3d-nand 文章 進入3d-nand技術(shù)社區(qū)
不怕虧錢,未來十年長江存儲持續(xù)增加研發(fā)投入
- 對于一個多月前在美國圣克拉拉召開的全球閃存峰會上發(fā)布的突破性技術(shù)Xtacking,長江存儲執(zhí)行董事長高啟全接受中國證券報記者專訪表示,該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能,更高的存儲密度,以及更短的產(chǎn)品上市周期。未來十年,長江存儲將持續(xù)增加研發(fā)投入?! ≈瞥痰膬纱箅y點 中國證券報:3D NAND制造工藝的難點在哪些地方? 高啟全:3D NAND的困難點在于一層層疊上去的時候需要打洞把每一層連接起來,層數(shù)越多需要打的洞就越多,每一個單位都要打洞,數(shù)量可達幾百萬個。必須保證做到垂直地
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NAND閃存大科普
- 在半導體業(yè),有非常多與接口標準、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計的真實可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此,弄清事實很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀念?! ≡谑褂闷诘男阅芎愣??! 」虘B(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多,特別是隨機數(shù)據(jù),而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼?yīng)用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對于在內(nèi)部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器,可能會表現(xiàn)差勁,不是導致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降?! ‰S著PCIe銷售額的增加,SATA逐漸消失不見
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NAND閃存大科普
- 在半導體業(yè),有非常多與接口標準、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計的真實可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此,弄清事實很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀念。 在使用期的性能恒定?! 」虘B(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多,特別是隨機數(shù)據(jù),而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼?yīng)用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對于在內(nèi)部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器,可能會表現(xiàn)差勁,不是導致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降?! ‰S著PCIe銷售額的增加,SATA逐漸消失不見
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晶圓廠、DRAM和3D NAND投資驅(qū)動,中國晶圓代工產(chǎn)能將于2020年達到全球20%份額
- 近日國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會SEMI公布了最新的中國集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)報告,報告顯示,中國前端晶圓廠產(chǎn)能今年將增長至全球半導體晶圓廠產(chǎn)能的16%,到2020年,這一份額將增加到20%。受跨國公司和國內(nèi)公司存儲和代工項目的推動,中國將在2020年的晶圓廠投資將以超過200億美元的支出,超越世界其他地區(qū),占據(jù)首位。 2014年中國成立大基金以來,促進了中國集成電路供應(yīng)鏈的迅速增長,目前已成為全球半導體進口最大的國家市場。SEMI指出,目前中國正在進行或計劃開展25個新的晶圓廠建設(shè)項目,代工廠、DRAM和3D
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中國產(chǎn)能逐漸開出 內(nèi)存價格2019將下滑
- 內(nèi)存價格從2016年起一路上揚,但自2018下半年起,由于各廠商產(chǎn)能陸續(xù)開出,因此資策會MIC預(yù)測內(nèi)存價格將于開始下滑?! ≠Y策會MIC資深產(chǎn)業(yè)顧問洪春暉表示,2018年的半導體市場概況是近5年來難得的樂觀,盡管2018年內(nèi)存價格成長空間有限,但NAND Flash需求仍然持續(xù)增加。 因此,預(yù)估2018年全球半導體市場規(guī)模將成長10.1%,其中最大的原因是各應(yīng)用終端內(nèi)存需求持續(xù)增加,以及車用電子等新興應(yīng)用帶動?! 『榇簳熯M一步指出,內(nèi)存受惠于市場價格上揚,2018年全年臺灣內(nèi)存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將成長25%,產(chǎn)
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IHS公布二季度半導體銷售排行榜:三星又當?shù)谝?/a>
- 由于持續(xù)受益于存儲器芯片熱潮,韓國三星電子(Samsung Electronics)今年第二季仍穩(wěn)坐半導體銷售龍頭地位,再度超越其競爭對手——英特爾(Intel)。 根據(jù)市場研究機構(gòu)IHS Markit的統(tǒng)計,三星在今年第二季全球芯片市場占15.9%,英特爾約占7.9%。然而,隨著NAND快閃存儲器(flash)市場顯著降溫,英特爾已自本季開始縮小與三星的差距,其季成長較三星更高3%?! ∫园雽w銷售額來看,三星在第二季的銷售額為192億美元,較第一季成長3.4%,并較2017年第二季成長了33.7
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND 英特爾
基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅(qū)動方法
- 1. 引言 NAND FLASH被廣泛應(yīng)用于電子系統(tǒng)中作為數(shù)據(jù)存儲。在各種高端電子系統(tǒng)中現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)已被廣泛應(yīng)用。FPGA靈活的硬件邏輯能實現(xiàn)對NAND FLASH的讀寫操作。本文中闡述了一種基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅(qū)動方法。 2. VDNF2T16VP193EE4V25簡介 歐比特公司的VDNF2T16VP193EE4V25是一款容量為2Tb、位寬為16位的NAND FLASH,其內(nèi)部由8片基片拓撲而成,其拓撲結(jié)構(gòu)如下: 其主要特性如下: ? 總?cè)萘?/li>
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全球前15大半導體廠商排名:7家年增20%以上,中國大陸無一上榜
- 8月20日,研究機構(gòu)ICInsights發(fā)布了2018年上半年全球半導體供應(yīng)商Top15榜單,三星位居第一位,英特爾位居第二位。不過遺憾的是,中國大陸暫時沒有公司進入這個榜單的前15名。 根據(jù)發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,三星、英特爾、SK海力士、臺積電、鎂光排名榜單的前五位,相較于去年同期,這幾家公司都有比較明顯的增長,特別是三星、SK海力士以及鎂光,分列六至十五位的分別是博通、高通、東芝\東芝內(nèi)存、德州儀器、英偉達、西數(shù)\閃迪、英飛凌、恩智浦、意法半導體和聯(lián)發(fā)科。這里,英偉達數(shù)據(jù)最為搶眼,相較于去年同期,英偉
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IC Insights預(yù)測:全球IC增長和全球GDP增長關(guān)聯(lián)日益密切
- 在最近發(fā)布的《麥克萊恩2018年中期報告》(McClean Report 2018)中,IC Insights預(yù)測,2018-2022年全球GDP和IC市場相關(guān)系數(shù)將達到0.95,高于2010-2017年期間的0.88。 IC Insights描述了從2010年到2017年全球GDP增長與IC市場增長之間日益密切的關(guān)聯(lián),以及到2022年的最新預(yù)測?! ∪鐖D所示,在2010-2017年的時間段內(nèi),全球GDP增長與IC市場增長的相關(guān)系數(shù)為0.88,這是一個強勁的數(shù)字,因為完全相關(guān)為1.0。在此期間之前的3
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND
NAND閃存價格還要連跌10% 512GB SSD未來兩年將成主流
- NAND閃存價格2018年以來一直在降低,大家也應(yīng)該注意到了今年發(fā)布的智能手機閃存容量也越來越大了,中高端機中64GB是起步,128GB已經(jīng)是主流了。NAND閃存降價的趨勢在下半年還會繼續(xù),因為智能手機出貨量增長放緩,而3D NAND閃存產(chǎn)能持續(xù)增加,預(yù)計Q3、Q4兩個季度中NAND價格都會下跌10%,不用過這也加速了大容量SSD硬盤的普及,未來2-3內(nèi)512GB將成為主流之選?! 〖羁萍计煜碌腄RAMeXchange日前發(fā)布了有關(guān)NAND閃存市場下半年趨勢的報告,認為Q3季度雖然是傳統(tǒng)旺季,但是N
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3d-nand介紹
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