碳化硅（sic）文章進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區(qū)

雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響探究

IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關(guān)特性的影響，本文為第一部分，將主要討論直流鏈路環(huán)路電感影響分析。測試設(shè)置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設(shè)置來分析SiC和IGBT模塊的開關(guān)特性
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柵極環(huán)路電感對SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響分析

IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關(guān)特性的影響，本文為第二部分，將主要討論柵極環(huán)路電感影響分析。（點擊查看直流鏈路環(huán)路電感分析）測試設(shè)置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設(shè)置來分析S
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Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢對比

在之前一篇題為《功率電子器件從硅（Si）到碳化硅（SiC）的過渡》的博文中，我們探討了碳化硅（SiC）如何成為功率電子市場一項“顛覆行業(yè)生態(tài)”的技術(shù)。如圖1所示，與硅（Si）材料相比，SiC具有諸多技術(shù)優(yōu)勢，因此我們不難理解為何它已成為電動汽車（EV）、數(shù)據(jù)中心和太陽能/可再生能源等許多應(yīng)用領(lǐng)域中備受青睞的首選技術(shù)。圖1.硅與碳化硅的對比眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝，來開發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)柵場效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣
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全面升級！安森美第二代1200V SiC MOSFET關(guān)鍵特性解析

安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開關(guān)。M3S 系列專注于提高開關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，如太陽能逆變器、ESS、UPS 和電動汽車充電樁等。幫助開發(fā)者提高開關(guān)頻率和系統(tǒng)效率。本應(yīng)用筆記將描述M3S的一些關(guān)鍵特性，與第一代相比的顯著性能提升，以及一些實用設(shè)計技巧。本文為第一部分，將重點介紹M3S的一些關(guān)鍵特性以及與
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SiC邁入8英寸時代，國際大廠量產(chǎn)前夕國內(nèi)廠商風(fēng)口狂追

近日，包括Wolfspeed、韓國釜山政府、科友等在第三代半導(dǎo)體SiC/GaN上出現(xiàn)新進(jìn)展。從國內(nèi)外第三代化合物進(jìn)展看，目前在碳化硅領(lǐng)域，國際方面8英寸SiC晶圓制造已邁向量產(chǎn)前夕，國產(chǎn)廠商方面則有更多廠家具備量產(chǎn)能力，產(chǎn)業(yè)鏈條進(jìn)一步完善成熟，下文將進(jìn)一步說明最新情況。SiC/GaN 3個項目最新動態(tài)公布Wolfspeed德國8英寸SiC工廠或?qū)⒀舆t至明年建設(shè)近日，據(jù)外媒消息，Wolfspeed與采埃孚聯(lián)合投資建設(shè)的德國8英寸SiC晶圓廠建設(shè)計劃或被推遲，最早將于2025年開始。據(jù)悉，該工廠由Wolfsp
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小米首款汽車發(fā)售，碳化硅加速前行

3月28日，小米公司正式發(fā)布了小米SU7，一共有三款配置，分別是小米SU7 標(biāo)準(zhǔn)版，售價21.59萬元；小米SU7 Pro版，售價24.59萬元；小米SU7 Max版，售價29.99萬元。圖片來源：小米公司2021年3月，小米創(chuàng)始人雷軍正式宣告小米造車。近三年時間過去，小米SU7正式發(fā)布，其相關(guān)供應(yīng)商也浮出水面，既有包括高通、英偉達(dá)、博世等國際供應(yīng)商，也包含了比亞迪、寧德時代、揚(yáng)杰科技等本土供應(yīng)鏈廠商。芯片領(lǐng)域，英偉達(dá)為小米汽車提供自動駕駛芯片，小米SU7搭載了英偉達(dá)兩顆NVIDIA DRIVE Orin
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華泰證券：先進(jìn)封裝、碳化硅出海及元宇宙顯示的發(fā)展機(jī)會

華泰證券發(fā)布研報稱，在3月20日-3月22日開展的2024 SEMICON China(上海國際半導(dǎo)體展覽會)上，華泰證券與數(shù)十家國內(nèi)外頭部半導(dǎo)體企業(yè)交流，并參加相關(guān)行業(yè)論壇，歸納出以下趨勢：1)前道設(shè)備：下游需求旺盛，國產(chǎn)廠商持續(xù)推出新品，完善工藝覆蓋度；2)后道設(shè)備：AI拉動先進(jìn)封裝需求，測試機(jī)國產(chǎn)化提速；3)SiC：2024或是襯底大規(guī)模出海與國產(chǎn)8寸元年；4)元宇宙和微顯示：硅基OLED有望成為VR設(shè)備主流顯示方案，AI大模型出現(xiàn)可能推動智慧眼鏡等輕量級AR終端快速增長?！　∪A泰證券主要觀點如下：
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將達(dá)100億美元，SiC功率器件市場急速擴(kuò)張

SiC 市場的快速擴(kuò)張主要得益于電動汽車的需求，預(yù)計 2023 年市場將比上年增長 60%。
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意法半導(dǎo)體碳化硅數(shù)位電源解決方案被肯微科技采用用于高效率可靠的服務(wù)器電源供應(yīng)器設(shè)計及應(yīng)用

