首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅（sic）

如何通過SiC增強(qiáng)電池儲能系統(tǒng)？

  • 電池可以用來儲存太陽能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時段產(chǎn)生的能量，這樣當(dāng)環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統(tǒng) (BESS) 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，然后介紹了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案，可作為硅MOSFET或IGBT開關(guān)的替代方案，改善BESS的性能。圖1：BESS 實施概覽BESS 的優(yōu)勢最常用的儲能方法有四種，分別是電化學(xué)儲能、化學(xué)儲能、熱儲能和機(jī)械儲能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學(xué)儲能系統(tǒng)，具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點
  • 關(guān)鍵字： 安森美  SiC  電池儲能  

SiC是如何「拯救」降價車企的？

  • 進(jìn)入 2024 年，10 多家車企紛紛宣布降價。車企給供應(yīng)商的降價壓力更大，普遍要求降價 20%，過去一般是每年降 3%-5%。有觀點認(rèn)為，車市降價是由于新技術(shù)帶來的成本下降，但從大背景來看，2 月銷量下滑，或是更多企業(yè)加入價格戰(zhàn)的不得已選擇。但從另一個角度來看，成本的下降確實會緩解降價的壓力，SiC（碳化硅）會不會是出路呢？降價風(fēng)波始末2 月 19 日，可以說是一切的開始。降價潮是由比亞迪掀起的，從 2 月 19 日到 3 月 6 日，在春節(jié)假期結(jié)束后的 17 天里，比亞迪密集推出了 13 款主力車型的
  • 關(guān)鍵字： SiC  

納微半導(dǎo)體與您相約亞洲充電展，最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來

  • 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體近日宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會展中心舉辦的亞洲充電展，邀請觀眾造訪由最新氮化鎵和碳化硅技術(shù)打造，象征著全電氣化未來的“納微芯球”展臺。納微半導(dǎo)體將展出最新的GaNFast?和GeneSiC?應(yīng)用及解決方案，包括：●? ?功率水平更高、以應(yīng)用為導(dǎo)向的GaNSense? Halfbridge半橋氮化鎵技術(shù)●? ?高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術(shù)●? &
  • 關(guān)鍵字： 納微半導(dǎo)體  亞洲充電展  GaN+SiC  快充  

全球加速碳化硅產(chǎn)能擴(kuò)充

  • 受惠于下游應(yīng)用市場的強(qiáng)勁需求，碳化硅產(chǎn)業(yè)正處于高速成長期。據(jù)TrendForce集邦咨詢預(yù)期，至2026年SiC功率元件市場規(guī)?？赏_(dá)53.3億美元，其主流應(yīng)用仍倚重電動汽車及可再生能源。近期，備受關(guān)注的碳化硅市場又有了新動態(tài)，涉及三菱電機(jī)、美爾森、芯粵能等企業(yè)。三菱電機(jī)SiC工廠預(yù)計4月開建據(jù)日經(jīng)新聞近日報道，三菱電機(jī)將于今年4月，在日本熊本縣開工建設(shè)新的8英寸SiC工廠，并計劃于2026年4月投入運營。2023年3月，三菱電機(jī)宣布，計劃在5年內(nèi)投資約1000億日元（折合人民幣約48.56億元）建設(shè)一個
  • 關(guān)鍵字： 新能源汽車  碳化硅  第三代半導(dǎo)體  

芯動半導(dǎo)體與與意法半導(dǎo)體達(dá)成SiC合作

  • 3月13日消息，日前，芯動半導(dǎo)體官微宣布，已與意法半導(dǎo)體簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將就SiC芯片業(yè)務(wù)展開合作。此次與意法半導(dǎo)體就SiC芯片業(yè)務(wù)簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，也將進(jìn)一步推動長城汽車垂直整合，穩(wěn)定供應(yīng)鏈發(fā)展。公開資料顯示，芯動半導(dǎo)體于2022年11月成立于江蘇無錫，由長城汽車與穩(wěn)晟科技合資成立，以開發(fā)第三代功率半導(dǎo)體SiC模組及應(yīng)用解決方案為目標(biāo)。目前，芯動半導(dǎo)體位于無錫的第三代半導(dǎo)體模組封測制造基地項目已完成建設(shè)。該項目總投資8億元，規(guī)劃車規(guī)級模組年產(chǎn)能為120萬套，預(yù)計本月正式量產(chǎn)。除了碳化硅模塊外，芯動
  • 關(guān)鍵字： ST  芯動  碳化硅  

英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2，推動低碳化的高性能系統(tǒng)

