碳化硅（sic）文章進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區(qū)

意法半導(dǎo)體碳化硅助力理想汽車(chē)加速進(jìn)軍高壓純電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)

2023年12月22日，中國(guó)北京-服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM)，與設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造和銷(xiāo)售豪華智能電動(dòng)車(chē)的中國(guó)新能源汽車(chē)龍頭廠商理想汽車(chē)（紐約證券交易所代碼: LI) 簽署了一項(xiàng)碳化硅（SiC）長(zhǎng)期供貨協(xié)議。按照協(xié)議, 意法半導(dǎo)體將為理想汽車(chē)提供碳化硅MOSFET，支持理想汽車(chē)進(jìn)軍高壓純電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)的戰(zhàn)略部署。隨著汽車(chē)行業(yè)電動(dòng)化和綠色低碳轉(zhuǎn)型的持續(xù)深入，高壓純電動(dòng)車(chē)因其能效更高、續(xù)航里程更遠(yuǎn)，已成為汽車(chē)制
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通用智能SiC晶錠8寸剝離產(chǎn)線正式交付客戶(hù)

據(jù)通用智能官微消息，日前，通用智能裝備有限公司SiC晶錠8寸剝離產(chǎn)線正式交付客戶(hù)。目前，SiC晶錠主要通過(guò)砂漿線/金剛石線切割，效率低和損耗高。據(jù)悉，通用智能采用激光隱切技術(shù)完成SiC晶錠分割工藝過(guò)程，并成功實(shí)現(xiàn)8寸碳化硅晶錠剝離設(shè)備的量產(chǎn)。
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8英寸碳化硅襯底材料裝備開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究項(xiàng)目順利通過(guò)中期驗(yàn)收

據(jù)科友半導(dǎo)體官微消息，12月10日，“8英寸碳化硅襯底材料裝備開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究”項(xiàng)目階段驗(yàn)收評(píng)審會(huì)召開(kāi)。會(huì)上，以黑龍江省科學(xué)院原院長(zhǎng)郭春景研究員為組長(zhǎng)的評(píng)審專(zhuān)家組認(rèn)為，科友半導(dǎo)體圓滿完成了計(jì)劃任務(wù)書(shū)2023年度階段任務(wù)，成功獲得了8英寸碳化硅單晶生長(zhǎng)的新技術(shù)和新工藝，建立了碳化硅襯底生產(chǎn)的工藝流程，制定了相關(guān)工藝流程的作業(yè)指導(dǎo)書(shū)，一致同意項(xiàng)目通過(guò)階段驗(yàn)收評(píng)審。據(jù)了解，8英寸碳化硅襯底材料裝備開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究項(xiàng)目是2021年哈爾濱市科技專(zhuān)項(xiàng)計(jì)劃項(xiàng)目，由哈爾濱科友半導(dǎo)體承擔(dān)，旨在推動(dòng)8英寸碳化硅裝備國(guó)
關(guān)鍵字：碳化硅科友半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體材料

SiC是否會(huì)成為下一代液晶

碳化硅作為下一代功率半導(dǎo)體的本命，進(jìn)入了全面的市場(chǎng)拓展階段。加上面向再生能源的市場(chǎng)，汽車(chē)使用市場(chǎng)的增長(zhǎng)比最初的預(yù)想早了一年多，功率半導(dǎo)體的投資增長(zhǎng)也顯示出SiC的一方面。不久前，行業(yè)也有研究在300mm的SIC增產(chǎn)的動(dòng)向。然而，解決SiC容量增強(qiáng)問(wèn)題現(xiàn)在成為主流。這一趨勢(shì)不僅限于日本和歐洲的功率半導(dǎo)體制造商。美國(guó)和中國(guó)之間的摩擦導(dǎo)致了SiC的國(guó)產(chǎn)化和量產(chǎn)化，這也是影響SIC的一方面。據(jù)電子器件行業(yè)報(bào)道，2023年9月7日，該公司表示，“中國(guó)SiC市場(chǎng)全方位戰(zhàn)略已擴(kuò)大工業(yè)化加速進(jìn)入公司約100家。”中國(guó)Si
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Power Integrations推出具有快速短路保護(hù)功能且適配62mm SiC和IGBT模塊的門(mén)極驅(qū)動(dòng)器

美國(guó)加利福尼亞州圣何塞，2023年12月12日訊 – 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門(mén)極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日推出全新系列的即插即用型門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，新驅(qū)動(dòng)器適配額定耐壓在1700V以?xún)?nèi)的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊，具有增強(qiáng)的保護(hù)功能，可確保安全可靠的工作。SCALE?-2 2SP0230T2x0雙通道門(mén)極驅(qū)動(dòng)器可在不到2微秒的時(shí)間內(nèi)部署短路保護(hù)功能，保護(hù)緊湊型SiC MOSFET免受過(guò)電流的損壞。新驅(qū)動(dòng)器還具有高
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碳化硅MOS管在三相逆變器上的應(yīng)用

