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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d-mems

MEMS行業(yè)迎來新篇章xMEMS市場部副總裁Mike對話行業(yè)媒體

  • 2024年9月10日，半導(dǎo)體音頻解決方案公司xMEMS在深圳的“xMEMS Live – Asia 2024”技術(shù)研討會成功舉辦，現(xiàn)場參會人員對xMEMS的技術(shù)應(yīng)用、行業(yè)情況等進(jìn)行了精彩的討論，帶來了眾多極具價值的觀點。MEMS行業(yè)的發(fā)展前景廣闊，MEMS技術(shù)廣泛應(yīng)用于消費電子、工業(yè)場景、汽車電子等領(lǐng)域。技術(shù)創(chuàng)新正在不斷推動MEMS行業(yè)發(fā)展，帶來了全新的機會。作為MEMS行業(yè)的知名企業(yè)，xMEMS一直致力于MEMS技術(shù)的創(chuàng)新和應(yīng)用，其每一步動作都值得行業(yè)關(guān)注。在這次技術(shù)研討會上，xMEMS推出了Cypre
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臺積電OIP推3D IC設(shè)計新標(biāo)準(zhǔn)

  • 臺積電OIP（開放創(chuàng)新平臺）于美西當(dāng)?shù)貢r間25日展開，除表揚包括力旺、M31在內(nèi)之業(yè)者外，更計劃推出3Dblox新標(biāo)準(zhǔn)，進(jìn)一步加速3D IC生態(tài)系統(tǒng)創(chuàng)新，并提高EDA工具的通用性。 臺積電設(shè)計構(gòu)建管理處負(fù)責(zé)人Dan Kochpatcharin表示，將與OIP合作伙伴一同突破3D IC架構(gòu)中的物理挑戰(zhàn)，幫助共同客戶利用最新的TSMC 3DFabric技術(shù)實現(xiàn)優(yōu)化的設(shè)計。臺積電OIP生態(tài)系統(tǒng)論壇今年由北美站起跑，與設(shè)計合作伙伴及客戶共同探討如何通過更深層次的合作，推動AI芯片設(shè)計的創(chuàng)新。 Dan Kochpa
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MEMS 麥克風(fēng)中 PDM 和 I2S 數(shù)字輸出接口的比較和選擇

  • 文章概述  本文將詳細(xì)討論脈沖密度調(diào)制 (PDM) 和集成電路內(nèi)置音頻 (I2S) 兩種數(shù)字接口，簡介它們的獨特特性以及在系統(tǒng)設(shè)計時的優(yōu)缺點。工程師具體選擇哪一種，將取決于對兩種技術(shù)的研究，并要了解哪種協(xié)議對于特定應(yīng)用更適合。具體要考慮的幾個關(guān)鍵因素包括：音質(zhì)功耗物料成本設(shè)計的空間限制硬件的運行環(huán)境如果您在MEMS 麥克風(fēng)的數(shù)字輸出接口選擇上有需求，相信本文會有所幫助。麥克風(fēng)用在嵌入式系統(tǒng)中已經(jīng)有很多年了。自其誕生以來，由于家居、汽車和可穿戴設(shè)備中基于語音的應(yīng)用范圍
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拜登-哈里斯政府宣布與惠普達(dá)成初步條款，以支持尖端半導(dǎo)體技術(shù)的開發(fā)和商業(yè)化

  • 擬議的投資將支持現(xiàn)有園區(qū)的擴建和現(xiàn)代化，并創(chuàng)造 250 多個制造和建筑工作崗位
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基于ST ASM330LHH MEMS Sensor系列的智能座艙高精度慣性導(dǎo)航方案

  • 隨著汽車輔助駕駛和無人駕駛的發(fā)展，慣性導(dǎo)航越來越成為不可或缺的技術(shù)需求。在城市密集的高樓大廈下、復(fù)雜的高架下、冗長的地下隧道里，GPS信號因為受到遮擋和干擾，提供不了導(dǎo)航服務(wù)。這時候高精度的慣性導(dǎo)航就能很好彌補GPS信號丟失的不足，保證正常的導(dǎo)航行程。慣性導(dǎo)航IMU的核心是慣性傳感器，當(dāng)慣性導(dǎo)航IMU安裝在車輛上時，它可以通過測是車輛運動的加速度和角速度來計算車輛的位移和方位角。 能夠填補GPS信號丟失的空白，為車輛提供高精度定位，確保車輛行駛安全。ST汽車級六軸慣性傳感器ASM330LHH系列，為先進(jìn)的
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內(nèi)存制造技術(shù)再創(chuàng)新，大廠新招數(shù)呼之欲出

  • 制造HBM難，制造3D DRAM更難。
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鎧俠公布藍(lán)圖：2027年實現(xiàn)1000層3D NAND堆疊