  • 英飛凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，?英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標(biāo)（如能量和電荷儲量）提高了20%，不僅提升了整體能效，更進(jìn)一步推動了低碳化進(jìn)程。CoolSiC? MOSFET Generation 2 (G2)?技術(shù)繼續(xù)發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢，通過降低能量損耗來提高功率轉(zhuǎn)換過程
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  碳化硅  CoolSiC  MOSFET  

納芯微推出基于創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級CAN SIC: NCA1462-Q1

  • 納芯微宣布推出基于其自研創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級CAN SIC（信號改善功能，Signal Improvement Capability）NCA1462-Q1。相比當(dāng)前主流的CAN FD車載通信方案，NCA1462-Q1在滿足ISO 11898-2:2016標(biāo)準(zhǔn)的前提下，進(jìn)一步兼容CiA 601-4標(biāo)準(zhǔn)，可實現(xiàn)≥8Mbps的傳輸速率。憑借納芯微專利的振鈴抑制功能，即使在星型網(wǎng)絡(luò)多節(jié)點連接的情況下，NCA1462-Q1仍具有良好的信號質(zhì)量；此外，超高的EMC表現(xiàn)，更加靈活、低至1.8V的VIO可有效助力工
  • 關(guān)鍵字： 納芯微  振鈴抑制  CAN SIC  

晶盛機(jī)電披露碳化硅進(jìn)展

  • 近日，晶盛機(jī)電在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時表示，目前公司已基本實現(xiàn)8-12英寸大硅片設(shè)備的全覆蓋并批量銷售，6英寸碳化硅外延設(shè)備實現(xiàn)批量銷售且訂單量快速增長，成功研發(fā)出具有國際先進(jìn)水平的8英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備，實現(xiàn)了成熟穩(wěn)定的8英寸碳化硅外延工藝。同時公司基于產(chǎn)業(yè)鏈延伸，開發(fā)出了應(yīng)用于8-12英寸晶圓及封裝端的減薄設(shè)備、外延設(shè)備、LPCVD設(shè)備、ALD設(shè)備等。晶盛機(jī)電自2017年開始碳化硅產(chǎn)業(yè)布局，聚焦碳化硅襯底片和碳化硅外延設(shè)備兩大業(yè)務(wù)。公司已掌握行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅襯底技術(shù)和工藝，量產(chǎn)晶片的核心位錯達(dá)到
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體設(shè)備  晶盛機(jī)電  碳化硅  

基于SiC的完整“傻瓜型”逆變器參考設(shè)計為先進(jìn)電機(jī)應(yīng)用鋪平了道路

  • 先進(jìn)電機(jī)應(yīng)用（如高轉(zhuǎn)速、高頻、高功率密度、高溫等）需要相匹配的逆變器支持，但業(yè)界一直為其開發(fā)難度所困擾。全球領(lǐng)先的高溫半導(dǎo)體解決方案提供商CISSOID公司近期推出的基于碳化硅（SiC）功率器件的完整逆變器參考設(shè)計很好地解決了這一問題。該參考設(shè)計整合了CISSOID 公司的SiC高壓功率模塊和相匹配的集成化柵極驅(qū)動器，Silicon Mobility公司的控制板和軟件，超低寄生電感的直流母線電容和EMI濾波器，直流和相電流傳感器等其它附件。由此為先進(jìn)電機(jī)應(yīng)用提供了一個已全面集成的完整“傻瓜型”逆變器開發(fā)平
  • 關(guān)鍵字： SiC  逆變器  電機(jī)  CISSOID  Silicon Mobility  

Qorvo推出緊湊型E1B封裝的1200V SiC模塊

  • 中國 北京，2024 年 2 月 29 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克代碼：QRVO）近日宣布推出四款采用緊湊型 E1B 封裝的 1200V 碳化硅（SiC）模塊，其中兩款為半橋配置，兩款為全橋配置，導(dǎo)通電阻 RDS(on) 最低為 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模塊非常適合電動汽車充電站、儲能、工業(yè)電源和太陽能等應(yīng)用。Qorvo SiC 電源產(chǎn)品線市場總監(jiān) Ramanan Natarajan 表示：“該全新系列中的模塊可以取代多達(dá)四個分立式 SiC FET，從而簡化
  • 關(guān)鍵字： Qorvo  1200V  SiC模塊  SiC  

