碳化硅（sic）文章進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區(qū)

EPC Power攜手Wolfspeed，以碳化硅打造可靠的模塊化電網(wǎng)級(jí)儲(chǔ)能方案

幾十年來(lái)，電網(wǎng)一直是電力生產(chǎn)單位和消費(fèi)者之間可靠的橋梁，只需輕輕一按開(kāi)關(guān)，便能暢通無(wú)阻地將電力源源不斷地輸送到千家萬(wàn)戶。然而，隨著太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源發(fā)電需求的不斷增長(zhǎng)，現(xiàn)有電網(wǎng)唯有成功應(yīng)對(duì)新的挑戰(zhàn)（包括整合儲(chǔ)能系統(tǒng)），才能確保在用電高峰期電力供應(yīng)充足。EPC Power 作為一家提供尖端功率轉(zhuǎn)換解決方案的知名地面電站逆變器制造商，現(xiàn)已攜手 Wolfspeed 開(kāi)發(fā)解決方案，共同應(yīng)對(duì)儲(chǔ)能挑戰(zhàn)。此次強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，雙方利用碳化硅的強(qiáng)大性能，打造出業(yè)界首款地面電站組串式逆變器“M”，使并網(wǎng)儲(chǔ)能系統(tǒng)比以往任何時(shí)候
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8英寸碳化硅時(shí)代呼嘯而來(lái)！

近日，我國(guó)在8英寸碳化硅領(lǐng)域多番突破，中國(guó)電科48所8英寸碳化硅外延設(shè)備再升級(jí)，三義激光首批碳化硅激光設(shè)備正式交付，天岳先進(jìn)8英寸碳化硅襯底批量銷(xiāo)售，上海漢虹成功制備8英寸碳化硅晶體。8英寸碳化硅時(shí)代已呼嘯而來(lái)，未來(lái)將會(huì)有更多廠商帶來(lái)新的產(chǎn)品和技術(shù)，我們拭目以待。關(guān)鍵突破！中國(guó)電科48所8英寸碳化硅外延設(shè)備再升級(jí)近日，中國(guó)電科48所自主研發(fā)的8英寸碳化硅外延設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)再獲突破。圖片來(lái)源：中國(guó)電科據(jù)中國(guó)電科官方消息，碳化硅外延爐是第三代半導(dǎo)體碳化硅器件制造的核心裝備之一。此次“全新升級(jí)”的8英寸碳化硅外延
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6.6 kW車(chē)載電動(dòng)汽車(chē)充電器設(shè)計(jì)

我們采用單全橋LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，以獲得高效率和合理的成本。它由U60和Q60、Q62、Q70、Q72等組成。NCV4390（U60）是一種電流模式高級(jí)LLC控制器。它是FAN7688的引腳到引腳兼容設(shè)備。如果您在網(wǎng)站上找不到該設(shè)備，可以參考FAN7688的說(shuō)明。有關(guān)該零件的更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱數(shù)據(jù)表和應(yīng)用說(shuō)明。由于輸出電壓高（250?450 Vdc），同步整流器對(duì)整流器的幫助不大傳導(dǎo)損失。因此，我們省略了NCV4390的SR功能。NCV57000是一款具有內(nèi)部電隔離功能的大電流單通道IGBT驅(qū)動(dòng)器。
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我國(guó)首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)

9 月 3 日消息，“南京發(fā)布”官方公眾號(hào)于 9 月 1 日發(fā)布博文，報(bào)道稱國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時(shí) 4 年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實(shí)現(xiàn)我國(guó)在該領(lǐng)域的首次突破。項(xiàng)目背景碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性。碳化硅 MOS 主要有平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)，目前業(yè)內(nèi)應(yīng)用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片為主。平面碳化硅 MOS
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國(guó)家隊(duì)加持，芯片制造關(guān)鍵技術(shù)首次突破

據(jù)南京發(fā)布近日消息，國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時(shí)4年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。據(jù)悉這是我國(guó)在這一領(lǐng)域的首次突破。公開(kāi)資料顯示，碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性。碳化硅MOS主要有平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)。目前業(yè)內(nèi)應(yīng)用主要以平面型碳化硅MOSFET芯片為主。平面碳化硅MOS結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單，元胞一致性較好、雪崩能量比較高；缺點(diǎn)是當(dāng)電流被
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羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量應(yīng)用于吉利集團(tuán)電動(dòng)汽車(chē)品牌“極氪”3種主力車(chē)型

