3d-nand 文章進(jìn)入3d-nand技術(shù)社區(qū)

Stratasys攜最新3D打印方案和高新材料亮相TCT亞洲展

3D打印和增材制造解決方案供應(yīng)商Stratasys（Nasdaq：SSYS）今日亮相2019年TCT亞洲3D打印、增材制造展覽會(huì)（TCT Asia 2019），以其業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新型增材制造技術(shù)與智能制造解決方案引領(lǐng)行業(yè)新發(fā)展。展會(huì)期間，Stratasys所展示的體素級(jí)3D打印解決方案和FDM TPU 92A彈性材料，能夠突破3D打印原型應(yīng)用極限，大幅降低生產(chǎn)耗時(shí)及人工成本，滿足客戶多元化的專(zhuān)業(yè)、快速原型制作需求。 TCT亞洲展是3D打印行業(yè)頂級(jí)的行業(yè)盛會(huì)，匯聚了3D打印技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展和最新應(yīng)用，
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中國(guó)將增加在美半導(dǎo)體采購(gòu)量？韓媒：不太容易

　　據(jù)businesskorea報(bào)道，中國(guó)計(jì)劃在未來(lái)六年內(nèi)將在美國(guó)的半導(dǎo)體采購(gòu)增加到2000億美元(約合225.9萬(wàn)億韓元)，大約是目前水平的五倍?！　∪欢?，許多專(zhuān)家表示，美國(guó)急于遏制中國(guó)的半導(dǎo)體野心，不太可能接受中國(guó)的提議，因?yàn)樗鼘⒃黾訉?duì)中國(guó)的半導(dǎo)體依賴(lài)?！　№n國(guó)企業(yè)對(duì)該計(jì)劃持謹(jǐn)慎態(tài)度，主要有兩個(gè)原因?！　∈紫?，中國(guó)沒(méi)有提及將購(gòu)買(mǎi)哪一種半導(dǎo)體。一家韓國(guó)半導(dǎo)體公司的高級(jí)官員表示:“中國(guó)沒(méi)有說(shuō)明將進(jìn)口何種半導(dǎo)體芯片，無(wú)論是內(nèi)存、中央處理器(CPU)還是系統(tǒng)半導(dǎo)體芯片。在這種情況下，很難預(yù)測(cè)對(duì)韓國(guó)企業(yè)的影響。
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IC Insights：大陸半導(dǎo)體制造困難大，五年后自制率不過(guò)半

ICInsights最新報(bào)告顯示，大陸的集成電路生產(chǎn)仍遠(yuǎn)低于政府的目標(biāo)。報(bào)告指出，2018年大陸半導(dǎo)體市場(chǎng)為......
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韓媒：存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)陷入低迷，中國(guó)企業(yè)或放緩前進(jìn)步伐

根據(jù)韓國(guó)媒體Business Korea報(bào)道，由于存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)從2018年年底迎來(lái)低迷，存儲(chǔ)器產(chǎn)品價(jià)格下跌，各大存儲(chǔ)器廠商先后宣布降低產(chǎn)量以來(lái)，雖然三星仍然穩(wěn)坐半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)頭把交椅，但是其盈利能力已經(jīng)受到質(zhì)疑?！　o(wú)獨(dú)有偶，SK海力士等廠商的日子也不好過(guò)。頭部廠商的日子尚且如此，那還在奮斗中的中國(guó)存儲(chǔ)器廠商又將面對(duì)怎樣的未來(lái)呢?　
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集邦咨詢(xún)：供需失衡態(tài)勢(shì)難止，NAND Flash供應(yīng)商2019年資本支出年減2%

　　根據(jù)集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，2018年NAND Flash市場(chǎng)經(jīng)歷全年供過(guò)于求，且2019年筆記本電腦、智能手機(jī)、服務(wù)器等主要需求表現(xiàn)仍難見(jiàn)起色，預(yù)計(jì)產(chǎn)能過(guò)剩難解。在此情況下，供應(yīng)商將進(jìn)一步降低資本支出以放緩擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)程，避免位元成長(zhǎng)過(guò)多導(dǎo)致過(guò)剩狀況加劇。　　DRAMeXchange調(diào)查指出，2018年因供過(guò)于求難以遏制，韓系供應(yīng)商帶頭降低資本支出。NAND Flash總體資本支出下調(diào)近10%，但供需失衡的情形仍無(wú)法逆轉(zhuǎn)。2019年美系廠商減少資本支出，使得NAND
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存儲(chǔ)器行業(yè)的2018：冰與火之歌｜盤(pán)點(diǎn)2018

