碳化硅文章進(jìn)入碳化硅技術(shù)社區(qū)

碳化硅擴(kuò)產(chǎn)、量產(chǎn)消息不斷，瑞薩、X-FAB跟進(jìn)

近期，一眾國內(nèi)廠商擴(kuò)產(chǎn)、量產(chǎn)碳化硅的消息頻繁發(fā)布。如博世收購了美國半導(dǎo)體代工廠TSI以在2030年底之前擴(kuò)大自己的SiC產(chǎn)品組合；安森美半導(dǎo)體考慮投資20億美元擴(kuò)產(chǎn)碳化硅芯片；SK集團(tuán)宣布，旗下SK powertech位于釜山的新工廠結(jié)束試運(yùn)行，將正式量產(chǎn)碳化硅，產(chǎn)能將擴(kuò)大近3倍。除此之外，據(jù)外媒報(bào)道，日本半導(dǎo)體巨頭瑞薩和德國晶圓代工廠X-FAB也于近日宣布了擴(kuò)產(chǎn)碳化硅的計(jì)劃。其中，瑞薩電子將于2025年開始生產(chǎn)使用碳化硅 (SiC）來降低損耗的下一代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。報(bào)道指出，按照計(jì)劃，瑞薩電子擬在目
關(guān)鍵字：碳化硅瑞薩 X-FAB

英飛凌碳化硅晶圓處理黑科技——冷切割

近兩年新能源汽車和光伏儲(chǔ)能市場的火熱，讓半導(dǎo)體供應(yīng)上升到了很多公司戰(zhàn)略層面的考慮因素。特別是SiC的供應(yīng)更加緊俏。最近幾年用戶對(duì)SiC的使用更有經(jīng)驗(yàn)，逐漸發(fā)揮出了其高效率高功率密度的優(yōu)點(diǎn)，正在SiC使用量增大的階段，卻面臨了整個(gè)市場的缺貨的狀態(tài)。碳化硅功率器件缺貨有很多因素，目前前道是最大的瓶頸，特別是前道的“最前端” ，SiC襯底片和外延片是目前缺貨最嚴(yán)重的材料。面對(duì)這種問題，作為功率半導(dǎo)體的領(lǐng)頭羊英飛凌又有哪些舉措呢？一方面，英飛凌與多家晶圓廠簽訂長期供貨協(xié)議推動(dòng)其碳化硅（SiC）供應(yīng)商體系多元化，保
關(guān)鍵字：英飛凌碳化硅

碳化硅功率器件的應(yīng)用機(jī)會(huì)及未來

碳化硅功率器件的未來趨勢是朝著尺寸縮小的方向發(fā)展。
關(guān)鍵字：碳化硅功率器件第三代半導(dǎo)體

賓夕法尼亞州立大學(xué)與安森美簽署碳化硅諒解備忘錄

2023 年 5 月 17日—賓夕法尼亞州立大學(xué)與智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美（onsemi，美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON），宣布雙方簽署了一份諒解備忘錄 (MOU)，旨在開展一項(xiàng)總額達(dá) 800 萬美元的戰(zhàn)略合作，其中包括在賓夕法尼亞州立大學(xué)材料研究所 (MRI) 開設(shè)安森美碳化硅晶體中心 (SiC3)。未來 10 年，安森美每年都將為 SiC3 中心提供 80 萬美元的資金。?安森美和賓夕法尼亞州立大學(xué)領(lǐng)導(dǎo)團(tuán)隊(duì)?wèi)c祝簽署諒解備忘錄 (MOU)，開展總額達(dá) 800 萬美元的戰(zhàn)略合作，其中包
關(guān)鍵字：安森美碳化硅