8月29日上午，備受矚目的2024年武漢鐵人三項(xiàng)亞洲杯賽、2024年武漢全國(guó)鐵人三項(xiàng)冠軍杯系列賽暨U系列冠軍杯賽、2024年中國(guó)·武漢鐵人三項(xiàng)公開(kāi)賽新聞發(fā)布會(huì)成功召開(kāi)。發(fā)布會(huì)上，賽事組委會(huì)發(fā)布了賽事宣傳片、賽事分組、競(jìng)賽距離、競(jìng)賽日程、公開(kāi)賽標(biāo)志、賽事獎(jiǎng)牌等相關(guān)內(nèi)容。武漢市體育局黨組成員、副局長(zhǎng)洪旭艷，江夏區(qū)人民政府黨組成員、副區(qū)長(zhǎng)梁爽出席此次發(fā)布會(huì)；武漢市社會(huì)體育指導(dǎo)中心副主任邱海防代表武漢市體育局發(fā)布賽事信息；江夏區(qū)文化和旅游局（體育局）局長(zhǎng)繆璐進(jìn)行江夏區(qū)文旅推介，向社會(huì)各界發(fā)出“跟著賽事游江夏”的邀
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碳化硅，跨入高速軌道

正如業(yè)界預(yù)期的那樣，目前碳化硅正邁入高速增長(zhǎng)階段。觀察市場(chǎng)情況，碳化硅產(chǎn)業(yè)熱鬧不斷：英飛凌、意法半導(dǎo)體、天岳先進(jìn)、三安光電、羅姆等大廠加速擴(kuò)充碳化硅產(chǎn)能；英國(guó)Alan Anderson公司和印度大陸器件公司CDIL簽署合作協(xié)議，安森美與Entegris已開(kāi)展合作，PVA TePle已與Scientific Visual建立合作伙伴關(guān)系；印度首家半導(dǎo)體芯片制造商Polymatech Electronics收購(gòu)美國(guó)碳化硅相關(guān)公司Nisene；長(zhǎng)飛先進(jìn)與懷柔實(shí)驗(yàn)室簽署碳化硅功率器件成果合作轉(zhuǎn)化意向協(xié)
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新潔能SiC/GaN功率器件及封測(cè)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目延期

8月13日，新潔能發(fā)布公告稱，擬將此前募投項(xiàng)目中的“第三代半導(dǎo)體 SiC/GaN 功率器件及封測(cè)的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目達(dá)到預(yù)定可使用狀態(tài)日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀環(huán)境等不可控因素的影響，項(xiàng)目的工程建設(shè)、設(shè)備采購(gòu)及人員安排等相關(guān)工作進(jìn)度均受到一定程度的影響，無(wú)法在計(jì)劃時(shí)間內(nèi)完成。據(jù)悉，此次延期項(xiàng)目屬新潔能二廠區(qū)擴(kuò)建項(xiàng)目，項(xiàng)目總投資約2.23億元，2022年開(kāi)建，原計(jì)劃2024年建設(shè)完成。項(xiàng)目建成后，將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn) SiC/GaN 功率器件2640萬(wàn)只。新潔能稱，本次募投項(xiàng)目延期僅涉及項(xiàng)目進(jìn)度的
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8英寸碳化硅，如火如荼

近日消息，全球最大8英寸碳化硅晶圓廠啟動(dòng)。功率半導(dǎo)體大廠英飛凌于8月8日宣布，已正式啟動(dòng)位于馬來(lái)西亞新晶圓廠的第一階段，該晶圓廠將成為全球最大、最具競(jìng)爭(zhēng)力的200毫米（8英寸）碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體晶圓廠，預(yù)計(jì)2025年開(kāi)始量產(chǎn)。碳化硅尺寸越大，單位芯片成本越低，故6英寸向8英寸轉(zhuǎn)型升級(jí)是技術(shù)發(fā)展的必然趨勢(shì)。業(yè)界人士稱，預(yù)計(jì)從2026年至2027年開(kāi)始，現(xiàn)在的6英寸碳化硅產(chǎn)品都將被8英寸產(chǎn)品替代。當(dāng)前來(lái)看，第三代半導(dǎo)體碳化硅加速邁進(jìn)8英寸時(shí)代，并引得“天下群雄”踴躍進(jìn)軍。據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計(jì)，英
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印度芯片制造商宣布收購(gòu)碳化硅相關(guān)廠商

據(jù)外媒報(bào)道，8月5日，印度首家半導(dǎo)體芯片制造商Polymatech Electronics宣布已正式收購(gòu)美國(guó)公司Nisene Technology Group Inc。此次收購(gòu)由Polymatech位于新加坡的全資子公司Artificial Electronics Intelligent Materials Pte Ltd.執(zhí)行。Nisene即將上任的首席執(zhí)行官Ryan Young表示，此次收購(gòu)補(bǔ)充了Polymatech的尖端產(chǎn)品組合，并推動(dòng)了新產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。資料顯示，Nisene自20世紀(jì)70
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英飛凌于馬來(lái)西亞啟用全球最大且最高效的碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠

