首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅（sic）

臻驅(qū)科技擬投超6億元新增SiC功率模塊項目

  • 2月1日消息，近日，浙江嘉興平湖市政府公示了“年產(chǎn)90萬片功率模塊、45萬片PCBA板和20萬臺電機控制器”建設(shè)項目規(guī)劃批前公告。據(jù)披露，該項目建設(shè)單位為臻驅(qū)科技的全資子公司——臻驅(qū)半導體（嘉興）有限公司，臻驅(qū)半導體擬投約資6.45億元在平湖市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)新明路南側(cè)建造廠房用于生產(chǎn)及研發(fā)等，項目建筑面積達45800m2。公開資料顯示，臻驅(qū)科技成立于2017年，是一家提供國產(chǎn)功率半導體及新能源汽車驅(qū)動解決方案的公司，總部位于上海浦東，在上海臨港、廣西柳州、浙江平湖及德國亞?。ˋachen）等地布局了多家子
  • 關(guān)鍵字： 功率模塊  碳化硅  SiC  

Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動汽車設(shè)計性能

  • 中國 北京，2024 年 1 月 30 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布一款符合車規(guī)標準的碳化硅（SiC）場效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產(chǎn)品，導通電阻值最高可達 60mΩ，非常適合車載充電器、DC/DC 
  • 關(guān)鍵字： Qorvo  SiC FET  電動汽車  

英飛凌與Wolfspeed延長多年期碳化硅150mm晶圓供應(yīng)協(xié)議

  • 據(jù)外媒，1月23日，英飛凌與美國半導體制造商Wolfspeed發(fā)布聲明，宣布擴大并延長雙方2018年2月簽署的現(xiàn)有150mm碳化硅晶圓長期供應(yīng)協(xié)議。根據(jù)聲明，雙方延長的的合作關(guān)系中包括一項多年期產(chǎn)能預留協(xié)議。新協(xié)議有助于提高英飛凌總體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性，同時滿足汽車、太陽能和電動汽車應(yīng)用以及儲能系統(tǒng)對碳化硅晶圓產(chǎn)品日益增長的需求。英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示，希望在全球范圍內(nèi)保障對于150mm和200mm碳化硅晶圓的高品質(zhì)、長期供應(yīng)優(yōu)質(zhì)貨源。
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  碳化硅  晶圓  Wolfspeed  

SiC生長過程及各步驟造成的缺陷

  • 眾所周知，提高 SiC 晶圓質(zhì)量對制造商來說非常重要，因為它直接決定了 SiC 器件的性能，從而決定了生產(chǎn)成本。然而，具有低缺陷密度的 SiC 晶圓的生長仍然非常具有挑戰(zhàn)性。SiC 晶圓制造的發(fā)展已經(jīng)完成了從100毫米（4英寸）到150毫米（6英寸）晶圓的艱難過渡，正在向8英寸邁進。SiC 需要在高溫環(huán)境下生長，同時具有高剛性和化學穩(wěn)定性，這導致生長的 SiC 晶片中晶體和表面缺陷的密度很高，導致襯底質(zhì)量和隨后制造的外延層質(zhì)量差?。本篇文章主要總結(jié)了?SiC 生長過程及各步驟造成的缺陷
  • 關(guān)鍵字： SiC  晶圓  

致瞻科技采用意法半導體碳化硅技術(shù)，提高新能源汽車電動空調(diào)壓縮機控制器能效

  • 2024年1月18日，中國--服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 宣布，與聚焦于碳化硅(SiC)半導體功率模塊和先進電力電子變換系統(tǒng)的中國高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動汽車車載空調(diào)中的壓縮機控制器提供意法半導體第三代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。采用高能效的控制器可為新能源汽車帶來諸多益處，以動力電池容量60kWh~90kWh的中型電動汽車為例，續(xù)航里程可延長5到10公里，在夏冬
  • 關(guān)鍵字： 致瞻  意法半導體  碳化硅  新能源汽車  空調(diào)壓縮機控制器  

Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件，針對高功率服務(wù)器、可再生能源、工業(yè)電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域擴展產(chǎn)品線