三相逆變器的定義是將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的轉(zhuǎn)換器，其基本原理就是SPWM，硬件架構(gòu)為四個(gè)功率模塊組成單相、三相橋式電路，橋式輸出至負(fù)載間串接低通濾波元件，控制回路具有兩個(gè)信號(hào)產(chǎn)生源，一個(gè)是固定幅值的三角波（調(diào)制波）發(fā)生器，一個(gè)為正弦波發(fā)生器，利用三角波對(duì)正弦波進(jìn)行調(diào)制，就會(huì)得到占空比按照正弦規(guī)律變化的方波脈沖列，調(diào)制比不同，一個(gè)正弦周期脈沖列數(shù)等于調(diào)制波頻率除以基博頻率）。再用方波脈沖列去控制上述橋式電路，在輸出上就得到了符合要求的正弦電壓電流了。一、前言三相逆變是指轉(zhuǎn)換出的交流電壓為三相，
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“四兩撥千斤”，寬禁帶技術(shù)如何顛覆性創(chuàng)新

在半導(dǎo)體行業(yè)，新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來(lái)顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢(shì)的寬禁帶半導(dǎo)體材料脫穎而出。在整個(gè)能源轉(zhuǎn)換鏈中，寬禁帶半導(dǎo)體的節(jié)能潛力可為實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期的全球節(jié)能目標(biāo)作出貢獻(xiàn)。寬禁帶技術(shù)將推動(dòng)電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在數(shù)據(jù)中心、智能樓宇、個(gè)人電子設(shè)備等應(yīng)用場(chǎng)景中為能效提升作出貢獻(xiàn)。寬禁帶材料讓?xiě)?yīng)用性能炸裂，怎么做到的？寬禁帶材料的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在：? 與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體材料相比，寬禁帶產(chǎn)品具有更寬更高的禁帶寬度、電場(chǎng)強(qiáng)度，更高的擊穿
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碳化硅電子熔絲演示器為設(shè)計(jì)人員提供電動(dòng)汽車(chē)電路保護(hù)解決方案

關(guān)鍵字：碳化硅電子熔絲電動(dòng)汽車(chē)電路保護(hù) Microchip

意法半導(dǎo)體將斥資50億歐元在意大利新建SiC晶圓廠

12月1日消息，近日，據(jù)外媒報(bào)道，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）將于意大利西西里島Catane投資50億歐元，新建一座碳化硅、超級(jí)半導(dǎo)體晶圓廠。該晶圓廠將專(zhuān)門(mén)生產(chǎn)碳化硅芯片，為電動(dòng)車(chē)關(guān)鍵技術(shù)并具強(qiáng)大成長(zhǎng)潛力。報(bào)道稱(chēng)，此舉是意法半導(dǎo)體繼與格芯在法國(guó)東南部Crolles的75億歐元晶圓廠計(jì)劃后為平衡集團(tuán)在意法兩國(guó)布屬所為。值得一提的是，今年6月，意法半導(dǎo)體宣布將與三安光電在中國(guó)重慶成立200mm碳化硅器件制造合資企業(yè)，預(yù)計(jì)2025年第四季度投產(chǎn)，預(yù)計(jì)到2030年碳化硅收入將超過(guò)50億美元。
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Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用的安全性、穩(wěn)健性和可靠性標(biāo)準(zhǔn)

奈梅亨，2023年11月30日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后Nexperia將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，可滿足電動(dòng)
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英飛凌已開(kāi)始生產(chǎn)8英寸SiC晶圓樣片

11月28日消息，據(jù)外媒報(bào)道，日前，英飛凌綠色工業(yè)動(dòng)力部門(mén)（GIP）總裁Peter Wawer在受訪時(shí)透露，英飛凌正在其位于Villach的工廠生產(chǎn)8英寸SiC晶圓的電子樣品。他表示，英飛凌目前使用6英寸晶圓，但已經(jīng)在工廠制備了第一批8英寸晶圓機(jī)械樣品，很快將它們轉(zhuǎn)化為電子樣品，并將在2030年之前大規(guī)模量產(chǎn)應(yīng)用。在產(chǎn)能方面，英飛凌正在通過(guò)大幅擴(kuò)建其Kulim工廠（在2022年2月宣布的原始投資之上）獲得更多產(chǎn)能，信息稱(chēng)，英飛凌將建造世界上最大的200毫米晶圓廠SiC（碳化硅）功率工廠。值得一提的是該計(jì)劃
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三菱電機(jī)將與安世攜手開(kāi)發(fā)SiC功率半導(dǎo)體

