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硅谷報(bào)道一:是時(shí)候讓SOI天線在手機(jī)中消亡了嗎?
- 隨著智能手機(jī)所支持的頻段持續(xù)增加,如何在維持RF天線性能的同時(shí)不影響系統(tǒng)空間與功耗,已成為手機(jī)設(shè)計(jì)者的設(shè)計(jì)難點(diǎn)。更大尺寸的天線可以提供更大的帶
- 關(guān)鍵字: SOI天線 RF天線 MEMS RF調(diào)諧方案
打造“中國微谷” 8英寸MEMS量產(chǎn)線落戶沈陽
- 據(jù)報(bào)道,伴隨著填補(bǔ)國內(nèi)空白、具有國際領(lǐng)先水平的罕王微電子8英寸純MEMS傳感器芯片規(guī)?;慨a(chǎn)線落戶沈陽沈撫新區(qū),將促進(jìn)沈撫新區(qū)在傳感器、物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域開疆拓土,罕王微電子產(chǎn)品應(yīng)用廣泛,可用于消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)控制、無人機(jī)、機(jī)器人、5G通訊甚至生物醫(yī)藥、航空航天、物聯(lián)網(wǎng)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域,市場前景廣闊?! ∩驌嵝聟^(qū)舉全力推進(jìn)罕王微電子的MEMS項(xiàng)目,旨在期待罕王微電子的MEMS傳感器產(chǎn)品在沈撫新區(qū)萬物物聯(lián)上率先示范使用,并與罕王微電子聯(lián)手把沈撫新區(qū)打造成全國的智慧城市示范區(qū),同時(shí),沈撫新區(qū)將以罕王微
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汽車領(lǐng)域中MEMS傳感器的十大應(yīng)用知識(shí)盤點(diǎn)
- 現(xiàn)在汽車的預(yù)防安全越來越受到人們重視,MEMS傳感器應(yīng)用于汽車安全技術(shù)許多領(lǐng)域,以下是對(duì)汽車領(lǐng)域中MEMS傳感器的十大應(yīng)用知識(shí)盤點(diǎn)。
- 關(guān)鍵字: MEMS 傳感器 應(yīng)用知識(shí)
最新MEMS慣性模塊,有助于克服應(yīng)用程序開發(fā)所面臨的挑戰(zhàn)
- 1. 前言 采用微機(jī)電系統(tǒng) (MEMS) 的慣性測量單元 (IMU) ,其定義就是一種系統(tǒng)級(jí)封裝芯片 (SiP) 。 其中包含一個(gè)加速儀機(jī)械感測組件、一個(gè)陀螺儀機(jī)械感測組件,還有一個(gè)能把加速和角速度轉(zhuǎn)換成可讀取格式的電子電路系統(tǒng)(也就是所謂的「腦部」)。 MEMS慣性測量單元已經(jīng)發(fā)展了幾十年,已應(yīng)用于部分利基市場。 不過一直要到MEMS技術(shù)達(dá)到一定成熟度,能支持低成本小型裝置,這類慣性測量單元廣泛建置在各種應(yīng)用的情況才得以大幅增加。 雖然對(duì)于簡單動(dòng)作偵測、計(jì)步以及直式/橫式屏幕等需求沒那么高的應(yīng)用
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MEMS技術(shù)如何在汽車上大展拳腳?
- 在汽車電子控制系統(tǒng)的快速增長的市場需求下,汽車傳感器技術(shù)不斷發(fā)展。未來汽車傳感器的發(fā)展總體趨勢是智能化、微型化、集成化、多功能化以及新材料和新工藝制成的新型傳感器。MEMS技術(shù)傳感器成為汽車傳感器的主要部件。 MEMS汽車傳感器是汽車電子控制系統(tǒng)的主要信息源 汽車市場已經(jīng)成為傳感器的重要應(yīng)用市場,MEMS汽車傳感器作為汽車電子控制系統(tǒng)電子控制系統(tǒng)的重要信息源,對(duì)溫度、壓力、位置、轉(zhuǎn)速、加速度和振動(dòng)等各種信息進(jìn)行實(shí)時(shí)、準(zhǔn)確的測量和控制。當(dāng)前,一輛普通家用轎車上大約
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2018年全球MEMS風(fēng)云錄
- 二十年前,MEMS在整個(gè)IC市場上可能被視為一種另類的利基應(yīng)用?,F(xiàn)在則已大相徑庭,而隨著業(yè)界轉(zhuǎn)向5G,這種現(xiàn)象只會(huì)加劇。
- 關(guān)鍵字: MEMS
3D SiC技術(shù)閃耀全場,基本半導(dǎo)體參展PCIM Asia引關(guān)注
- 6月26日-28日,基本半導(dǎo)體成功參展PCIM?Asia 2018上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)?! 』景雽?dǎo)體展臺(tái)以充滿科技感和未來感的藍(lán)白為主色調(diào),獨(dú)有的3D SiC?技術(shù)和自主研發(fā)的碳化硅功率器件吸引了眾多國內(nèi)外參展觀眾的眼球。 全球獨(dú)創(chuàng)3D SiC?技術(shù) 展會(huì)期間,基本半導(dǎo)體技術(shù)團(tuán)隊(duì)詳細(xì)介紹了公司獨(dú)創(chuàng)的3D SiC?外延技術(shù),該技術(shù)能夠充分利用碳化硅的材料潛力,通過外延生長結(jié)構(gòu)取代離子注入,使碳化硅器件在高溫應(yīng)用中擁有更高的穩(wěn)定性。優(yōu)良的外延質(zhì)量和設(shè)計(jì)靈活性也有利于實(shí)現(xiàn)高電流密度的
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