  • 加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN? 器件。新發(fā)布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導通電阻，并配有一個開爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶實現(xiàn)更全面的開關(guān)功能。新
  • 關(guān)鍵字： Transphorm  高功率服務(wù)器  工業(yè)電力轉(zhuǎn)換  氮化鎵場效應(yīng)晶體管  碳化硅  SiC  

英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應(yīng)商 SK Siltron CSS 達成協(xié)議

  • 據(jù)英飛凌官網(wǎng)消息，近日，英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應(yīng)商 SK Siltron CSS 正式達成協(xié)議。據(jù)悉，SK Siltron CSS將為英飛凌提供具有競爭力的高質(zhì)量150mm SiC晶圓，支持SiC半導體的生產(chǎn)。在后續(xù)階段，SK Siltron CSS將在協(xié)助英飛凌向200 mm 晶圓直徑過渡方面發(fā)揮重要作用。據(jù)了解，英飛凌首席采購官 Angelique van der Burg 表示：“對于英飛凌來說，供應(yīng)鏈彈性意味著實施多供應(yīng)商戰(zhàn)略，并在逆境中蓬勃發(fā)展，創(chuàng)造新的增長機會并推
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  碳化硅  SK Siltron CSS  晶圓  

安森美：緊握第三代半導體市場，助力產(chǎn)業(yè) 轉(zhuǎn)型與可持續(xù)發(fā)展

  • 1 轉(zhuǎn)型成功的2023得益于成功的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，在汽車和工業(yè)市場增長的 推動下，安森美在 2023 年前 3 季度的業(yè)績都超預期。 其中，第一季度由先進駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 和能源基 礎(chǔ)設(shè)施終端市場帶來的收入均同比增長約 50%，在第 二季度汽車業(yè)務(wù)收入超 10 億美元，同比增長 35%，創(chuàng) 歷史新高，第三季度汽車和工業(yè)終端市場都實現(xiàn)創(chuàng)紀錄 收入。安森美大中華區(qū)銷售副總裁Roy Chia2 深入布局碳化硅領(lǐng)域在第三代半導體領(lǐng)域，安森美專注于 SiC，重點聚 焦于汽車、能源、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)
  • 關(guān)鍵字： 安森美  第三代半導體  碳化硅  SiC  

SiC 長期供貨，理想簽協(xié)議

  • 意法半導體與理想汽車簽署碳化硅長期供貨協(xié)議。
  • 關(guān)鍵字： SiC  

工業(yè)電源模塊對功率器件的要求

  • 工業(yè)電源的作用是將交流電轉(zhuǎn)換為直流電，在工業(yè)領(lǐng)域為設(shè)備提供穩(wěn)定的電力供應(yīng)，在工業(yè)自動化、通訊、醫(yī)療、數(shù)據(jù)中心、新能源儲能等領(lǐng)域廣泛使用。與普通的電源相比，工業(yè)電源應(yīng)用環(huán)境苛刻復雜，對電源的穩(wěn)定性要求更高，需滿足一些特殊要求，如低功耗、高功率密度、高可靠性和高耐用性，同時，它對EMI和穩(wěn)定性的要求也比其它應(yīng)用更為嚴格。按在電能轉(zhuǎn)換過程中的位置做分類，電源可分為一次電源和二次電源。模塊電源屬于二次電源，是采用優(yōu)化的電路和結(jié)構(gòu)設(shè)計，利用先進的工藝和封裝技術(shù)制造， 形成的一個結(jié)構(gòu)緊湊、體積小、高可靠的電子穩(wěn)壓電源
  • 關(guān)鍵字： 工業(yè)電源  功率器件  碳化硅  

電動汽車市場催生碳化硅新前景

  • 第三代半導體材料是指以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導體材料。與前兩代半導體材料相比，第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度，更高的擊穿電場、熱導率以及電子飽和速率，并且在抗輻射能力方面也具有優(yōu)勢。這些特性使得第三代半導體材料制備的半導體器件適用于高電壓、高頻率場景，并且能夠以較少的電能消耗獲得更高的運行能力。因此，第三代半導體材料在5G基站、新能源車、光伏、風電、高鐵等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力。其中，碳化硅作為第三代半導體材料的典型代表，在汽車電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。在新能源汽車領(lǐng)域，
  • 關(guān)鍵字： 碳化硅  氮化鎵  新能源汽車  汽車電子  