11月，日本三菱電機(jī)、安世半導(dǎo)體（Nexperia）宣布，將聯(lián)合開(kāi)發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產(chǎn)品功率半導(dǎo)體。雙方將聯(lián)手開(kāi)發(fā)，將促進(jìn)SiC寬禁帶半導(dǎo)體的能效和性能提升至新高度，同時(shí)滿足對(duì)高效分立式功率半導(dǎo)體快速增長(zhǎng)的需求。目前芯片供應(yīng)量尚未確認(rèn)，預(yù)計(jì)最早將于2023年內(nèi)開(kāi)始供應(yīng)。公開(kāi)消息顯示，安世半導(dǎo)體總部位于荷蘭，目前是中國(guó)聞泰科技的子公司。11月初，安世半導(dǎo)體被迫轉(zhuǎn)手出售其于2021年收購(gòu)的英國(guó)NWF晶圓廠。盡管同屬功率半導(dǎo)體公司，三菱電機(jī)與安世半導(dǎo)體的側(cè)重點(diǎn)不同，前者以“多個(gè)離散元件組合
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理想自研芯片進(jìn)展曝光：在新加坡設(shè)立辦公室，團(tuán)隊(duì)規(guī)模已超160人

11 月 21 日消息，據(jù)晚點(diǎn) LatePost 報(bào)道，在芯片自研方面，理想同時(shí)在研發(fā)用于智能駕駛場(chǎng)景的 AI 推理芯片，和用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制器的 SiC 功率芯片。報(bào)道稱(chēng)，理想目前正在新加坡組建團(tuán)隊(duì)，從事 SiC 功率芯片的研發(fā)。在職場(chǎng)應(yīng)用 LinkedIn 上，已經(jīng)可以看到理想近期發(fā)布的五個(gè)新加坡招聘崗位，包括：總經(jīng)理、SiC 功率模塊故障分析 / 物理分析專(zhuān)家、SiC 功率模塊設(shè)計(jì)專(zhuān)家、SiC 功率模塊工藝專(zhuān)家和 SiC 功率模塊電氣設(shè)計(jì)專(zhuān)家。報(bào)道還稱(chēng)，用于智能駕駛的 AI 推理芯片是理想目前的研發(fā)重
關(guān)鍵字：理想自研芯片新能源汽車(chē) 智能駕駛 AI 推理芯片驅(qū)動(dòng)電機(jī) 控制器 SiC 功率芯片。

Omdia：人工智能將在電動(dòng)汽車(chē)革命中超越下一代半導(dǎo)體

倫敦2023年11月15日 /美通社/ -- 隨著Omdia預(yù)測(cè)電動(dòng)汽車(chē) (EV) 革命將引發(fā)新型半導(dǎo)體激增，電力半導(dǎo)體行業(yè)的幾十年舊規(guī)范正面臨挑戰(zhàn)。人工智能熱潮是否會(huì)產(chǎn)生類(lèi)似的影響？功率分立器件、模塊和IC預(yù)測(cè)Omdia半導(dǎo)體元件高級(jí)分析師卡勒姆·米德?tīng)栴D表示：“長(zhǎng)期以來(lái)依賴(lài)硅技術(shù)的行業(yè)正受到新材料制造的設(shè)備的挑戰(zhàn)和推動(dòng)。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的開(kāi)發(fā)始于上個(gè)世紀(jì)，但它們的技術(shù)成熟度與可持續(xù)發(fā)展運(yùn)動(dòng)相匹配，新材料制造的設(shè)備在能源匱乏的世界中有著顯著的效率提升?！?018 年，特斯拉首次
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Nexperia與三菱電機(jī)就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

Nexperia近日宣布與三菱電機(jī)公司建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)碳化硅(SiC) MOSFET分立產(chǎn)品。Nexperia和三菱電機(jī)都是各自行業(yè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，雙方聯(lián)手開(kāi)發(fā)，將促進(jìn)SiC寬禁帶半導(dǎo)體的能效和性能提升至新高度，同時(shí)滿足對(duì)高效分立式功率半導(dǎo)體快速增長(zhǎng)的需求。三菱電機(jī)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品有助于客戶(hù)在汽車(chē)、家用電器、工業(yè)設(shè)備和牽引電機(jī)等眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大幅節(jié)能。該公司提供的高性能SiC模塊產(chǎn)品性能可靠，在業(yè)界享有盛譽(yù)。日本備受贊譽(yù)的高速新干線列車(chē)采用了這些模塊，并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
關(guān)鍵字： Nexperia 三菱電機(jī) SiC MOSFET