展是令人興奮和充滿生機的，隨著電動車銷售不斷增長，必須推出滿足駕駛員需求的基礎設施，以提供一個快速充電站網(wǎng)絡，使他們能夠快速完成行程，而沒有“續(xù)航里程焦慮癥”。這一領域的要求正在迅速發(fā)展，需要超過350 kW 的功率水平和95% 的能效成為“常規(guī)”。鑒于這些充電樁部署在不同的環(huán)境和地點，緊湊
  • 關(guān)鍵字： 202108  SiC  汽車  OBC  

安森美半導體：為關(guān)鍵應用推出系列綠色解決方案

  • 1? ?關(guān)注關(guān)鍵應用的節(jié)能減排安森美半導體提供所有應用的電力電子解決方案，也專注于一些關(guān)鍵應用，包括能源基礎設施（太陽能轉(zhuǎn)換、儲能、電動車充電站/ 樁）、工業(yè)、云計算和5G 基礎設施。這些市場都有其獨特的技術(shù)挑戰(zhàn)。這些挑戰(zhàn)由相同因素的不同組合驅(qū)動：提高能效、減小尺寸和質(zhì)量以及優(yōu)化系統(tǒng)成本或擁有成本。例如太陽能轉(zhuǎn)換，從集中式逆變器到組串式逆變器的轉(zhuǎn)變消除了逆變器的單點故障風險。如果一個組串式逆變器停止工作，仍可用其他組串來發(fā)電。它還有個額外的好處，就是能對較少量的面板進行最大功率點追蹤。
  • 關(guān)鍵字： 202107  SiC  

碳化硅基板及磊晶成長領域 環(huán)球晶布局掌握關(guān)鍵技術(shù)

  • 由于5G、電動車、高頻無線通信及國防航天等新興科技趨勢的興起，產(chǎn)業(yè)對于高頻率、低耗損的表現(xiàn)需求日益增加，如何在高溫、高頻率及高電壓等惡劣環(huán)境作業(yè)下?lián)p失較少功率的化合物半導體材料，備受產(chǎn)業(yè)期待。而基于碳化硅（SiC）芯片制作寬能隙半導體的器件，能夠滿足傳統(tǒng)硅基半導體所不能滿足的諸多優(yōu)點。放眼全球化合物半導體大廠，碳化硅（SiC）晶圓的供應以美國大廠Cree為首，是具有上下游整合制造能力的整合組件制造商（IDM），在碳化硅之全球市占率高達六至七成。磊晶廠則以美國的II-VI Incorporated為代表；模
  • 關(guān)鍵字： 碳化硅  寬能隙半導體  

采用SiC FET盡可能提升圖騰柱PFC級的能效

  • 圖騰柱PFC電路能顯著改善交流輸入轉(zhuǎn)換器的效率，但是主流半導體開關(guān)技術(shù)的局限性使其不能發(fā)揮全部潛力。不過，SiC FET能突破這些局限性。本文介紹了如何在數(shù)千瓦電壓下實現(xiàn)99.3%以上的效率。正文交流輸入電源的設計師必須竭力滿足許多要求，包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他們通常需要進行權(quán)衡取舍，一個好例子是既要求達到服務器電源的“鈦”標準等能效目標，又要用功率因素校正（PFC）將線路諧波發(fā)射保持在低水平，以幫助電網(wǎng)可靠高效地運行。在大部分情況下，會通過升壓轉(zhuǎn)換器部分實施PFC，升壓轉(zhuǎn)換器會將整流后
  • 關(guān)鍵字： SiC FET  PFC  

SiC大戰(zhàn)拉開帷幕，中國勝算幾何

  • 近些年，隨著電動汽車以及其他系統(tǒng)的增長，碳化硅（SiC）功率半導體市場正在經(jīng)歷需求的突然激增，因此也吸引了產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的關(guān)注。在產(chǎn)業(yè)應用進一步成熟的趨勢下，SiC的爭奪戰(zhàn)正一觸即發(fā)。碳化硅材料之殤SiC器件成本高的一大原因就是SiC襯底貴，目前，襯底成本大約是加工晶片的50%，外延片是25%，器件晶圓生產(chǎn)環(huán)節(jié)20%，封裝測試環(huán)節(jié)5%。SiC襯底不止貴，生產(chǎn)工藝還復雜，與硅相比，碳化硅很難處理、研磨和鋸切，挑戰(zhàn)非常大。所以大多數(shù)企業(yè)都是從Cree、Rohm等供應商購買襯底。SiC器件廣泛用于光伏逆變器、工
  • 關(guān)鍵字： SiC  功率半導體  
共637條 26/43 |‹ « 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 » ›|

碳化硅（sic）介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅（sic）!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅（sic）的理解，并與今后在此搜索碳化硅（sic）的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473