存儲(chǔ)器一直被看成是半導(dǎo)體行業(yè)的晴雨表，它的表現(xiàn)也影響著整個(gè)市場(chǎng)的枯榮變換。2018年的存儲(chǔ)器行業(yè)在興奮和失望迷茫的情緒交替中前行，伴隨著技術(shù)上的幾許亮色，邁向了2019年。從熱火朝天到凜冬將至　　2017年的存儲(chǔ)器市場(chǎng)可以用火熱來(lái)形容，三大存儲(chǔ)器公司(三星、海力士、美光)的財(cái)報(bào)都非常喜人。
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CES 2019：英特爾推出5G芯片躋身無(wú)線基站

CES 2019展會(huì)上，英特爾宣布了因應(yīng)5G時(shí)代的“Snow Ridge”。此外，該公司還同時(shí)發(fā)布了10nm工藝的下代桌面和移動(dòng)處理器Ice Lake、服務(wù)器處理器Ice Lake、Foveros 3D立體封裝處理器Lakefield。
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2018年三大手機(jī)創(chuàng)新技術(shù)：屏下指紋/前后雙屏/3D ToF

2018年，手機(jī)廠商在圍繞提升屏占比、充電速度、拍照素質(zhì)等方面上都有不少突破和嘗試。衍生出滑蓋屏、水滴屏、打孔屏的設(shè)計(jì)，充電速度最高也提升到了50W、拍照則出現(xiàn)各種“超級(jí)夜景”，這些設(shè)計(jì)與創(chuàng)新為消費(fèi)者提供了更多的選擇，但這些創(chuàng)新相比上述三種，它們出現(xiàn)并沒(méi)有讓消費(fèi)者對(duì)手機(jī)的使用體驗(yàn)有著超預(yù)期的提升，實(shí)用但并不令人心生向往。
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中天弘宇：攻克核心設(shè)計(jì)缺陷重建NOR閃存新生

閃存是當(dāng)今數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的重要介質(zhì)之一，主流的閃存體系有NAND和NOR兩種。不過(guò)隨著半導(dǎo)體工藝不斷發(fā)展，相比于NAND技術(shù)的快速演進(jìn)，NOR技術(shù)似乎在幾年前工藝就遲滯不前，因?yàn)榇嬖诓糠衷O(shè)計(jì)缺陷而讓NOR閃存無(wú)法繼續(xù)跟進(jìn)先進(jìn)工藝成為了阻礙NOR閃存大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵。不過(guò)，因?yàn)橹袊?guó)企業(yè)中天弘宇集成電路有限公司的潛心研究，NOR閃存的應(yīng)用也許將重獲新生。 “我們經(jīng)過(guò)了近十年的研發(fā)積累，完成了對(duì)原有NOR閃存架構(gòu)的大膽創(chuàng)新，也可以說(shuō)是一個(gè)完全的顛覆。我們沿用了整個(gè)NOR的架構(gòu)，但和英特爾最早發(fā)明的NOR完全不是一回事
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半導(dǎo)體設(shè)備廠商競(jìng)爭(zhēng)格局生變？

　　半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商的排名在2016-2017年間沒(méi)有發(fā)生太大的變化，但是這種格局正在發(fā)生變化。不僅Lam Research、ASML和東京電子的位次發(fā)生調(diào)轉(zhuǎn)，排名第一的應(yīng)用材料公司的寶座位置也岌岌可危?！　∽?990年以來(lái)，應(yīng)用材料公司一直是半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者。在此之前的1989年，坐在鐵王座位置上的還是日本的東京電子，該公司2016年排名第四，今年前三季度的新排名則是第二。除了位次的變化，也許更重要的是，領(lǐng)頭羊和第二名的差距正在迅速收窄?！　?016年，應(yīng)用材料公司的市場(chǎng)份額比Lam
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突破瓶頸，英特爾重塑數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)架構(gòu)

