碳化硅(sic) 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)技術(shù)社區(qū)
國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁丁文武一行調(diào)研基本半導(dǎo)體
- 4月9日上午,國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁丁文武一行蒞臨基本半導(dǎo)體考察調(diào)研?! 』景雽?dǎo)體董事長汪之涵博士向丁文武介紹了公司自主研發(fā)的碳化硅功率器件產(chǎn)品,包括性能達(dá)到國際一流水平的碳化硅JBS二極管和MOSFET三極管,以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圓片?! ‰S后丁文武一行聽取了基本半導(dǎo)體總經(jīng)理和巍巍博士對公司發(fā)展情況的匯報(bào)。丁文武對基本半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新和戰(zhàn)略定位予以充分肯定,并鼓勵(lì)公司團(tuán)隊(duì)再接再厲,立足創(chuàng)新驅(qū)動,不斷發(fā)展壯大,成為中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)?! 壹呻娐樊a(chǎn)業(yè)投資基金是為促進(jìn)集
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ROHM炫動慕展,為汽車車載帶來一大波方案
- ROHM不久前亮相"2018慕尼黑上海電子展",并占據(jù)館內(nèi)的入口人氣位置,以炫動的賽車和動感十足的汽車產(chǎn)品,吸引觀眾的眼球。那么,這次ROHM重點(diǎn)帶來了什么汽車新品? 據(jù)悉,此次展會圍繞“汽車電子”和“工業(yè)設(shè)備”,重點(diǎn)展示了功率電源產(chǎn)品及解決方案?! D:ROHM展臺設(shè)在展館入口處,動感賽車吸引眼球 賽車性能突破極限,因?yàn)橛蠸iC 視頻上吸睛的車隊(duì)是文圖瑞電動方程式車隊(duì)?(Venturi?Formula?E?Team)?,RO
- 關(guān)鍵字: ROHM SiC
SiC將與IGBT或MOSFET共存
- 雖然碳化硅有成本方面的問題,但是其眾所周知的在各個(gè)高端應(yīng)用中所表現(xiàn)出的高性能也能夠彌補(bǔ)其在價(jià)格方面的短板,尤其是在電動車與再生能源越來越受到重視,將為中功率、高功率應(yīng)用領(lǐng)域帶來大量需求。氮化鎵技術(shù)能夠降低成本,又能夠保持半導(dǎo)體器件的優(yōu)越性能,在中、低功率應(yīng)用領(lǐng)域具備擁有巨大潛力。但也并不是說將來所有的功率器件都會被碳化硅替代,我們認(rèn)為碳化硅和現(xiàn)存的IGBT或MOSFET都能在其有優(yōu)勢的領(lǐng)域中共同發(fā)揮所長,共生共棲。
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SiC和GaN產(chǎn)品市場趨勢及力特提供的產(chǎn)品
- 硅半導(dǎo)體器件在過去數(shù)十年間長期占據(jù)著電子工業(yè)的統(tǒng)治地位,它鑄就了電子世界的核心,覆蓋我們?nèi)粘I钪械慕^大部分應(yīng)用。寬禁帶電子器件,以碳化硅和氮化鎵的形式,因其自身有著傳統(tǒng)的硅技術(shù)無法克服的優(yōu)勢正在日益普及。
- 關(guān)鍵字: 力特,SiC,GaN
新一代功率器件動向:SiC和GaN
- 更為嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和政府法規(guī)的變遷是更高能效產(chǎn)品的關(guān)鍵驅(qū)動因素。例如數(shù)據(jù)中心正呈指數(shù)級增長以跟上需求,其耗電量約占全球總電力供應(yīng)量(+ 400TWh)的3%,也占總溫室氣體排放量的2%,與航空業(yè)的碳排放量相同。在這些巨大的能源需求之下,各地政府正加緊實(shí)施更嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)和新的法規(guī),以確保所有依賴能源的產(chǎn)品必須達(dá)到最高能效。
- 關(guān)鍵字: 安森美,SiC,GaN
重磅消息!深圳第三代半導(dǎo)體研究院正式啟動