小米汽車發(fā)布CTB一體化電池技術(shù)，爭做冬季續(xù)航之王

  • 12月29日消息，昨日，在小米汽車技術(shù)發(fā)布會上，小米集團董事長雷軍宣布，發(fā)布CTB一體化電池技術(shù)，全球最高體積效率達77.8%，采用小米800V碳化硅高壓平臺，最高電壓達871V，與寧德時代歷時兩年共同研發(fā)。據(jù)雷軍介紹，小米電池通過全球最嚴苛的熱失效安全標準，采用17層高壓絕緣防護，7.8m2同級最大冷卻面積，并使用165片氣凝膠隔熱。同時，采用行業(yè)首創(chuàng)電芯倒置技術(shù)，最大程度保證乘員艙安全。同時，該項技術(shù)可以達到低溫環(huán)境下“續(xù)航保持率同級更高、空調(diào)升溫速度同級更快、充電速度同級更快”，雷軍表示，小米汽車立
  • 關(guān)鍵字： 小米汽車  碳化硅  寧德時代  

SiC仿真攻略手冊——詳解物理和可擴展仿真模型功能！

  • 過去，仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型。這些模型使用的公式我們在學校都學過，它們主要適用于簡單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當涉及到功率器件時，這些簡單的模型通常無法預測與為優(yōu)化器件所做的改變相關(guān)的現(xiàn)象。當今大多數(shù)功率器件不是橫向結(jié)構(gòu)，而是垂直結(jié)構(gòu)，它們使用多個摻雜層來處理大電場。柵極從平面型變?yōu)闇喜坌?，引入了更復雜的結(jié)構(gòu)，如超級結(jié)，并極大地改變了MOSFET的行為。基本Spice模型中提供的簡單器件結(jié)構(gòu)沒有考慮所有這些非線性因素?，F(xiàn)在，通過引入物理和可擴展建模技術(shù)，安森美(onsemi)使仿真精度
  • 關(guān)鍵字： 功率器件  Spice模型  SiC  仿真  

全球汽車半導體行業(yè)將以每年10%的速度增長

  • 12月22日消息，據(jù)報道，Adroit Market Research預計，全球汽車半導體行業(yè)將以每年10%的速度增長，到2032年將達到1530億美元，2023年至2032年復合年增長率 (CAGR) 為10.3%。報告顯示，半導體器件市場將從2022年的$43B增長到2028年的$84.3B，復合年增長率高達11.9%。目前的市場表明，到2022年，每輛汽車的半導體器件價值約為540美元，在ADAS、電氣化等汽車行業(yè)大趨勢下，到2028年，該數(shù)字將增長至約912美元。電動化和ADAS是技術(shù)變革的主要驅(qū)
  • 關(guān)鍵字： 汽車電子  半導體  ADAS  碳化硅  DRAM  MCU  

SiC MOSFET用于電機驅(qū)動的優(yōu)勢

  • 低電感電機有許多不同應(yīng)用，包括大氣隙電機、無槽電機和低泄露感應(yīng)電機。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類型中。這些電機需要高開關(guān)頻率（50-100kHz）來維持所需的紋波電流。然而，對于50kHz以上的調(diào)制頻率使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）無法滿足這些需求，如果是380V系統(tǒng)，硅MOSFET耐壓又不夠，這就為寬禁帶器件開創(chuàng)了新的機會。在我們的傳統(tǒng)印象中，電機驅(qū)動系統(tǒng)往往采用IGBT作為開關(guān)器件，而SiC MOSFET作為高速器件往往與光伏和電動汽車充電等需要高頻變換的應(yīng)用相關(guān)聯(lián)。但在特定的
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  SiC  MOSFET  
共613條 8/41 |‹ « 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 » ›|

碳化硅（sic）介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅（sic）!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅（sic）的理解，并與今后在此搜索碳化硅（sic）的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473