基本半導(dǎo)體車規(guī)級(jí)碳化硅芯片產(chǎn)線正式通線

4月24日，基本半導(dǎo)體車規(guī)級(jí)碳化硅芯片產(chǎn)線通線儀式在深圳市光明區(qū)舉行。此次車規(guī)級(jí)碳化硅芯片產(chǎn)線的成功通線，是基本半導(dǎo)體打造國產(chǎn)碳化硅功率器件IDM領(lǐng)先企業(yè)的一大重要戰(zhàn)略布局。據(jù)官微介紹，基本半導(dǎo)體車規(guī)級(jí)碳化硅芯片產(chǎn)線項(xiàng)目獲得國家工信部的產(chǎn)業(yè)專項(xiàng)支持，并連續(xù)兩年入選深圳市年度重大項(xiàng)目，廠區(qū)面積13000平方米，配備光刻、氧化、激活、注入、薄膜、刻蝕等專業(yè)設(shè)備，主要產(chǎn)品為6英寸碳化硅MOSFET晶圓等，產(chǎn)線達(dá)產(chǎn)后每年可保障約50萬輛新能源汽車的相關(guān)芯片需求。項(xiàng)目通過打造垂直整合制造模式，加快設(shè)計(jì)、制造共同迭代
關(guān)鍵字：基本半導(dǎo)體車規(guī)級(jí) 碳化硅

電科材料6英寸碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化取得重大進(jìn)展

近日，電科材料6英寸碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化工作取得重大進(jìn)展，6英寸中高壓碳化硅外延片月產(chǎn)能力實(shí)現(xiàn)大幅提升。碳化硅外延片，指在碳化硅襯底上生長了一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶薄膜的碳化硅片，是用于制造高性能半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵材料。電科材料持續(xù)布局第三代半導(dǎo)體外延材料研發(fā)生產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)一系列技術(shù)突破，在碳化硅外延領(lǐng)域，完成6英寸3300V碳化硅外延材料研發(fā)。同時(shí)，積極與國產(chǎn)設(shè)備廠商合作開發(fā)生產(chǎn)裝備，推動(dòng)碳化硅核心裝備國產(chǎn)化。未來，電科材料將持續(xù)創(chuàng)新突破，推出更多高端碳化硅材料產(chǎn)品。
關(guān)鍵字：電科材料 6英寸碳化硅

三次油電平價(jià) 促成中國電動(dòng)市場的大爆發(fā)

大家應(yīng)該還記得，當(dāng)遭受國補(bǔ)退坡重創(chuàng)的電動(dòng)汽車于2019-2020年間慢慢恢復(fù)元?dú)猓_始走出國補(bǔ)退坡的陰影時(shí)，市面上開始出現(xiàn)了一些在性能上追平甚至超越傳統(tǒng)燃油車的電動(dòng)汽車，當(dāng)時(shí)的電動(dòng)車市場呈現(xiàn)出來的是典型的啞鈴型結(jié)構(gòu)：便宜的A00級(jí)車型和30萬以上的高端車型（包括部分B級(jí)車和C級(jí)車）賣得很好，但在10-30萬的主流區(qū)間，電動(dòng)車企的表現(xiàn)一直比較慘淡。這種市場格局在2016-2021國內(nèi)乘用車分級(jí)別電動(dòng)化率走勢圖上一展無遺，歷時(shí)五年的時(shí)間，A00車已經(jīng)達(dá)到了90%以上的滲透率。這兩年來，市場格局風(fēng)云變幻，正如歐
關(guān)鍵字：碳化硅比亞迪蔚來電動(dòng)汽車新能源汽車

特斯拉虛晃一槍，碳化硅高速邁進(jìn)