- 3月31日,在深圳市委市政府的大力支持下,由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、基本半導(dǎo)體和南方科技大學(xué)等單位發(fā)起共建的深圳第三代半導(dǎo)體研究院在五洲賓館宣布正式啟動。深圳第三代半導(dǎo)體研究院的成立具有里程碑意義,將對中國乃至全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響?! 】萍疾吭辈块L、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟決策委員會主任、深圳第三代半導(dǎo)體研究院理事長曹健林,廣東省委常委、深圳市委書記王偉中,深圳市委副書記、市長陳如桂,科技部高新司原司長、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟決策委員會副主任、深圳第三代半
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新發(fā)現(xiàn)!SiC可用于安全量子通信
- 使用單光子作為量子位的載體可以在量子數(shù)據(jù)傳輸期間實(shí)現(xiàn)可靠的安全性。研究人員發(fā)現(xiàn),目前可以通過某現(xiàn)有材料建立一個(gè)系統(tǒng),能在常溫條件下可靠地產(chǎn)生單光子。 來自莫斯科物理技術(shù)學(xué)院(MIPT)的一個(gè)研究小組展示通過使用基于碳化硅(SiC)光電子半導(dǎo)體材料的單光子發(fā)射二極管,每秒可以發(fā)射多達(dá)數(shù)十億個(gè)光子。研究人員進(jìn)一步表明,SiC色心的電致發(fā)光可用于將無條件的安全量子通信線路中的數(shù)據(jù)傳輸速率提高到1Gbps以上。 量子密碼術(shù)與傳統(tǒng)的加密算法不同,它依賴于物理定律。在不改變原始信息的情況下,是無法
- 關(guān)鍵字: SiC 量子通信
受惠5G及汽車科技 SiC及GaN市場前景向好
- 相較目前主流的硅晶圓(Si),第三代半導(dǎo)體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外,也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優(yōu)勢,不僅可使芯片面積可大幅減少,并能簡化周邊電路的設(shè)計(jì),達(dá)到減少模組、系統(tǒng)周邊的零組件及冷卻系統(tǒng)的體積。根據(jù)估計(jì),2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8億美元,而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬美元。 此外,除了輕化車輛設(shè)計(jì)之外,因第三代半導(dǎo)體的低導(dǎo)通電阻及低切換損失的特性,也能大幅降低車輛運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的能源轉(zhuǎn)換損失,兩者對于電動車?yán)m(xù)航力的提升有相當(dāng)?shù)膸椭?。因此?/li>
- 關(guān)鍵字: SiC GaN
ROHM攜汽車電子及工業(yè)設(shè)備市場產(chǎn)品強(qiáng)勢登陸“2018慕尼黑上海電子展”
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM于2018年3月14日--16日參加了在上海新國際展覽中心舉辦的"2018慕尼黑上海電子展(electronica?China?2018)"?! 澳侥岷谏虾k娮诱?不僅是亞洲領(lǐng)先的電子行業(yè)展覽,還是行業(yè)內(nèi)最重要的盛會之一。ROHM在此次展會上以“汽車電子”和“工業(yè)設(shè)備”為軸,為大家呈現(xiàn)包括“汽車電子”、?“模擬”、“電源”、“傳感器”以及“移動設(shè)備”在內(nèi)的5大解決方案展區(qū),囊括了業(yè)界領(lǐng)先的強(qiáng)大產(chǎn)品陣容。另外,為此
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慕展:功率電子、微波通信、阻容感、材料、結(jié)構(gòu)件領(lǐng)域的最新產(chǎn)品 都在世強(qiáng)
- 慕尼黑上海電子展舉辦,作為亞洲第一電子大展,展會吸引了數(shù)萬名電子行業(yè)的觀眾到場參觀學(xué)習(xí)。而全球先進(jìn)的元件分銷商——世強(qiáng)元件電商,則攜物聯(lián)網(wǎng)、汽車、微波通信、功率電子、工業(yè)控制及自動化、結(jié)構(gòu)件、阻容感、材料、測試測量等九大領(lǐng)域的最新產(chǎn)品及方案亮相?! {借集成電路、元件、材料、部件、儀器、阻容感等全品類的電子元器件展示,以及NB-IOT、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、無線充電與快充、工業(yè)4.0、人工智能、樓宇照明、智能網(wǎng)聯(lián)汽車、新能源汽車、5G通信、藍(lán)牙Mesh等眾多熱門市場的最新產(chǎn)品的展示,世強(qiáng)元件電商吸引了大批工程師