●? ?馬來(lái)西亞總理、吉打州州務(wù)大臣與英飛凌管理層共同出席了新晶圓廠一期項(xiàng)目的生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)啟動(dòng)儀式。●? ?新晶圓廠將進(jìn)一步鞏固和增強(qiáng)英飛凌在全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位?！? ?強(qiáng)有力的客戶支持與承諾以及重要的設(shè)計(jì)訂單為持續(xù)擴(kuò)建提供了支撐?！? ?居林晶圓廠100%使用綠電并在運(yùn)營(yíng)實(shí)踐中采取先進(jìn)的節(jié)能和可持續(xù)舉措。馬來(lái)西亞總理拿督斯里安瓦爾·易卜拉欣、吉打州州務(wù)大臣拿督斯里莫哈末·沙努西與英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Han
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英飛凌馬來(lái)西亞居林第三廠區(qū)啟用，未來(lái)將成世界最大碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠

IT之家 8 月 8 日消息，英飛凌今日宣布，其位于馬來(lái)西亞的居林第三廠區(qū)（Kulim 3）一期正式啟用。該階段聚焦碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)，也將關(guān)注氮化鎵（GaN）外圍晶圓?！?英飛凌居林第三廠區(qū)英飛凌在 2022 年宣布了 Kulim 3 的一期建設(shè)計(jì)劃，投資額達(dá) 20 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 143.43 億元人民幣），可創(chuàng)造 900 個(gè)高價(jià)值工作崗位。英飛凌此后又在 2023 年 8 月宣布了價(jià)值 50 億美元（當(dāng)前約 358.57 億元人民幣）的 Kulim 3 二期計(jì)劃
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碳化硅半導(dǎo)體--電動(dòng)汽車(chē)和光伏逆變器的下一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)

毋庸置疑，從社會(huì)發(fā)展的角度，我們必須轉(zhuǎn)向采用可持續(xù)的替代方案。日益加劇的氣候異常和極地冰蓋的不斷縮小，清楚地證明了氣候變化影響的日益加劇。但有一個(gè)不幸的事實(shí)是，擺脫化石燃料正被證明極其困難，向綠色技術(shù)的轉(zhuǎn)變也帶來(lái)了一系列技術(shù)挑戰(zhàn)。無(wú)論是生產(chǎn)要跟上快速擴(kuò)張的市場(chǎng)步伐，還是新解決方案努力達(dá)到現(xiàn)有系統(tǒng)產(chǎn)出水平，如果我們要讓化石燃料成為過(guò)去，這些難題都必須被克服。對(duì)于電動(dòng)汽車(chē)（EV）和太陽(yáng)能電池板等應(yīng)用，工程師面臨著更多的挑戰(zhàn)，因?yàn)槊舾械碾娮釉仨氃趷毫拥沫h(huán)境中持續(xù)可靠地運(yùn)行。為了進(jìn)一步推動(dòng)這些可持續(xù)解決方案，
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羅姆將亮相2024深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月28日～30日參加在深圳國(guó)際會(huì)展中心（寶安新館）舉辦的2024深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)（以下簡(jiǎn)稱PCIM Asia）（展位號(hào)：11號(hào)館D14）。屆時(shí)，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體，展示其面向工業(yè)設(shè)備和汽車(chē)領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時(shí)，羅姆工程師還將在現(xiàn)場(chǎng)舉辦的“寬禁帶半導(dǎo)體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動(dòng)汽車(chē)論壇”等同期論壇上發(fā)表演講，分享羅姆最新的功率電子技術(shù)成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進(jìn)的碳化硅
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第三代半導(dǎo)體，距離頂流差了什么

潮流就是即便你放棄了我，也不妨礙我越來(lái)越火。距離特斯拉宣布放棄碳化硅已經(jīng)過(guò)去了一年，這個(gè)市場(chǎng)非但沒(méi)有被拋棄，反而以 GaN、SiC 為代表的第三代半導(dǎo)體發(fā)展備受關(guān)注：Yole 數(shù)據(jù)顯示，2026 年 GaN 市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)可達(dá) 6.72 億美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模有望突破 60 億美元。預(yù)測(cè)是人算不如天算，第三代半導(dǎo)體優(yōu)勢(shì)已經(jīng)被講的翻來(lái)覆去了，市場(chǎng)的反饋是最真實(shí)和殘酷的—很火但不是主流。碳化硅與新能源車(chē)能不能齊飛？新能源是第三代半導(dǎo)體應(yīng)用的重要驅(qū)動(dòng)力。新能源車(chē)的最大
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