  • 近日，據(jù)媒體報道，日本存儲芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍(lán)圖，目標(biāo)2027年實現(xiàn)1000層堆疊。鎧俠表示，自2014年以來，3D NAND閃存的層數(shù)經(jīng)歷了顯著的增長，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實現(xiàn)了驚人的10倍增長。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長速度，預(yù)測到2027年達(dá)到1000層堆疊的目標(biāo)是完全可行的。而這一規(guī)劃較此前公布的時間早了近3年，據(jù)日本媒體今年4月報道，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應(yīng)用物理學(xué)會春季學(xué)術(shù)演講會上表示，公司計劃于2030至2031
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SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達(dá)56.1%

  • 6月25日消息，據(jù)媒體報道，SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果，展示了其在該領(lǐng)域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息，SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著進(jìn)展，并首次詳細(xì)公布了其開發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開發(fā)，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%，這一數(shù)據(jù)意味著在單個測試晶圓上，能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元，其中超過一半（即561個）為良
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西門子推出Calibre 3DThermal軟件，持續(xù)布局3D IC市場

  • ●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內(nèi)部熱分析，幫助應(yīng)對從芯片設(shè)計和?3D?組裝的早期探索到項目?Signoff?過程中的設(shè)計與驗證挑戰(zhàn)●? ?新軟件集成了西門子先進(jìn)的設(shè)計工具，能夠在整個設(shè)計流程中捕捉和分析熱數(shù)據(jù)西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件，可針對?3D?
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博世推出堅固耐用的高能效四合一 MEMS 室內(nèi)空氣質(zhì)量傳感器

  • ※? ?四合一?MEMS?傳感器采用緊湊封裝，可精準(zhǔn)測量氣體、濕度、溫度和氣壓。※? ?與上一代產(chǎn)品相比，功耗最多可降低?50%，是電池供電設(shè)備的理想之選?！? ?完全符合?WELL?和?RESET?室內(nèi)空氣質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，確保一流的監(jiān)測性能?！? ?更堅固耐用，可在冷凝水平較高的環(huán)境中使用?？諝獾馁|(zhì)量與清潔度對于健康而言至關(guān)重要。我們平均約有?90%&
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生成式人工智能音頻快速發(fā)展：高信噪比MEMS麥克風(fēng)功不可沒

  • 最新一代人工智能或?qū)㈤_啟新一輪科技革命，全面提升各種人機交互體驗。人工智能日益融入人們的日常生活，在方方面面帶來深刻變化。基于人工智能的文本和圖像生成工具可以創(chuàng)建出令人難以置信的內(nèi)容。不僅如此，人工智能的觸角已從視覺和文字媒介，伸向語音轉(zhuǎn)文字（STT）和自然語言處理（NLP）等音頻應(yīng)用，展現(xiàn)出巨大潛力。然而，音頻應(yīng)用質(zhì)量大幅提高是否僅僅歸功于最新一代基于大語言模型的生成式人工智能？還是說硬件依然功不可沒？就拿高信噪比（SNR）微機電系統(tǒng)（MEMS）麥克風(fēng)來說，它為實現(xiàn)這種必將改變?nèi)藗內(nèi)粘Ｉ畹男沦|(zhì)人機交互
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邁向 3D 內(nèi)存：三星電子計劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)

  • IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報道，三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會上表示該企業(yè)計劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領(lǐng)域商業(yè)化研究集中在兩種結(jié)構(gòu)上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
  • 關(guān)鍵字： 3D 內(nèi)存  存儲  三星  

“8英寸硅基壓電薄膜及壓電MEMS傳感器制造工藝平臺”項目啟動

  • 據(jù)賽微電子消息，近日，2023年度國家重點研發(fā)計劃“智能傳感器”重點專項“8英寸硅基壓電薄膜及壓電MEMS傳感器制造工藝平臺”項目啟動暨實施方案論證會在北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)召開。該項目由賽微電子控股子公司賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司牽頭，聯(lián)合武漢大學(xué)、蘇州大學(xué)、中國科學(xué)院空天信息創(chuàng)新研究院、中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、武漢敏聲新技術(shù)有限公司、北京智芯微電子科技有限公司、成都纖聲科技有限公司、上海矽?？萍脊煞萦邢薰镜葐挝还餐瑢嵤?。資料顯示，賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司專業(yè)從事半導(dǎo)體晶
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SK海力士試圖用低溫蝕刻技術(shù)生產(chǎn)400多層的3D NAND

  • 在-70°C 下工作的蝕刻工具有獨特的性能。
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5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案

  • 聯(lián)電昨（2）日所推出業(yè)界首項RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術(shù)，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯(lián)電表示，此技術(shù)將應(yīng)用于手機、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項國際專利，準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。 聯(lián)電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開關(guān)和天線調(diào)諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機對頻段數(shù)量需求的不斷增長，聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術(shù)，并解決了芯片堆棧時常見的射頻干擾問題，將裝置中
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