- 關(guān)鍵字: SiC GaN
5G和交通電氣化的核心是SiC和GaN功率射頻器件
- 據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,一些非常重要的市場趨勢正在推動化合物半導(dǎo)體器件在關(guān)鍵行業(yè)的應(yīng)用,化合物半導(dǎo)體正在強(qiáng)勢回歸。這些趨勢主要包括第五代(5G)無線網(wǎng)絡(luò)協(xié)議、無人駕駛和自動汽車、交通電氣化、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)和虛擬現(xiàn)實(shí)(AR/VR)。這些應(yīng)用正在推動3D傳感的應(yīng)用,提高功率模塊效率和更高頻率的通信應(yīng)用。所有這些新發(fā)展背后的關(guān)鍵器件都是由化合物半導(dǎo)體制造而成??其J(Cree)和英飛凌(Infineon)近日關(guān)于SiC材料、SiC功率器件和GaN射頻(RF)器件的最新公告,還僅僅是化合物半導(dǎo)體應(yīng)用的冰山一角。 我們
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ADI用于Microsemi SiC功率模塊的隔離驅(qū)動器板加快產(chǎn)品上市時(shí)間
- Analog Devices, Inc. (ADI)與Microsemi Corporation近日聯(lián)合推出市場首款用于半橋SiC功率模塊的高功率評估板,在200kHz開關(guān)頻率時(shí)該板提供最高1200V電壓和50A電流。隔離板的設(shè)計(jì)旨在提高設(shè)計(jì)可靠性,同時(shí)減少創(chuàng)建額外原型的需求,為電源轉(zhuǎn)換和儲能客戶節(jié)省時(shí)間、降低成本并縮短上市時(shí)間。ADI公司和Microsemi將在2018年3月4日至8日于美國得克薩斯州圣安東尼奧舉行的APEC 2018展會上展示該評估
- 關(guān)鍵字: ADI SiC
安森美半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)二極管提供更高能效、更高功率密度和更低的系統(tǒng)成本
- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體?(ON?Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)推出最新650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產(chǎn)品,擴(kuò)展了SiC二極管產(chǎn)品組合。這些二極管的尖端碳化硅技術(shù)提供更高的開關(guān)性能、更低的功率損耗,并輕松實(shí)現(xiàn)器件并聯(lián)?! “采腊雽?dǎo)體最新發(fā)布的650?V?SiC?二極管系列提供6安培(A)到50?A的表面貼裝和穿孔封裝。所有二極管均提供零反向恢復(fù)、低正向壓、不受溫度影響的電流穩(wěn)定性、高浪涌容
- 關(guān)鍵字: 安森美 SiC
納微半導(dǎo)體將在中國臺灣的電源設(shè)計(jì)技術(shù)論壇活動上
- 納微 (Navitas)半導(dǎo)體宣布其現(xiàn)場應(yīng)用及技術(shù)營銷總監(jiān)黃萬年將在2018年1月30日于中國臺北舉辦的“2018前瞻電源設(shè)計(jì)與功率組件技術(shù)論壇”上發(fā)表“利用氮化鎵(GaN)功率IC實(shí)現(xiàn)下一代電源適配器設(shè)計(jì)”的主題演講。他將分享如何利用業(yè)內(nèi)首個(gè)及唯一的氮化鎵(GaN)功率IC在各種電力系統(tǒng)中顯著提高速度、效率和密度的嶄新見解。納微是這項(xiàng)活動的銀級贊助商,該活動為具有創(chuàng)新性的制造商、合作伙伴及客戶提供了一個(gè)交互論壇,以交流加速采用新型氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)器件的專業(yè)知識?! ↑S萬年
- 關(guān)鍵字: 納微 SiC
碳化硅(sic)介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對碳化硅(sic)的理解,并與今后在此搜索碳化硅(sic)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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