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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅（sic）

SEMICON2024收官，第三代半導體賽道競爭激烈！

  • 3月20日，春分時期，萬物復蘇，SEMICON China 2024在上海新國際博覽中心拉開了序幕?，F(xiàn)場一片繁忙熱鬧，據(jù)悉本次展會面積達90000平方米，共有1100家展商、4500個展位和20多場會議及活動涉及了IC制造、功率及化合物半導體、先進材料、芯車會等多個專區(qū)。本次展會中，碳化硅、氮化鎵等第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈格外亮眼，據(jù)全球半導體觀察不完全統(tǒng)計，共有近70家相關(guān)企業(yè)帶來了一眾新品與最新技術(shù)，龍頭企業(yè)頗多，材料方面包括Resonac、天域半導體、天岳先進、天科合達等企業(yè)，設備端則如晶盛機電、中微公司
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如何通過SiC增強電池儲能系統(tǒng)？

  • 電池可以用來儲存太陽能和風能等可再生能源在高峰時段產(chǎn)生的能量，這樣當環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統(tǒng) (BESS) 的拓撲結(jié)構(gòu)，然后介紹了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案，可作為硅MOSFET或IGBT開關(guān)的替代方案，改善BESS的性能。圖1：BESS 實施概覽BESS 的優(yōu)勢最常用的儲能方法有四種，分別是電化學儲能、化學儲能、熱儲能和機械儲能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學儲能系統(tǒng)，具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點
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SiC是如何「拯救」降價車企的？

  • 進入 2024 年，10 多家車企紛紛宣布降價。車企給供應商的降價壓力更大，普遍要求降價 20%，過去一般是每年降 3%-5%。有觀點認為，車市降價是由于新技術(shù)帶來的成本下降，但從大背景來看，2 月銷量下滑，或是更多企業(yè)加入價格戰(zhàn)的不得已選擇。但從另一個角度來看，成本的下降確實會緩解降價的壓力，SiC（碳化硅）會不會是出路呢？降價風波始末2 月 19 日，可以說是一切的開始。降價潮是由比亞迪掀起的，從 2 月 19 日到 3 月 6 日，在春節(jié)假期結(jié)束后的 17 天里，比亞迪密集推出了 13 款主力車型的
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納微半導體與您相約亞洲充電展，最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來

  • 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導者——納微半導體近日宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會展中心舉辦的亞洲充電展，邀請觀眾造訪由最新氮化鎵和碳化硅技術(shù)打造，象征著全電氣化未來的“納微芯球”展臺。納微半導體將展出最新的GaNFast?和GeneSiC?應用及解決方案，包括：●? ?功率水平更高、以應用為導向的GaNSense? Halfbridge半橋氮化鎵技術(shù)●? ?高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術(shù)●? &
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全球加速碳化硅產(chǎn)能擴充

  • 受惠于下游應用市場的強勁需求，碳化硅產(chǎn)業(yè)正處于高速成長期。據(jù)TrendForce集邦咨詢預期，至2026年SiC功率元件市場規(guī)模可望達53.3億美元，其主流應用仍倚重電動汽車及可再生能源。近期，備受關(guān)注的碳化硅市場又有了新動態(tài)，涉及三菱電機、美爾森、芯粵能等企業(yè)。三菱電機SiC工廠預計4月開建據(jù)日經(jīng)新聞近日報道，三菱電機將于今年4月，在日本熊本縣開工建設新的8英寸SiC工廠，并計劃于2026年4月投入運營。2023年3月，三菱電機宣布，計劃在5年內(nèi)投資約1000億日元（折合人民幣約48.56億元）建設一個
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芯動半導體與與意法半導體達成SiC合作

  • 3月13日消息，日前，芯動半導體官微宣布，已與意法半導體簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將就SiC芯片業(yè)務展開合作。此次與意法半導體就SiC芯片業(yè)務簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，也將進一步推動長城汽車垂直整合，穩(wěn)定供應鏈發(fā)展。公開資料顯示，芯動半導體于2022年11月成立于江蘇無錫，由長城汽車與穩(wěn)晟科技合資成立，以開發(fā)第三代功率半導體SiC模組及應用解決方案為目標。目前，芯動半導體位于無錫的第三代半導體模組封測制造基地項目已完成建設。該項目總投資8億元，規(guī)劃車規(guī)級模組年產(chǎn)能為120萬套，預計本月正式量產(chǎn)。除了碳化硅模塊外，芯動
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英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2，推動低碳化的高性能系統(tǒng)

  • 英飛凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，?英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）提高了20%，不僅提升了整體能效，更進一步推動了低碳化進程。CoolSiC? MOSFET Generation 2 (G2)?技術(shù)繼續(xù)發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢，通過降低能量損耗來提高功率轉(zhuǎn)換過程
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納芯微推出基于創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級CAN SIC: NCA1462-Q1

  • 納芯微宣布推出基于其自研創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級CAN SIC（信號改善功能，Signal Improvement Capability）NCA1462-Q1。相比當前主流的CAN FD車載通信方案，NCA1462-Q1在滿足ISO 11898-2:2016標準的前提下，進一步兼容CiA 601-4標準，可實現(xiàn)≥8Mbps的傳輸速率。憑借納芯微專利的振鈴抑制功能，即使在星型網(wǎng)絡多節(jié)點連接的情況下，NCA1462-Q1仍具有良好的信號質(zhì)量；此外，超高的EMC表現(xiàn)，更加靈活、低至1.8V的VIO可有效助力工
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晶盛機電披露碳化硅進展