被稱為“未來十年黃金賽道”的碳化硅行業(yè)近日又隨著華為發(fā)布SiC電驅(qū)平臺(tái)再被關(guān)注，在近期特斯拉大幅減少碳化硅使用風(fēng)暴下，業(yè)界在一次次的探討中，逐步廓清了碳化硅未來使用的信心與前景。華為的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈布局近日華為舉辦了智能電動(dòng)新品發(fā)布會(huì)，并發(fā)布了聚焦動(dòng)力域的“DriveONE新一代超融合黃金動(dòng)力平臺(tái)”以及“新一代全液冷超充架構(gòu)”的充電網(wǎng)絡(luò)解決方案。其中，DriveONE新一代超融合黃金動(dòng)力平臺(tái)主要包括面向B/B+級(jí)純電、B/B+級(jí)增程混動(dòng)，以及A級(jí)純電車型動(dòng)力總成解決方案，目標(biāo)是不斷提升整車度電里程和升油里程
關(guān)鍵字：特斯拉碳化硅

特斯拉降低造車成本，國內(nèi)新能源車企如何實(shí)現(xiàn)“價(jià)格戰(zhàn)”突圍？

在國內(nèi)新能源車市場，特斯拉稱得上是最大的“鯰魚”，一舉一動(dòng)總能攪動(dòng)起不小的“水花”。近日，“鯰魚”特斯拉在其投資者活動(dòng)日上公開了備受期待的“秘密宏圖第三篇章（Master Plan Part 3）”，其中一句“下一代平臺(tái)將減少75%的碳化硅使用”一度帶崩相關(guān)板塊，引發(fā)A股碳化硅中的個(gè)股集體跳水。近兩年，碳化硅在新能源汽車中占據(jù)著重要位置，相關(guān)概念在資本市場上也一度受到熱捧，更具戲劇性的是，特斯拉正是推動(dòng)碳化硅上車的“先驅(qū)”。如今，特斯拉對(duì)碳化硅的態(tài)度出現(xiàn)180度大反轉(zhuǎn)，背后的真實(shí)意圖是什么？將會(huì)對(duì)國內(nèi)新能
關(guān)鍵字：特斯拉碳化硅新能源車企

采埃孚、意法半導(dǎo)體簽下碳化硅模塊供應(yīng)長約

據(jù)外媒報(bào)道，知名汽車電子廠商采埃孚（ZF）近日宣布將從意法半導(dǎo)體(ST)采購碳化硅模塊。雙方簽署的多年期合同據(jù)報(bào)道涉及供應(yīng)數(shù)量達(dá)數(shù)百萬的SiC模塊。報(bào)道稱，到2030年，采埃孚在電動(dòng)汽車領(lǐng)域的訂單總額預(yù)計(jì)將超過300億歐元，公司高管Stephan von Schuckmann表示，為了應(yīng)對(duì)蓬勃增長的需求，采埃孚需要多家可靠的SiC供應(yīng)商?！霸? 意法半導(dǎo)體，我們現(xiàn)在找到了這樣一家供應(yīng)商，其在復(fù)雜系統(tǒng)方面的經(jīng)驗(yàn)符合我們的要求，最重要的是，該供應(yīng)商能夠以極高質(zhì)量和所需數(shù)量生產(chǎn)模塊?！币夥ò雽?dǎo)體汽車和分立
關(guān)鍵字：采埃孚意法半導(dǎo)體碳化硅

頭部企業(yè)再簽供貨長約，全球碳化硅市場高速成長

據(jù)外媒報(bào)道，近日，德國汽車Tier-1廠商采埃孚（ZF）和功率半導(dǎo)體廠商意法半導(dǎo)體（ST）共同發(fā)布新聞稿稱，雙方簽訂了車用碳化硅多年采購合同。根據(jù)合同條款，采埃孚將自2025年起向ST采購數(shù)千萬顆第三代SiC MOSFET器件，滿足汽車逆變器對(duì)車規(guī)級(jí)SiC器件在量和質(zhì)上的需求。采埃孚將于2025年量產(chǎn)新型模塊化逆變器架構(gòu)，這些SiC器件將集成到該平臺(tái)中。截至目前，采埃孚的在手訂單（到2023年）金額總計(jì)超過300億歐元（約合人民幣2274億元），其中一個(gè)汽車逆變器訂單來自歐洲一家車企，該車企計(jì)劃2025年
關(guān)鍵字：碳化硅意法半導(dǎo)體