內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC，助推工廠智能化

  • 本文的關(guān)鍵要點各行各業(yè)的工廠都在擴(kuò)大生產(chǎn)線的智能化程度，在生產(chǎn)線上的裝置和設(shè)備旁邊導(dǎo)入先進(jìn)信息通信設(shè)備的工廠越來越多。要將高壓工業(yè)電源線的電力轉(zhuǎn)換為信息通信設(shè)備用的電力，需要輔助設(shè)備用的高效率電源，而采用內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC可以輕松構(gòu)建這種高效率的輔助電源。各行各業(yè)加速推進(jìn)生產(chǎn)線的智能化如今，從汽車、半導(dǎo)體到食品、藥品和化妝品等眾多行業(yè)的工廠，既需要進(jìn)一步提升生產(chǎn)效率和產(chǎn)品品質(zhì)，還需要推進(jìn)無碳生產(chǎn)（降低功耗和減少溫室氣體排放）。在以往的制造業(yè)中，提高工廠的生產(chǎn)效率和
  • 關(guān)鍵字： 電力轉(zhuǎn)換  SiC  MOSFET  

瘋狂的碳化硅，國內(nèi)狂追！

  • 近幾日，英飛凌在碳化硅合作與汽車半導(dǎo)體方面合作動態(tài)頻頻，再度引起業(yè)界對碳化硅材料關(guān)注。1月23日，英飛凌與Wolfspeed宣布擴(kuò)大并延伸現(xiàn)有的長期150mm碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議（原先的協(xié)議簽定于2018年2月）。延伸后的合作將包括一個多年期產(chǎn)能預(yù)留協(xié)議。這將有助于保證英飛凌整個供應(yīng)鏈的穩(wěn)定，同時滿足汽車、太陽能、電動汽車充電應(yīng)用、儲能系統(tǒng)等領(lǐng)域?qū)τ谔蓟璋雽?dǎo)體不斷增長的需求。據(jù)英飛凌科技首席執(zhí)行官 JochenHanebeck 消息，為了滿足不斷增長的碳化硅器件需求，英飛凌正在落實一項多供應(yīng)商戰(zhàn)略，從而在
  • 關(guān)鍵字： 碳化硅  英飛凌  晶圓  

安森美碳化硅技術(shù)專家“把脈”汽車產(chǎn)業(yè)2024年新風(fēng)向

  • 回首2023年，盡管全球供應(yīng)鏈面臨多重挑戰(zhàn)，但我們看到了不少閃光點，比如AIGC的熱潮、汽車電子的火爆，以及物聯(lián)網(wǎng)的小跑落地……今天，安森美(onsemi)碳化硅技術(shù)專家牛嘉浩先生為大家?guī)砹怂麑^去一年的經(jīng)驗總結(jié)和對新一年的展望期盼。汽車產(chǎn)業(yè)鏈中的困難與挑戰(zhàn)在過去一年中，汽車芯片短缺、全球供應(yīng)鏈的復(fù)雜性和不確定性及市場需求的變化，可能是汽車產(chǎn)業(yè)鏈最為棘手的難題，汽車制造商需要不斷調(diào)整生產(chǎn)和采購策略以應(yīng)對潛在的風(fēng)險和瓶頸。隨著更多傳統(tǒng)車企和新興造車勢力進(jìn)入新能源汽車市場，競爭壓力加大，汽車制造商需要不斷提
  • 關(guān)鍵字： 智能電源  智能感知  汽車領(lǐng)域  SiC  

帶隙對決：GaN和SiC，哪個會占上風(fēng)？

  • 電力電子應(yīng)用希望納入新的半導(dǎo)體材料和工藝。
  • 關(guān)鍵字： GaN  SiC  

意法半導(dǎo)體:SiC新工廠今年投產(chǎn),豐沛產(chǎn)能滿足井噴市場需求

  • 回首2023，碳化硅和氮化鎵行業(yè)取得了哪些進(jìn)步？出現(xiàn)了哪些變化？2024將迎來哪些新機(jī)遇和新挑戰(zhàn)？為更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局，探索未來的前進(jìn)方向，行家說三代半、行家極光獎聯(lián)合策劃了《行家瞭望——2024，火力全開》專題報道。本期嘉賓是意法半導(dǎo)體亞太區(qū)功率分立和模擬產(chǎn)品器件部市場和應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI（沐杰勵）。全工序SiC工廠今年投產(chǎn)第4代SiC MOS即將量產(chǎn)行家說三代半：據(jù)《2023碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》統(tǒng)計，2023年全球新發(fā)布碳化硅主驅(qū)車型又新增了40多款，預(yù)計明年部分
  • 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體  SiC  
共613條 7/41 |‹ « 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 » ›|

碳化硅（sic）介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅（sic）!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅（sic）的理解，并與今后在此搜索碳化硅（sic）的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473