  • 近日，晶盛機電在接受機構(gòu)調(diào)研時表示，目前公司已基本實現(xiàn)8-12英寸大硅片設備的全覆蓋并批量銷售，6英寸碳化硅外延設備實現(xiàn)批量銷售且訂單量快速增長，成功研發(fā)出具有國際先進水平的8英寸單片式碳化硅外延生長設備，實現(xiàn)了成熟穩(wěn)定的8英寸碳化硅外延工藝。同時公司基于產(chǎn)業(yè)鏈延伸，開發(fā)出了應用于8-12英寸晶圓及封裝端的減薄設備、外延設備、LPCVD設備、ALD設備等。晶盛機電自2017年開始碳化硅產(chǎn)業(yè)布局，聚焦碳化硅襯底片和碳化硅外延設備兩大業(yè)務。公司已掌握行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅襯底技術(shù)和工藝，量產(chǎn)晶片的核心位錯達到
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基于SiC的完整“傻瓜型”逆變器參考設計為先進電機應用鋪平了道路

  • 先進電機應用（如高轉(zhuǎn)速、高頻、高功率密度、高溫等）需要相匹配的逆變器支持，但業(yè)界一直為其開發(fā)難度所困擾。全球領(lǐng)先的高溫半導體解決方案提供商CISSOID公司近期推出的基于碳化硅（SiC）功率器件的完整逆變器參考設計很好地解決了這一問題。該參考設計整合了CISSOID 公司的SiC高壓功率模塊和相匹配的集成化柵極驅(qū)動器，Silicon Mobility公司的控制板和軟件，超低寄生電感的直流母線電容和EMI濾波器，直流和相電流傳感器等其它附件。由此為先進電機應用提供了一個已全面集成的完整“傻瓜型”逆變器開發(fā)平
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Qorvo推出緊湊型E1B封裝的1200V SiC模塊

  • 中國 北京，2024 年 2 月 29 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）近日宣布推出四款采用緊湊型 E1B 封裝的 1200V 碳化硅（SiC）模塊，其中兩款為半橋配置，兩款為全橋配置，導通電阻 RDS(on) 最低為 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模塊非常適合電動汽車充電站、儲能、工業(yè)電源和太陽能等應用。Qorvo SiC 電源產(chǎn)品線市場總監(jiān) Ramanan Natarajan 表示：“該全新系列中的模塊可以取代多達四個分立式 SiC FET，從而簡化
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內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC，助推工廠智能化

  • 本文的關(guān)鍵要點各行各業(yè)的工廠都在擴大生產(chǎn)線的智能化程度，在生產(chǎn)線上的裝置和設備旁邊導入先進信息通信設備的工廠越來越多。要將高壓工業(yè)電源線的電力轉(zhuǎn)換為信息通信設備用的電力，需要輔助設備用的高效率電源，而采用內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC可以輕松構(gòu)建這種高效率的輔助電源。各行各業(yè)加速推進生產(chǎn)線的智能化如今，從汽車、半導體到食品、藥品和化妝品等眾多行業(yè)的工廠，既需要進一步提升生產(chǎn)效率和產(chǎn)品品質(zhì)，還需要推進無碳生產(chǎn)（降低功耗和減少溫室氣體排放）。在以往的制造業(yè)中，提高工廠的生產(chǎn)效率和
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瘋狂的碳化硅，國內(nèi)狂追！

  • 近幾日，英飛凌在碳化硅合作與汽車半導體方面合作動態(tài)頻頻，再度引起業(yè)界對碳化硅材料關(guān)注。1月23日，英飛凌與Wolfspeed宣布擴大并延伸現(xiàn)有的長期150mm碳化硅晶圓供應協(xié)議（原先的協(xié)議簽定于2018年2月）。延伸后的合作將包括一個多年期產(chǎn)能預留協(xié)議。這將有助于保證英飛凌整個供應鏈的穩(wěn)定，同時滿足汽車、太陽能、電動汽車充電應用、儲能系統(tǒng)等領(lǐng)域?qū)τ谔蓟璋雽w不斷增長的需求。據(jù)英飛凌科技首席執(zhí)行官 JochenHanebeck 消息，為了滿足不斷增長的碳化硅器件需求，英飛凌正在落實一項多供應商戰(zhàn)略，從而在
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安森美碳化硅技術(shù)專家“把脈”汽車產(chǎn)業(yè)2024年新風向

  • 回首2023年，盡管全球供應鏈面臨多重挑戰(zhàn)，但我們看到了不少閃光點，比如AIGC的熱潮、汽車電子的火爆，以及物聯(lián)網(wǎng)的小跑落地……今天，安森美(onsemi)碳化硅技術(shù)專家牛嘉浩先生為大家?guī)砹怂麑^去一年的經(jīng)驗總結(jié)和對新一年的展望期盼。汽車產(chǎn)業(yè)鏈中的困難與挑戰(zhàn)在過去一年中，汽車芯片短缺、全球供應鏈的復雜性和不確定性及市場需求的變化，可能是汽車產(chǎn)業(yè)鏈最為棘手的難題，汽車制造商需要不斷調(diào)整生產(chǎn)和采購策略以應對潛在的風險和瓶頸。隨著更多傳統(tǒng)車企和新興造車勢力進入新能源汽車市場，競爭壓力加大，汽車制造商需要不斷提
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帶隙對決：GaN和SiC，哪個會占上風？

  • 電力電子應用希望納入新的半導體材料和工藝。
  • 關(guān)鍵字： GaN  SiC  
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碳化硅（sic）介紹

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