碳化硅風(fēng)頭正勁，小心！氧化鎵蓄勢待發(fā)

近期，媒體報(bào)道進(jìn)化半導(dǎo)體完成近億元人民幣融資。據(jù)悉，進(jìn)化半導(dǎo)體是以國際首創(chuàng)無銥工藝制備超寬禁帶材料氧化鎵為特色的化合物半導(dǎo)體襯底企業(yè)，創(chuàng)立于2021年5月，專注于以創(chuàng)新技術(shù)制備氧化鎵為代表的新一代半導(dǎo)體材料。稍早之前，鎵仁半導(dǎo)體宣布完成數(shù)千萬天使輪融資。該公司是一家專注于氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。為滿足日益增長的多元需求，半導(dǎo)體從以硅、鍺為代表的第一代材料，以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代材料，發(fā)展至以氧化鎵為代表的第四代半導(dǎo)體
關(guān)鍵字：碳化硅氧化鎵

汽車結(jié)構(gòu)性缺芯國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體有望四季度“上車”

4月7日，中國汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟功率半導(dǎo)體分會(huì)在長沙成立，將加快汽車功率芯片的國產(chǎn)化。在成立大會(huì)暨汽車功率芯片發(fā)展研討會(huì)期間，第一財(cái)經(jīng)記者獲悉，汽車結(jié)構(gòu)性缺芯給國產(chǎn)芯片帶來機(jī)會(huì)，降本提質(zhì)是國產(chǎn)功率芯片尤其是碳化硅功率半導(dǎo)體“上車”的關(guān)鍵；三安光電用于電動(dòng)車主驅(qū)的碳化硅功率半導(dǎo)體有望今年四季度正式“上車”。　　汽車結(jié)構(gòu)性缺芯給國產(chǎn)芯片帶來機(jī)會(huì)　　有行業(yè)專家向第一財(cái)經(jīng)記者表示，一輛電動(dòng)車如果前驅(qū)與后驅(qū)都用功率半導(dǎo)體，功率半導(dǎo)體約占電機(jī)控制器的成本50%。奇瑞汽車研發(fā)總院芯片規(guī)劃總監(jiān)郭宇輝告訴第一財(cái)經(jīng)記者
關(guān)鍵字：汽車電子功率半導(dǎo)體碳化硅

Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級(jí)碳化硅 MOSFET

【2023 年 4 月 13 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產(chǎn)品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿足工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、太陽能逆變器、數(shù)據(jù)中心及電信電源供應(yīng)、直流對(duì)直流 (DC-DC) 轉(zhuǎn)換器和電動(dòng)車 (EV) 電池充電器等應(yīng)用，對(duì)更高效率與更高功率密度的需求。?DMWS120H100SM4 在高電壓 (1200V) 和汲極電流 (可達(dá) 37A) 的條件下運(yùn)作，同時(shí)維持低導(dǎo)
關(guān)鍵字： Diodes 碳化硅 MOSFET

貿(mào)澤即日起備貨安森美EliteSiC碳化硅解決方案

2023年4月12日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產(chǎn)品系列包括二極管、MOSFET、IGBT和SiC二極管功率集成模塊 (PIM)，以及符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的器件。這些器件經(jīng)過優(yōu)化，可為能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供高可靠性和高性能?？稍偕茉春痛蠊β使I(yè)應(yīng)用需要高擊穿電壓 (BV)，1700V NTH4L028N170M1
關(guān)鍵字：貿(mào)澤安森美 EliteSiC 碳化硅

共244條 8/17 |‹ « 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 » ›|

碳化硅介紹

碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結(jié)而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。制造由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。發(fā)現(xiàn) 愛德華·古德里?！ぐ溥d在1893年制造出此化合物，并發(fā)展了生產(chǎn)碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術(shù)仍為眾人使用中。性質(zhì) 碳化硅至少有70種 [ 查看詳細(xì) ]