服務(wù)橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST）近日宣布與高效能電源供應(yīng)領(lǐng)導(dǎo)廠商肯微科技合作，設(shè)計及研發(fā)使用ST被業(yè)界認(rèn)可的碳化硅（SiC）、電氣隔離和微控制器的服務(wù)器電源參考設(shè)計技術(shù)。該參考方案是電源設(shè)計數(shù)位電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的理想選擇，尤其在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心和通信電源的領(lǐng)域。隨著人工智能（AI）、5G和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）的推波助瀾下，對數(shù)位服務(wù)的需求持續(xù)成長，能源及用電控制是數(shù)據(jù)中心永續(xù)發(fā)展需面對的重要課題。STDES-3KWTLCP參考設(shè)計適用于3k
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廠商“瘋狂”發(fā)力碳化硅

3月27日，Wolfspeed宣布其全球最大、最先進(jìn)的碳化硅工廠“John Palmour 碳化硅制造中心”封頂。據(jù)其介紹，“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元，占地445英畝，一期建設(shè)預(yù)計將于2024年底竣工。Wolfspeed首席執(zhí)行官Gregg Lowe表示，工廠已開始安裝長晶設(shè)備，預(yù)估今年12月份或者明年1月，這座工廠將會有產(chǎn)出。該工廠將主要制造200mm（8英寸）碳化硅晶圓，尺寸是150mm（6英寸）晶圓的1.7倍，滿足對于能源轉(zhuǎn)型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導(dǎo)體的需求
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總投資50億美元，Wolfspeed全球最大碳化硅工廠封頂

據(jù)Wolfspeed官微消息，全球碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者Wolfspeed在位于美國北卡羅來納州查塔姆縣的“John Palmour 碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據(jù)悉，John Palmour 碳化硅制造中心總投資50億美元，占地445英畝，一期建設(shè)預(yù)計將于2024年底竣工。該制造中心將制造200mm碳化硅（SiC）晶圓，顯著擴(kuò)大Wolfspeed材料產(chǎn)能，滿足對于能源轉(zhuǎn)型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導(dǎo)體的需求。產(chǎn)能的爬坡將為近期簽訂的客戶協(xié)議（瑞薩、英飛凌、以及其他企業(yè)等）提供支持，推動具有重要
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Wolfspeed宣布其全球最大、最先進(jìn)的碳化硅工廠封頂

2024年3月27日，Wolfspeed宣布，其在位于美國北卡羅來納州查塔姆縣的“John Palmour碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據(jù)官方介紹，“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元，獲得了來自公共部門和私營機(jī)構(gòu)的支持，將助力從硅向碳化硅的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型，提升對于能源轉(zhuǎn)型至關(guān)重要的材料的供應(yīng)。該中心占地445英畝，一期建設(shè)預(yù)計將于2024年底竣工，該中心將制造200mm碳化硅（SiC）晶圓，顯著擴(kuò)大Wolfspeed材料產(chǎn)能，滿足對于能源轉(zhuǎn)型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導(dǎo)體的
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Wolfspeed 8英寸SiC襯底產(chǎn)線一期工程封頂

3月28日消息，當(dāng)?shù)貢r間3月26日，Wolfspeed宣布第三座工廠——8英寸SiC襯底產(chǎn)線一期工程舉行了封頂儀式。據(jù)了解，該工廠位于貝卡萊納州查塔姆縣，總投資50億美元（約合人民幣356億元），占地面積445英畝，主要生產(chǎn)8英寸SiC單晶襯底。目前，該工廠已有一些長晶爐設(shè)備進(jìn)場，預(yù)計2024年底將完成一期工程建設(shè)，2025年上半年開始生產(chǎn)，預(yù)計竣工達(dá)產(chǎn)后Wolfspeed的SiC襯底產(chǎn)量將擴(kuò)大10倍。近期，Wolfspeed與瑞薩電子、英飛凌等公司簽署了客戶協(xié)議，查塔姆工廠的投建將為這些協(xié)議提供支持，同
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近年來對碳化硅（SiC）襯底需求的持續(xù)激增

隨著近年來對碳化硅（SiC）襯底需求的持續(xù)激增，市場研究公司TrendForce表示，對于SiC的成本降低呼聲越來越高，因為最終產(chǎn)品價格仍然是消費者的關(guān)鍵決定因素。SiC襯底的成本占整個成本結(jié)構(gòu)的比例最高，約占50%。因此，襯底部分的成本降低和利用率提高尤為關(guān)鍵。由于其成本優(yōu)勢，大尺寸襯底逐漸開始被采用，市場對其寄予了很高的期望。中國SiC襯底制造商天科藍(lán)半導(dǎo)體計算，從4英寸升級到6英寸可以使單位成本降低50%，從6英寸升級到8英寸可以再次降低35%。與此同時，8英寸襯底可以生產(chǎn)更多的芯片，從而減少邊緣浪
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SEMICON2024收官，第三代半導(dǎo)體賽道競爭激烈！

3月20日，春分時期，萬物復(fù)蘇，SEMICON China 2024在上海新國際博覽中心拉開了序幕?，F(xiàn)場一片繁忙熱鬧，據(jù)悉本次展會面積達(dá)90000平方米，共有1100家展商、4500個展位和20多場會議及活動涉及了IC制造、功率及化合物半導(dǎo)體、先進(jìn)材料、芯車會等多個專區(qū)。本次展會中，碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈格外亮眼，據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計，共有近70家相關(guān)企業(yè)帶來了一眾新品與最新技術(shù)，龍頭企業(yè)頗多，材料方面包括Resonac、天域半導(dǎo)體、天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等企業(yè)，設(shè)備端則如晶盛機(jī)電、中微公司
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