2018年12月11日，以“智數(shù)據(jù)·創(chuàng)未來(lái)”為主題的2018中國(guó)存儲(chǔ)與數(shù)據(jù)峰會(huì)在北京拉開(kāi)帷幕。作為中國(guó)數(shù)據(jù)與存儲(chǔ)行業(yè)頂級(jí)的交流平臺(tái)，本次峰會(huì)匯集了全球近百位來(lái)自產(chǎn)業(yè)界、學(xué)術(shù)界的專(zhuān)家，就數(shù)據(jù)洪流時(shí)代下，企業(yè)如何實(shí)施數(shù)據(jù)戰(zhàn)略、深挖數(shù)據(jù)價(jià)值，變數(shù)據(jù)資源為實(shí)現(xiàn)更廣泛商業(yè)價(jià)值的數(shù)據(jù)資產(chǎn)等話題展開(kāi)深入探討。
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AI芯天下丨DRAM價(jià)格將持續(xù)下跌

　　全球DRAM市場(chǎng)上，三星一家獨(dú)大，接著是SK Hynix及美光，這三家的DRAM份額占到了全球95%左右，而華亞科被美光全資收購(gòu)之后，Nanya南亞科技也就變成全球第四大內(nèi)存芯片廠商了，雖然2.5%的份額跟前面三家公司20%—45%的份額相比是小巫見(jiàn)大巫?！　?　　DRAM連漲之后持續(xù)下跌　　在DRAM內(nèi)存漲價(jià)超過(guò)9個(gè)季度之后，內(nèi)存芯片價(jià)格終于在10月份大跌了一次，DRAMxChange稱(chēng)10月份DRAM現(xiàn)貨價(jià)格跌了10%，預(yù)計(jì)2019年還會(huì)繼續(xù)跌20%?！　∈艽擞绊懀虻谒拇髢?nèi)存芯片廠商南亞科
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存儲(chǔ)領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)加劇，3D NAND蝕刻逐步明朗化

　　3D NAND的出現(xiàn)也是因?yàn)?D NAND無(wú)法滿足人們的需求。NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC幾種類(lèi)型之分，為了提高其容量、降低成本，NAND的制造工藝也在不斷進(jìn)步，厚度開(kāi)始不斷降低，但NAND閃存和處理器還是有很大不同的。雖然先進(jìn)的工藝帶來(lái)了更大的容量，但是其可靠性和性能卻在下降，因?yàn)楣に囋较冗M(jìn)，NAND的氧化層越薄，其可靠性也就越差，廠商就需要采取額外手段彌補(bǔ)這一問(wèn)題，這必然會(huì)提高成本，以至于在達(dá)到某個(gè)最高點(diǎn)之后完全抵消掉制造工藝帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)?！　　　?D NAND將思路從提高制造工藝轉(zhuǎn)
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晉華事件透視：存儲(chǔ)器壟斷暴利之痛如何終結(jié)？

壟斷加劇供求失衡，導(dǎo)致價(jià)格上漲，壟斷導(dǎo)致的暴利，是目前全球存儲(chǔ)器行業(yè)面臨的最大問(wèn)題。
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存儲(chǔ)器原廠Q3業(yè)績(jī)搶眼，但漲價(jià)優(yōu)勢(shì)不再，Q4風(fēng)光難續(xù)

　　前言：2018年Q3出貨旺季，在存儲(chǔ)器Bit出貨量增加帶動(dòng)下，存儲(chǔ)器原廠業(yè)績(jī)搶眼。然而，存儲(chǔ)器漲價(jià)優(yōu)勢(shì)不再，Q4財(cái)報(bào)恐難抵下滑之勢(shì)。　　存儲(chǔ)器原廠Q3財(cái)報(bào)搶眼，但NAND價(jià)格大跌超60%，引原廠產(chǎn)能“緊急制動(dòng)”　　2018年以來(lái)，F(xiàn)lash原廠持續(xù)擴(kuò)大64層3D TLC NAND供貨，且以256Gb和512Gb供貨為主，再加上美光和英特爾64層1Tb QLC NAND在市場(chǎng)應(yīng)用，導(dǎo)致市場(chǎng)供過(guò)于求。即使在Q3出貨旺季，NAND Flash價(jià)格也依然表現(xiàn)跌勢(shì)。據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket
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